МОЩНЫЙ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ ТИРИСТОР Советский патент 2004 года по МПК H01L29/74 

Мощный быстродействующий тиристор на основе p-n-p-n-структуры, содержащий p- и n-эмиттеры, базовые области p- и n-типов проводимости, отличающийся тем, что, с целью повышения нагрузочной способности по току и рабочей частоты за счет увеличения площади структуры и уменьшения ее толщины, базовая область n-типа проводимости со стороны p-эмиттера выполнена с выступами, образующими на поверхности прямоугольную сетку, причем высота h выступа, диаметр b структуры с выступами и и толщина h₀ структуры без выступов связаны следующим соотношением:

при ширине выступа d≤2w_n и расстоянии между выступами 1≥d,
где α= S_в/S - отношение площади S_в, занимаемой выступами, к площади S структуры без выступов,
w_n - толщина базовой области n-типа проводимости,
a - диаметр структуры без выступов.