СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ШАБЛОНА Российский патент 1997 года по МПК H05K3/00 

Описание патента на изобретение RU2094966C1

Изобретение относится к радиоэлектронике при изготовлении шаблонов для печатных плат, а также для проведения различных контрольных операций.

Известен способ изготовления шаблонов, в котором на поверхности подложки, прозрачной для УФ излучения, наносят светочувствительный слой и формируют рисунок с помощью фотолитографии (Парфенов О.Д. Технология микросхем. М. Высшая школа, 1986, с.118-119). Такие шаблоны, которые имеют рабочую поверхность из эмульсионного светочувствительного слоя, недороги, но имеют ограниченный срок службы из-за повреждения эмульсионного слоя.

Известен способ изготовления шаблонов, в котором на поверхности подложки, прозрачной для УФ излучения, формируют негативный рисунок (эталонный шаблон), а рабочий фотошаблон получают путем напыления на подложку металлического слоя и его экспонирования через эталонный фотошаблон (Пресс Ф.П. Фотолитография в производстве п/п приборов. М. Энергия, 1968, с.139-144). Такие фотошаблоны имеют большой срок службы. В зависимости от используемого металлического слоя возможно получение шаблонов различных назначений.

Техническая задача, решаемая данным изобретением, заключается в том, чтобы получить шаблон материал подложки которого прозрачен по крайней мере в одном из участков диапазона длин волн в пределах 10-5-4•102 нм имеющий рисунок из материала непрозрачного для указанной длины волн.

Для решения вышеуказанной задачи на подложку из материала, прозрачного по крайней мере в одном из участков диапазона длин волн в пределах 10-5-4•102 нм наносят металлический слой, состоящий из последовательно расположенных слоев Cr-Cu-Cr, затем наносят фоторезистивный слой и экспонируют через негативный фотошаблон. После удаления в окнах фоторезистивной маски слоя хрома проводят гальваническое осаждение меди толщиной примерно 10 мкм и слоя свинца толщиной 5-10 мкм. После чего проводят удаление фоторезистивного слоя и травление металлического слоя.

Пример 1 (фиг. 1-5). Вырубают заготовки подложки из полиамидной пленки. Проводят очистку подложек в щелочном растворителе: тринатрийфосфат, кальцинированная сода, вода и проводят вакуумное напыление слоев Cr-Cu-Cr толщиной 2-2,5 мкм. На поверхность подложки наносят фоторезист марки ФН-11С толщиной 2,5 мкм и экспонируют через негативный эталонный фотошаблон. На поверхности подложки получают требуемый рисунок из фоторезиста.

После экспонирования проводят травление хрома в щелочном травителе и проводят гальваническое осаждение меди толщиной примерно 10 мкм и гальваническое осаждение свинца толщиной примерно 5 мкм в сернокислом электролите с добавкой хромового ангидрида.

После гальванического осаждения меди и свинца удаляют фоторезистивную маску и проводят травление металлического слоя Cr-Cu-Cr слоя. Контроль шаблона осуществляют визуально под микроскопом.

В результате получают шаблон, выполненный из прозрачного для излучения с длиной волны 0,4-1,3 нм материала и имеющий рисунок из непрозрачного для указанного диапазона длин волн излучения материала. При этом размеры элементов микросхем, полученных с помощью данного шаблона составляют 0,5-1,0 мкм. Такой шаблон может быть использован для контроля размеров элементов неправильной формы.

Пример 2 (фиг. 1-5). Последовательность операций и материалы аналогичны примеру 1, отличие заключается в том, что толщина гальванически осажденного свинца составляет примерно 10 мкм и рисунок металлического слоя на подложке представляет собой сетку с шириной линий примерно 100 мкм, имеющей квадратную форму.

Полученный шаблон пропускает излучение с длиной волны 1,0-2,5 нм и позволяет формировать микросхемы с элементами, имеющими размеры 0,05-0,5 мкм.

Пример 3 (фиг. 1-5). Последовательность операций и материалы аналогичны примеру 1. Рисунок на подложке выполнен в виде прямоугольной сетки с шириной линий приблизительно 200 мкм.

Из изложенного видно, что предложенный способ позволяет получить шаблон простой конструкции и технологии, не требующей сложного оборудования и высокой квалификации обслуживающего персонала, причем материал подложки прозрачен по крайней мере в одном из участков диапазона длин волн в пределах 10-5-4•102 нм, а рисунок непрозрачен для указанного диапазона длин волн.

