Генератор тока Советский патент 1987 года по МПК H03F3/42 

зировать свой эмиттерньн ток, а следовательно, эастабилизируется и BLF- ходной ток первого транзистора 1. При этом через второй резистор 7 протекает ток 1д (Un-Ug): - э, - f,s5bR, (и,,, -Ug -U,):R, ,

Так как ток базы пятого транзистора 5 значительно меньше I,,; (на вели10

чину Ij,5 ; J при считать, что I

/П -L

1),

R7 ТО МОЖНО

КЗ

где I

KS

и

11363440

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для использования в логических и интегральных схемах, реализуемых по высоковольтной биполярной технологии.

Цель изобретения - стабилизадая выходного тока в широком диапазоне изменений коэффициента усиления.

На чертеже представлена принци- пиальная электрическая схема предлагаемого генератора тока.

Генератор тока содержит первый транзистор 1, выполненный двухколлекторным, с второго по пятый транзисто- 15 передачи токового зеркала на транзис- ры.2-5, первый 6 и второй 7 резисторы торах 3 и 4 равен единице и токи и диод 8.обоих коллекторов первого транзистора

Генератор тока работает следу1дщим 1 равны между собой, то можно Ig,,I,, (U.,, + Ug -и„): R,, 20 При этом на величину выходного тока не влияет коэффициент усиления первого транзистора 1, который является наиболее нестабильным параметром вследствие того, что первый транзистор 1 является высоковольтным латеральным, транзистором р-п-р-типа, коллекторные-токи транзисторов 5 и 3 соответственно,

В частном случае если коэффициент

образом.

При задании входного тока первый транзистор 1 открывается, на его эмиттере поддерживается потенциал

и

9(

и„

- и.В. - в ;

где падение напряженияна базоэмиттерном переходе второготранзистора 2i

и. - падение напряженияна дио-

де &.

ЧГерез диод 8 протекает незначительный ток

25

готовленным в едином технологическом цикле по высоковольтной биполярной технологии. Необходимо только, чтобы

30 выходной управляющий ток „.. бьи

, (I.

вх

, )

не, меньше, чем Термин- VJ-K, , 1мии -К1, и - токи, протекающие соответственно через первьш и второй коллекторы первого транзистора 1 р - минимально допустимый коэффициент усиления данного транзистора.

6 652

Бэг

1|сг

где „,

-К2

-кг -ВХ ;

ток, лротекаюший через базоэмиттерный переход второго транзистора 2, коллекторньм ток второго транзистора 2 (3j, - коэффициент усиления второго транзистора 2. Большая часть эмиттерного тока первого транзистора 1 течет из эмиттера пятого транзистора 5,

Выходной ток, протекающий через первый коллектор первого транзистора 1, пропорционален току, протекающему через второй коллектор данного транзистора и. поступающему в четвертый (задакиций) транзистор 4 токового зеркала. Следовательно, через третий транзистор 3 токового зеркала npote-

35

40

не, меньше, чем Термин- VJ-K, , 1мии -К1, и - токи, протекающие соответственно через первьш и второй коллекторы первого транзистора 1 р - минимально допустимый коэффициент усиления данного транзистора.

Формула изобретения

Генератор тока, вьшолненный на первом транзисторе, имеющем р-п-р- структуру, база которого является входом генератора тока и соединена с коллектором второго транзистора, имеющим р-п-р-структуру, база которого через первьм резистор соединена с коллектором этого транзистора и с положительной шиной, источника пита- gQ ния, при Э.ТОМ коллектор первого тран45

кает ток I

КЗ

пропорциональный выходному току,

На базе пятого транзистора дается потенциал Ugy U - I.

Когда на базе пятого транзистора 5 потенциал понизится до U,, - , пятый транзистор 5 начинает стабштизистора является выходом генератора тока, отличаю щийся тем, что, с целью стабилизации выходного тока в широком диапазоне изменений 5 соз- 55 коэффициента усиления, в него введены токовое зеркало, вьтолненное на третьем и четвертом транзисторах, имеющих п-р-п-структуру, пятый транзистор имеющий п-р-п-структуру, диод и втозировать свой эмиттерньн ток, а следовательно, эастабилизируется и BLF- ходной ток первого транзистора 1. При этом через второй резистор 7 протекает ток 1д (Un-Ug): - э, - f,s5bR, (и,,, -Ug -U,):R, ,

Так как ток базы пятого транзистора 5 значительно меньше I,,; (на вели

чину Ij,5 ; J при считать, что I

/П -L

1),

R7 ТО МОЖНО

КЗ

где I

KS

и

коллекторные-токи транзисторов 5 и 3 соответственно,

В частном случае если коэффициент

готовленным в едином технологическом цикле по высоковольтной биполярной технологии. Необходимо только, чтобы

выходной управляющий ток „.. бьи

, (I.

вх

, )

не, меньше, чем Термин- VJ-K, , 1мии -К1, и - токи, протекающие соответственно через первьш и второй коллекторы первого транзистора 1 р - минимально допустимый коэффициент усиления данного транзистора.

Формула изобретения

Генератор тока, вьшолненный на первом транзисторе, имеющем р-п-р- структуру, база которого является входом генератора тока и соединена с коллектором второго транзистора, имеющим р-п-р-структуру, база которого через первьм резистор соединена с коллектором этого транзистора и с положительной шиной, источника пита- ния, при Э.ТОМ коллектор первого тран

313634404

рой резистор, при этом первый тран-питания, эмиттер пятого транзистора зистор вьтолнея двухколлекторным,соединен с, эмиттером первого тран- дополнительный коллектор которого зистора и с катодом диода, анод кото- соединен с входом токового зеркапа, рого соединен с базой второго тран- выход которого соединен с базой пято-зистора, а объединенные эмиттеры го транзистора и через второй резис-третьего и четвертого транзисторов тор с коллектором пятого транзисторатокового зеркала соединены с общей и с положительной ишной источникашиной.

, Изобретение относится к микроэлектронике. Цель изобретения - стабилизация выходного тока в широком диапазоне изменений коэффи1щента усиления Генератор тока содержитдвух- коллекторньй транзистор 1, транзисторы 2 и 5, токовое зеркало на транзисторах 3 и 4, резисторы 6 и 7 и , диод-8. При задании входного тока транзистор 1 открывается, через диод 8 протекает незначительный ток и большая часть эмнттёрного тока транзистора 1 течет из эмиттера транзистора 5. Когда на базе транзистора 5 потенциал понизится, то транзистор 5 начинает стабилизировать свой эмит- тер ньш ток, а следовательно, застаби- лизируется и выходной ток транзистора 1. Если коэффициент передачи токового зеркала равен единице и токи обоих коллекторов транзистора 1 равны между собой, то выходной ток пропорционален коллекторному току транзистора 3, при этом на величину выходного тока не влияет коэффициент усиления транзистора 1; который является наиболее нестабильным параметром, 1 ил „ i (Л Вход Ife Ife5 life IZ8 )« CO 05 CO 4 4ib Ixf6 t x -Ur,