Изобретение относится к радиоэлектронике при изготовлении шаблонов для печатных плат, а также для проведения различных контрольных операций.
Известен способ изготовления шаблонов, в котором на поверхности подложки, прозрачной для УФ излучения, наносят светочувствительный слой и формируют рисунок с помощью фотолитографии (Парфенов О.Д. Технология микросхем. М. Высшая школа, 1986, с.118-119). Такие шаблоны, которые имеют рабочую поверхность из эмульсионного светочувствительного слоя, недороги, но имеют ограниченный срок службы из-за повреждения эмульсионного слоя.
Известен способ изготовления шаблонов, в котором на поверхности подложки, прозрачной для УФ излучения, формируют негативный рисунок (эталонный шаблон), а рабочий фотошаблон получают путем напыления на подложку металлического слоя и его экспонирования через эталонный фотошаблон (Пресс Ф.П. Фотолитография в производстве п/п приборов. М. Энергия, 1968, с.139-144). Такие фотошаблоны имеют большой срок службы. В зависимости от используемого металлического слоя возможно получение шаблонов различных назначений.
Техническая задача, решаемая данным изобретением, заключается в том, чтобы получить шаблон материал подложки которого прозрачен по крайней мере в одном из участков диапазона длин волн в пределах 10-5-4•102 нм имеющий рисунок из материала непрозрачного для указанной длины волн.
Для решения вышеуказанной задачи на подложку из материала, прозрачного по крайней мере в одном из участков диапазона длин волн в пределах 10-5-4•102 нм наносят металлический слой, состоящий из последовательно расположенных слоев Cr-Cu-Cr, затем наносят фоторезистивный слой и экспонируют через негативный фотошаблон. После удаления в окнах фоторезистивной маски слоя хрома проводят гальваническое осаждение меди толщиной примерно 10 мкм и слоя свинца толщиной 5-10 мкм. После чего проводят удаление фоторезистивного слоя и травление металлического слоя.
Пример 1 (фиг. 1-5). Вырубают заготовки подложки из полиамидной пленки. Проводят очистку подложек в щелочном растворителе: тринатрийфосфат, кальцинированная сода, вода и проводят вакуумное напыление слоев Cr-Cu-Cr толщиной 2-2,5 мкм. На поверхность подложки наносят фоторезист марки ФН-11С толщиной 2,5 мкм и экспонируют через негативный эталонный фотошаблон. На поверхности подложки получают требуемый рисунок из фоторезиста.
После экспонирования проводят травление хрома в щелочном травителе и проводят гальваническое осаждение меди толщиной примерно 10 мкм и гальваническое осаждение свинца толщиной примерно 5 мкм в сернокислом электролите с добавкой хромового ангидрида.
После гальванического осаждения меди и свинца удаляют фоторезистивную маску и проводят травление металлического слоя Cr-Cu-Cr слоя. Контроль шаблона осуществляют визуально под микроскопом.
В результате получают шаблон, выполненный из прозрачного для излучения с длиной волны 0,4-1,3 нм материала и имеющий рисунок из непрозрачного для указанного диапазона длин волн излучения материала. При этом размеры элементов микросхем, полученных с помощью данного шаблона составляют 0,5-1,0 мкм. Такой шаблон может быть использован для контроля размеров элементов неправильной формы.
Пример 2 (фиг. 1-5). Последовательность операций и материалы аналогичны примеру 1, отличие заключается в том, что толщина гальванически осажденного свинца составляет примерно 10 мкм и рисунок металлического слоя на подложке представляет собой сетку с шириной линий примерно 100 мкм, имеющей квадратную форму.
Полученный шаблон пропускает излучение с длиной волны 1,0-2,5 нм и позволяет формировать микросхемы с элементами, имеющими размеры 0,05-0,5 мкм.
Пример 3 (фиг. 1-5). Последовательность операций и материалы аналогичны примеру 1. Рисунок на подложке выполнен в виде прямоугольной сетки с шириной линий приблизительно 200 мкм.
Из изложенного видно, что предложенный способ позволяет получить шаблон простой конструкции и технологии, не требующей сложного оборудования и высокой квалификации обслуживающего персонала, причем материал подложки прозрачен по крайней мере в одном из участков диапазона длин волн в пределах 10-5-4•102 нм, а рисунок непрозрачен для указанного диапазона длин волн.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОШАБЛОНА ДЛЯ КОНТАКТНОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ С СУБМИКРОННЫМИ И НАНОМЕТРОВЫМИ ПРОЕКТНЫМИ НОРМАМИ | 2010 |
|
RU2470336C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ШТАМПА ДЛЯ НАНОИМПРИНТ ЛИТОГРАФИИ | 2011 |
|
RU2476917C1 |
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТОКОПРОВОДЯЩИХ ДОРОЖЕК | 2012 |
|
RU2494492C1 |
НЕГАТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ ДЛЯ "ВЗРЫВНОЙ" ФОТОЛИТОГРАФИИ | 2017 |
|
RU2648048C1 |
Способ формирования плат микроструктурных устройств со сквозными металлизированными отверстиями на монокристаллических кремниевых подложках | 2018 |
|
RU2676240C1 |
СПОСОБ ФОТОЛИТОГРАФИИ | 1996 |
|
RU2096935C1 |
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПРЕЦИЗИОННОГО ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКОГО РИСУНКА НА ЦИЛИНДРИЧЕСКУЮ ПОВЕРХНОСТЬ ОПТИЧЕСКОЙ ДЕТАЛИ И ПРИСПОСОБЛЕНИЕ ДЛЯ КОНТАКТНОГО ЭКСПОНИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 2012 |
|
RU2519872C2 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ТУННЕЛЬНОГО ПЕРЕХОДА И ЕГО СТРУКТУРА | 2012 |
|
RU2522714C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА С Т-ОБРАЗНЫМ УПРАВЛЯЮЩИМ ЭЛЕКТРОДОМ | 2010 |
|
RU2421848C1 |
Фотошаблон и способ его изготовления | 1978 |
|
SU938338A1 |
Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности, к способам изготовления шаблонов для печатных плат. Сущность изобретения: на подложку, выполненную из материала, прозрачного по крайней мере в одном из участков диапазона длин 60 нм в пределах от 10-5 нм до 4•102 нм, последовательно наносят слои Cr-Cu-Cr, формируют фоторезистивную маску через негативный фотошаблон, удаляют из окон маски слой хрома и последовательно осаждают слои меди и свинца. После этого удаляют фоторезистивную маску и металлические слои Cr-Cu-Cr. 2 з.п. ф-лы, 5 ил.
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Парфенов О.Д | |||
Технология микросхем | |||
- М.: Высшая школа, 1986, с.118, 119 | |||
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
Пресс Ф.П | |||
Фотолитография в производстве, п/п приборов | |||
- М.: Энергия, 1968, с.139 - 144. |
Авторы
Даты
1997-10-27—Публикация
1996-03-21—Подача