Полупроводниковый прибор Советский патент 1990 года по МПК H01L29/68 

щий полупроводникOBjTO пластину, на одной стороне которой расположен первый металлический электрод, отличающийся тем, что, с целью преобразования переменного электрического напряжения в постоянное,пластина выполнена из кремния, удельное сопротивление р которого определено следующим неравенством 1х10 р 0,2, между первым металлическим электродом и пластиной сформирован слой диэлектрика на противоположной стороне пластины расположены симметрично первому электроду второй электрод, отде- ленный от полупроводниковой пластины

сс-гсссс

Составитель В.Хайновский Редактор Т.Горячева Техред М.Ходанич - Корректор Т.Налец

Заказ 992Тираж 444Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, 101

слоем диэлектрика, а также два электрода, расположенные в ряд, и обра- эующие с пластиной омические контакты, при этом расстояние UL между вторым электродом и наиболее удаленным от него электродом, образующим омический контакт с пластиной, определено соотношением

4L (2п + ОА

ЙЯ

4

где п 0,1,2,...,

Л - длина волны деформации кристаллической решетки кремниевой пластины.

ссс

.

Изобретение относится к устройствам преобразования переменного электрического напряжения в постоянное и Изобретение относится к устройствам для преобразования переменного электрического напряжения в постоянное и может быть использовано в радиотехнике, электронике, в интегральных схемах для подачи постоянного электрического напряжения на отдельные узлы схемы. Цель изобретения - преобразование переменн9го электрического напряжения в постоянное. На чертеже показан предлагаемый прибор. Он содержит полупроводниковую пластину 1, первый и второй металлические электроды 2 и 3, изолированные от пластины слоями 4 и 5 диэлекможет быть использовано в радиотехнике и электронике. Цель изобретения - преобразование переменного электрического напряжения в постоянное. Полупроводниковый прибор вьтолнен на основе барьера Шоттки. На одной стороне полупроводниковой пластины расположен изолированный полевой электрод, а на другой симметрично первому электроду расположен аналогичный второй электрод, и два электрода, расположенные в ряд и образз тощие с пластиной омические .контакты. Расстояние между вторым электродом и наиболее удаленным от него электродом, образующим омический контакт, определено соотношением. Пластина выполнена из кремния, удельное сопротивление которого определено соотношением Ср 0,2. 1 ил 10 (Л трика, электроды 6 и 7, образующие с пластиной омические контакты. Был изготовлен полупроводниковый прибор, в котором кремниевая пластина, п-типа проводимости имела удельное сопротивление 0,1 Ом-м и. размеры 20x10x0,5 мм. Изолированные металлические электроды были изготовлены из латуни с размерами 10x10 мм. Электроды 6 и 7 выполнены из вольфрамовой проволоки диаметром 0,4 мм, при этом расстояние мм, Формула изобретения Полупроводниковый прибор на осно- ве диода с барьером Шоттки, содержа