10
15
20
1355060
Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть яспользо- В9НО в различных системах автоматики. Цель изобретения . - получение полной развязки входа от выхода при сохранении диапазонов измерения сопротивления.
На фиг.1 изображено устройство для управления сопротивлением полупроводникового резистора; на фиг.2 показано изменение сопротивления от напряжения.
Устройство состоит из полупроводниковой пластины 1, часть которой помещена между обкладками конденсатора 2 и изолирована от них диэлектрическими пленками 3, Конденсатор подключается к регулируемому ис- .точнику питания 4, а выводы - металлические точечные зонды 5 располагаются на полупроводниковой.пластине в плоскости, перпендикулярной обкладкам конденсатора, симметрично оси, проходящей через центр вдоль полупровод- 25 закономерности, виковой пластины, и подключаются для контроля к измерителю сопротивления 6.-Приспособление 7 служит для Измерения расстояния между зондами и от зондов до обкладок конденсатора. Q
Пример реализации устройства. В качестве полупроводншсовой пла-. стины взят КДБ с .Удельным сопротивлением 0,1 Ом-м и размерами 20 х 10 х X 0,4 мм, который помещается между медными обкладками конденсатора площадью lOxtO мм. Дизлектрические по лиэтИленовые пленки имеют толщину 0,1 мм. Металлические точечные зонды располагают на поверхности полупроводниковой пластины на расстоянии 3,7 мм от обкладок конденсатора и 6 мм одна от другой и симметрично оси, проходящей через центр вдоль полупроводниковой пластины. Обкладки конденсатора подключают к генератору электрических сигналов типа ГЗ-7А, работавшему на частоте ГО Гц, а зонды - к цифровому измерителю сопротивления тийа В7-27А, работавшему в режиме измерения переменного электрического напряжения и к осциллографу С-1-83. Наличие переменного, электрического Напряжения до уровня
шумов не фиксируется (о ет 2, Z от подава лированные электроды).
Выбор и изменение ди противления осуществляе конструктивных особенно ства - изменения рассто зондами и от зондов до электродов с помощью пр для перемещения зондов, изменении удельного соп полупроводника.
Сопротивление может от 6, кОм до 0,9 МОм (с вая 8). или от 90 кОм д (кривая 9) при изменени от О до 25 В. Кривые 8 расстояния между зондам венно 1,8 и 2,5 мм.
В данном устройстве управляемый электрическ полностью развязаны,что менить сопротивление в
Формула изоб
Устройство для управ тивлением полупроводник стора на основе МДП-стр жащее регулируемый исто полупроводниковую пласт выводами,на одной стор расположен изолированны отличающееся с целью полной развязки хода при .сохранении диа нения сопротивления, на роне пластины, симметри электроду, расположен в рованный электрод, а вы ны в виде зондов, распол плоскости, перпендикуля ванным электродам симмет 5 проходящей через центр чем расстояние X между и электродом и зондами выб соотношения х (2п - 1) п 1, 2, 3,,..; А - д 50 деформации кристшшическ полупроводника, а площа ны превышает площадь изо электрода..
35
40
0
5
0
060
25 закономерности, Q
шумов не фиксируется (оно составляет 2, Z от подаваемого на изолированные электроды).
Выбор и изменение диапазона сопротивления осуществляется за счет конструктивных особенностей устройства - изменения расстояния между зондами и от зондов до изолированных электродов с помощью приспособлений для перемещения зондов, а также при изменении удельного сопротивления полупроводника.
Сопротивление может изменяться от 6, кОм до 0,9 МОм (см.фиг.2, кривая 8). или от 90 кОм до 1,75 MOiM (кривая 9) при изменении напряжения от О до 25 В. Кривые 8 и 9 сняты для расстояния между зондами соответст- венно 1,8 и 2,5 мм.
