Сверхвысокочастотная печь Советский патент 1988 года по МПК H05B6/64 

Изобретение относится к сверхвысокочастотному (СВЧ) нагреву и может использоваться для термообработки диэлектрических материалов, например растворов и порошков химических реактивов, особо чистых химических веществ, фармацевтических препаратов, при их малото нажном производстве.

Цель изобретения - повышетЬш ип- тенсивпости нагрева обрабатываемого матери;.ша, увеличение надежности и исключение iii)o6oH.

На чертеже изображена конструк- схема сверхвысокочастотной печи.

Сверхвысокочастотная печь содержит камеру 1 нагрева, круговую ребристую структуру 2 поверхностной Ьолны, выполненную в форме тела вращения, ввод 3 СВЧ-энергии, балластную нагрузу 4, диэлектрически} контейнер 5, выполненный в форме тела вращения, для обрабатываемого материала 6,, жидкий диэлектрик 7, крышку 8, штуцер 9, гор- ловипу 10 диэлектрического контейнера Пазы круговой ребристой структуры 2 от 1/3 до 2/3, начиная,от центра выполнены вертикальными, а остальные - горизонтальными.

Сверхвысокочастотная печь работает следующим образом.

В диэлектрически контейнер 5 через горловину диэлектрического контейнера 10 зггливают обрабатываемый материал б примерно до уровня жидкого диэлектрика 7, через балластную па- грузку 4 подают воду, включают вращение диэлектрического контейнера 5 и через ввод 3 СВЧ-энергии в круговую ребристую структуру 2 новерхност ной во:н1ы- подают СВЧ-энергию в камеру 1 нагрева. СВЧ-энергия разогревает обрабатываемый материал 6, при этом в районе ввода энергии, где СВЧ электрическое поле имеет наибольшую напряженность, происходит наиболее интенсивное ее ногло1цение. йхпд- кий диэлектрик 7 исключает возможность пробоя и практически не поглощает энергии.

При рас 1ространени5 но сруговой ребристой структуре поверхностно волны напряженность СВЧ-поля и интенсивность пог; ощения СВЧ-э ергии постепенно падааот, а еиспользованная часть энергии поглощается в перифериВНИИПИ Заказ 799/57

0 5 0

5

0

5

0

5

пой балластной нагрузке 4. Через гор- 10 диэлектрического контейнера 5 отводят образующиеся пары и при необходимости добавляют порциями непрерывно обрабатываемый материал. Наблюдение за ходом упаривания раствора, превращением его в порошок и завершением сушки ведут визуально через перфорировапную крышку 8 и по температуре воды на выходе из балластной нагрузки 4. На завершающей стади процесса, когда скорость сушки и количество поглощаемой порошкообразным материалом СВЧ-энергии уменьшается, а температура воды на выходе из балластной нагрузки 4 увеличивается, уменьшают подаваемую

СВЧ-МО ЦНОСТЬ .

Формула изобретения

1.Сверхвысокочастотная печь, содержащая камеру нагрева, в которой расположена круговая ребристая структура. пoвepx ocтнoй волны, ввод СВЧ- энергии, диэлектрический контейнер для обрабатываемого материала, балластную нагрузку, отличающаяся тем, что, с целью повы- интенсив юсти нагрева обрабатываемого матерр ала, круговая ребристая структура поверхностной волны и диэлектрический контейнер, располо- жепный в ней с возможностью вращения, выполнены в форме тела вращения, ввод СВЧ-энергии, являющийся центром круговой ребристой структуры поверх- остной волны, расположен в нижней части тела , балластная нагрузка кольцевую форму и расположена по периферии круговой ребристой структуры поверхностной волны,

2.Печь по п.1, отличаю а я с я тем, что, с целью увеличения надежности и исключения пробоя, не менее половины пазов круговой ребристой структуры поверхност- нок волны заполнены жидким диэлек- тршсом. V

3.Печь поЦ.1, отличающаяся тем, что пазы круговой ребристой структуры, от 1/3 до 2/3 начиная от центра, выполнены вер- т 1кальными, а остальные - горизой- тальными.

Тираж 833

Подписное

Изобретение м.б. использовано для термообработки диэл. материалов. Цель, изобретения - повышение интенсивности нагрева обрабатываемого ма%W Материал териала, увеличение надежности и исключение пробоя. СВЧ-печь содержит камеру 1 нагрева, круговую ребристую структуру 2 поверхностной волны, ввод 3 СВЧ-энергии, балластную нагрузку 4, диэл. контейнер 5 для обрабатываемого материала. Структура 2 и контейнер 5, расположенный в ней с возможностью вращения, выполнены в форме тела вращения. Ввод 3, являющийся центром структуры 2, расположен в нижней части тела вращения. Нагрузка 4 имеет кольцевую форму и расположена .по периферии структуры 2. Для увеличения надежности и исключения пробоя не менее половины пазов структуры 2 заполнены жидким диэлектриком 7. Пазы, от 1/3 до 2/3, начиная от центра, выполнены вертикальными, а остальные - горизонтальными. 2 з.п. ф-лы, 1 ил. S II. / I i (Л с: со ч о ю 00