Способ получения рисунка шаблона Советский патент 1993 года по МПК G03F7/26 G03F1/00 

Изобретение относится к микроэлекронике и может быть использовано ри Изготовлении шаблонов для полу- роводникорых приборов и интегральых схем.

Кельм изобретения является повышение воспроизводимости размеров при формировании идентичных элементов за счет исключения погрешности в задании экспозиции.

На фиг,1 и 2 показана геометрия идентичных элементов рисунка шаблона. Идентичные элементы 1 и 2 получают путем N-кратного экспонирования прямоугольных фрагментов 3, ширина W каждого из-которых может отличаться На величину погрешности ±4W, свя эанную с погрешностью в задании вр е- мени экспонирования (экспозиции). Воспроизводимость размеров злемен- тов 1 и 2 достигается за счет статистического усреднения ширины прямоугольного фрагмента 3.

П р и м ер. С помощью шаблона, рисунок которого был получен в соответствии с изобретением, был изготовлен резисти Вный делитель большой интегральной (БИС) аналого-цифрового преобрязойателя (АЩ1). Идентичные прямоугольные элементы 1,2 резисторов делителя длиной 300 мкм (между контактными областями алюминия) и тириной 45 мкм формировались на фо- тооригин ле экспонированием одного и того же прямоугольного фрагмента 3 длиной 32 мкм и шириной 45 мкм, образованного диафрагмой фотонаборной установки ЭМ 559Б, .10 раз со смещением на длину прямоугольного фрагмента 3 после каждой экспозиции. Кратность экспозиции N определялась, исходя из требования к допустимому . стандартному отклонению ширин идентичных элементов ((И), из выражения

С изготовленного фото- .

,(||-).

оригинала на фотоповторителе иэго- тавлйвались эталонные фотошаблоны, С полученных описанным способом эталонных шаблонов изготавливались рабочие шаблоны контактной печатью. Рисунок резистивного делителя пере

5

0

5

0

5

0

5

0

носился на кристалл БИС АЦП контактной печатью с рабочего шаблона. Ре- зистивные элементы формировались на кристалле БИС з лектронно-лучевым напылением на поверхность слоя двуокиси кремния сплава PC 2310К с последующей фотолитографией. Контакты к резисторам формировались напылением слоя алюминия с последующей фотолитографией. Изготовленный согласно изобретению резистивный Делитель сравнивался с резистивными делителями, изготовлённьи и в том же технологическом цикле с использованием рабочего фотошаблона,; изготовленного с фотооригинала по прототипу.

Пары идентичных резисторов, изготовленных согласно изобретению, показывают примерно в 1,5 раза более высокий процент структур с погрешностью менее 0,05%, что обеспечивает повьш1ени8 выхода годных БИС (с 10-раз- рядной точностью) примерно в 1,4 раза.

Формула изобретения

Способ получения рисунка шаблона, включающий формирование элементов рисунка путем N-кратного экспонирования прямоугольных фрагментов и последующей химобработки, отличающийся тем, что, с целью повышения Воспроизводимости размеров при формировании идентичных элементов, N-кратное. зкспонирование осу- ществляют по длине элемента, при этом длину прямоугольного фрагмента выбирают в N раз меньше длины элемента рисунка, а ширину выбирают равной его ширине, причем кратность экспонирования N определяют из выражения

N.(/1-).™. (3W - погрешность воспроизведения ширины элемента на шаблоне, выз ван- ная неточностью задания времени экспонирования, MKMJ

f - допустимая погрешность отношения усредненных ширин идентичных элементов;

W ширина элемента, мкм.

/. . 3

ГТ r-fП

L J-Hi-i...Jb-L-J

/

iH:T::tj- :i::tl

- J-J- J т J;i I a 1

(puff.Z

Изобретение относится к. микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении фотошаблонов. Цель изобретения - повьппение воспроизводимости размеров при формировании идентичных Элементов. Для этого идентичные элементы 1 и 2 получают путем N-кратного экспонирования прямоугольных фрагментов 3, ширина W каждого из. .которых может отличаться на величину погрешности t W, связанную с погрешностью в задании времени экспонирования. Воспроизводимость размеров злементов 1 и 2 достигается за счет статического усреднения прямоугольного фрагмента 3. В описании приведено выражение для определения кратности экспонирования N(W/W(P), где {Г - допустимая погрешность отношения усредненных ширин идентичных элементов. Пары идентичных резисто- . ров, изготовленных по данному способу, показывают примерно в 1,5 раза более высокий процент структур с погрешностью 0,05%. Это обеспечивает ловьшгение процента выхода годных БИС (с 10-раэрядной точностью) примерно в 1,4 раза. 2 ил. САЭ СП со to