В данном устройстве управляющий и управляемый электрические сигналы полностью развязаны,что позволяет изменить сопротивление в любой нёоб од мой закономерности,
Формула изобретения
Устройство для управления сопротивлением полупроводникового резистора на основе МДП-структуры, содержащее регулируемый источник питания, полупроводниковую пластину с двумя выводами,на одной стороне которой расположен изолированный электрод, отличающееся тем, что, с целью полной развязки входа от выхода при .сохранении диапазонов изменения сопротивления, на другой стороне пластины, симметрично первому электроду, расположен второй изолированный электрод, а выводы выполнены в виде зондов, расположенных в плоскости, перпендикулярной изолированным электродам симметрично оси, проходящей через центр пластины,причем расстояние X между изолированным электродом и зондами выбрано из соотношения х (2п - 1) ,Л /А, где п 1, 2, 3,,..; А - длина волны деформации кристшшической решетки полупроводника, а площад пластины превышает площадь изолированного электрода..
Фиг.
ц в
Составитель Л.Андреева Редактор Т.Иванова Техред м.Ходанич Корректор В.Гирняк
Заказ 993Тираж Л47Подписное
ВНИШ1И Государственного комитета СССР
по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5
Проиэволственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная,4
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Устройство для определения типа проводимости полупроводников | 1982 |
|
SU1085390A1 |
Способ локального контроля удельного сопротивления полупроводников и устройство для его осуществления | 1990 |
|
SU1822972A1 |
Способ определения энергетических уровней полупроводников | 1983 |
|
SU1131398A1 |
Устройство для измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов | 1988 |
|
SU1583814A1 |
ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ | 1992 |
|
RU2018994C1 |
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ЕМКОСТЬЮ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КОНДЕНСАТОРА И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КОНДЕНСАТОР НА ЕГО ОСНОВЕ | 2011 |
|
RU2474903C1 |
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ РАБОТОЙ МЕМРИСТИВНОЙ КОНДЕНСАТОРНОЙ СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК | 2018 |
|
RU2706197C1 |
ВАРИКАП | 1994 |
|
RU2086045C1 |
ВСЕСОЮЗНАЯ I | 1973 |
|
SU372586A1 |
Конденсатор с тепловой защитой | 1980 |
|
SU879663A1 |
Изобретение относится ц радиоэлектронике и может быть использовано в различных системах автоматики. . Целью изобретения является получение полной развязки входа от выхода при Сохранении диапазонов изменения со- противления. Устройство содержит полупроводниковый прибор, состоявши из однородной полупроводниковой пластины кремния р-типа проводимости (КДБ) с удельным сопротивлением 0,1 Ом М и-размерами 25x10x0,4 мм, на противоположных сторонах.которой симмет- . рМчно относительно нее расположены два электрода в виде латунных пластин, площадью ЮхЮмм, изолированных от полупроводника полиэтиле- , новыми пленками размером 10x10x0,05 utn За одним из изолированных электродов расположены два металлических заостренных зонда, выполненных из вольфрамовой проволоки диаметром 0,4 мм в плоскости, перпендикулярной изолированным электродам и симметрично оси, проходящей через центр пластины. При этом расстояние х между изо- лированньм электродом и мetaлличe- скими зондами составляет 3,7 мм, а ра сстояние между зондами ЛЪ «1,8 мм и ,5MM. Указанные расстояния устанавливают с помощью приспособления для перемещения зондов. На изолированные электроды подается синусоидальное электрическое напряжение от генератора электрических сигналов частотой 10 Гц. Сопротивление полупроводника между зондами измеряется с помощью цифрового вольтметра, работавщего в режиме измерения сопротивления. В устройстве для управления резистором вход и эыход полностью развязаны, что. позволяет управлять величиной сопротивлешя сигналами любой необходимой формы и закононерно.стк без применения фильтров и других приспособлений. 2 ил. W со ел ел о CD
Интегральные схемы на ВДП-трак- зисторах | |||
Перевод с англ | |||
Кармазин-- ского А.Н | |||
М.: Мир, 1975, с.218 | |||
Полупроводниковый прибор | 1985 |
|
SU1308119A1 |
Прибор с двумя призмами | 1917 |
|
SU27A1 |
Авторы
Даты
1990-03-15—Публикация
1985-07-26—Подача