Способ нейтронографической дефектоскопии Советский патент 1987 года по МПК G01N23/05 

Изобретение относится к определению характеристик объектов с помощью ионизирующих излучений, а именно к нейтронной дефектоскопии, и может быть использовано, например, для контроля дефектов в тонких объектах из легких материалов.

Целью изобретения является повышение контрастной чувствительности выявления дефектов в тонких объектах

ila чертеже представлена схема расположения основных элементов дефектоскопа при проведении контроля объекта.

Для реализации изобретения применяют нейтронный фильтр 1 из кадмия толщиной 0,5 мм, нейтронный фильтр 2 из индия толщиной 1 мм, активационньй экран 3 из индия толщиной 0,005 мм. На чертеже показан также исследуемый объект в виде склеиваемых стальных листов 4 и слоя,5 эпоксидного клея.

Способ реализуется следующим образом.

Показанньй на чертеже набор элементов вместе с исследуемым объектом на 1-2 ч помещают в изотропное поле нейтронов в какой-либо замедлитель. Затем набор извлекают и вынимают из него активационные экраны. Между экранами в тесном контакте помещают слой ядерной фотоэмульсии, нанесенной на тонкую пленку, и экспозиция про- должа:ется 1-2 ч. Затем пленку проявляют и рассматривают.

Фильтром 2 поглощаются нейтроны в определенном интервале их энергий. За выделенный энергетический интервал принимают область энергий нейтронов, плотность потока в котором уменьшена фильтром не менее чем в 20 раз. Для индиевого фильтра 2 это составляет 1,7 ,25 эВ (,7. эВ) . Нейтроны, рассеянные на ядрах железа, не могут потерять такую величину энергии, чтобы активировать индиевьм экран с энергией резонанса 1,46 эВ. В то же время нейтроны, рассеянные на ядрах углерода и водорода, основных элементах, вxoдящ nc в состав эпоксидного клея, имеют энергию, необходимую для активации экрана.

Рассеянные в слое 5 клея нейтроны

В энергетическом интервале, в котором gg рассеянные на ядрах этих элементов,

нейтроны поглощены фильтрами, регистрируются активационными экранами 3. Вследствие того, -что экраны 3 фиксируют только рассеянные в слое 5 нейт

РОНЫ, по сравнению с известными способами радиографии в 5-10 раз повышается чувствительность выявления дефектов в этом слое, т.к. фон обусловлен только нерезонансной активацией индия, которая, составляет одну тридцатую часть от общей активации индия эпитепловыми нейтронами и не оказьшает существенного влияния на

качество получаемых изображений. Для проведения избирательного контроля распределения легких элементов, например водорода, в объекте регистрируют только нейтроны, однократно рассеянные на ядрах водорода. Для этого применяют фильтр, поглощающий нейтроны в области 1,1. эВ, и активационньй экран 3 из иридия толщиной 0,01 мм. Иридиевьш

активационньй экран, чувствительньй к нейтронам с энергией приблизительно 1,3 эВ, не активируется нейтронами, рассеянными на других, кроме водорода, элементах, так как минимальная энергия,рассеянных этими элементами нейтронов больше 1,,3 эВ. I . .

Формула изобретения

1.Способ нейтронографической дефектоскопии, включающий облучение контролируемого объекта потоком медленных нейтронов, регистрацию распределения нейтронов вблизи объекта, отличающийся тем, что,

с целью повышения контрастной чувст-. вительности выявления дефектов в тонких объектах, неколлимированные медленные нейтроны пропускают через пог- лощающие фильтры, при этом интервал энергий, в котором регистрируют нейтроны, входит в интервал, в котором нейтроны поглощаются фильтрами.

2.Способ ПОН.1, отличаю- Щ и и с я тем, что, с целью проведения избирательной радиографии для самого легкого по атомному весу в исследуемом объекте элемента, регистрируют только нейтроны, однократно

Изобретение относится к области определения характеристик объектов с помощью ионизирующих излучений, конкретнее к области нейтронной дефектоскопии, и может быть использовано, например, для.контроля дефектов в тонких объектах из легких материалов. Целью изобретения является по- вьшение чувствительности выявления дефектов в тонких объектах. Способ предусматривает пропускание замедленных нейтронов через фильтры, поглощающие нейтроны с определенными энергиями. Прошедшими фильтры нейтронами облучают исследуемый объект, вблизи которого расположены детекторы нейтронов, чувствительные только к нейтронам таких энергий, которые поглощены фильтрами. Цпя регистрации распределения легких элементов в объекте регистрируют только однократно рассеянные на ядрах этих элементов нейтроны. 1 з,п, ф-лы, 1 ил. i (Л со О5 со о со 00