Похожие патенты RU2094966C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОШАБЛОНА ДЛЯ КОНТАКТНОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ С СУБМИКРОННЫМИ И НАНОМЕТРОВЫМИ ПРОЕКТНЫМИ НОРМАМИ 2010
  • Бокарев Валерий Павлович
  • Горнев Евгений Сергеевич
  • Галанов Геннадий Николаевич
  • Голубский Александр Алексеевич
RU2470336C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ШТАМПА ДЛЯ НАНОИМПРИНТ ЛИТОГРАФИИ 2011
  • Бокарев Валерий Павлович
  • Горнев Евгений Сергеевич
  • Красников Геннадий Яковлевич
RU2476917C1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТОКОПРОВОДЯЩИХ ДОРОЖЕК 2012
  • Аносов Василий Сергеевич
  • Володин Василий Васильевич
  • Громов Геннадий Гюсамович
  • Мазикина Елена Владимировна
  • Назаренко Александр Александрович
  • Рябов Сергей Сергеевич
RU2494492C1
НЕГАТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ ДЛЯ "ВЗРЫВНОЙ" ФОТОЛИТОГРАФИИ 2017
  • Кузнецова Нина Александровна
  • Чальцева Татьяна Владимировна
  • Норкина Раиса Николаевна
  • Эрлих Роальд Давидович
  • Соловьев Виктор Васильевич
  • Родная Анна Игоревна
  • Афанасьев Михаил Мефодьевич
  • Королева Наталья Александровна
RU2648048C1
Способ формирования плат микроструктурных устройств со сквозными металлизированными отверстиями на монокристаллических кремниевых подложках 2018
  • Смирнов Игорь Петрович
  • Тевяшов Александр Александрович
  • Ветрова Елена Владимировна
  • Капустян Андрей Владимирович
RU2676240C1
СПОСОБ ФОТОЛИТОГРАФИИ 1996
  • Смолин В.К.
  • Донина М.М.
RU2096935C1
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПРЕЦИЗИОННОГО ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКОГО РИСУНКА НА ЦИЛИНДРИЧЕСКУЮ ПОВЕРХНОСТЬ ОПТИЧЕСКОЙ ДЕТАЛИ И ПРИСПОСОБЛЕНИЕ ДЛЯ КОНТАКТНОГО ЭКСПОНИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2012
  • Петров Сергей Николаевич
  • Решетников Геннадий Иванович
  • Савицкий Виталий Николаевич
RU2519872C2
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ТУННЕЛЬНОГО ПЕРЕХОДА И ЕГО СТРУКТУРА 2012
  • Гусев Сергей Александрович
  • Качемцев Александр Николаевич
  • Киселев Владимир Константинович
  • Климов Александр Юрьевич
  • Рогов Владимир Всеволодович
  • Фраерман Андрей Александрович
RU2522714C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА С Т-ОБРАЗНЫМ УПРАВЛЯЮЩИМ ЭЛЕКТРОДОМ 2010
  • Егоркин Владимир Ильич
  • Шмелев Сергей Сергеевич
  • Трегубова Елена Владимировна
  • Зайцев Алексей Александрович
  • Никифоров Денис Николаевич
RU2421848C1
Фотошаблон и способ его изготовления 1978
  • Гунина Нина Максимовна
  • Поярков Игорь Иванович
  • Логутова Людмила Викторовна
  • Степанов Валерий Васильевич
  • Лаврентьев Константин Андреевич
  • Черников Анатолий Михайлович
SU938338A1

Иллюстрации к изобретению RU 2 094 966 C1

Реферат патента 1997 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ШАБЛОНА

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности, к способам изготовления шаблонов для печатных плат. Сущность изобретения: на подложку, выполненную из материала, прозрачного по крайней мере в одном из участков диапазона длин 60 нм в пределах от 10-5 нм до 4•102 нм, последовательно наносят слои Cr-Cu-Cr, формируют фоторезистивную маску через негативный фотошаблон, удаляют из окон маски слой хрома и последовательно осаждают слои меди и свинца. После этого удаляют фоторезистивную маску и металлические слои Cr-Cu-Cr. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.

Формула изобретения RU 2 094 966 C1

1. Способ изготовления шаблона, включающий нанесение металлического слоя на поверхность подложки, формирование фотолитографией рисунка металлического слоя и травление металлического слоя через фоторезистивный слой, удаление фоторезистивного слоя, отличающийся тем, что в качестве металлического слоя используют последовательно нанесенные слои Cr-Cu-Cr, а формирование фотолитографией рисунка металлического слоя проводят с использованием негативного фотошаблона, а перед травлением металлического слоя удаляют верхний слой хрома и на него гальванически осаждают слой меди толщиной примерно 10 мкм и слоя свинца толщиной 5 10 мкм, причем подложка является прозрачной по крайней мере в одном из участков диапазона длин волн в пределах от 10-5 и до 4•102 нм. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что рисунок металлического слоя на подложке из прозрачного для излучения материала выполнен в виде сетки с шириной линий сетки 100 200 мкм. 3. Способ по п.2, отличающийся тем, что рисунок сетки имеет квадратную или прямоугольную форму.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1997 года RU2094966C1

Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Парфенов О.Д
Технология микросхем
- М.: Высшая школа, 1986, с.118, 119
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Пресс Ф.П
Фотолитография в производстве, п/п приборов
- М.: Энергия, 1968, с.139 - 144.

RU 2 094 966 C1

Авторы

Гуськов Геннадий Яковлевич

Бражник Валерий Анатольевич

Любимов Виктор Константинович

Михайличенко Нина Михайловна

Осипов Григорий Алексеевич

Даты

1997-10-27Публикация

1996-03-21Подача