Камера для СВЧ-обработки диэлектриков Советский патент 1988 года по МПК H05B6/64 

« 8

САЭ 00 о оо (У5

Изобретение относится к устройствам СВЧ и может быть использовано для сушки и нагрева диэлектриков в микробиологической, фармацевтической, пищевой, химической и других отрас- - лях промьшшенности.

Целью изобретения является равномерная термодбработка диэлектрика с изменяющимися в широком диапазоне электрофизически параметрами.

На чертеже изображена конструкция камеры для СВЧ термообработки диэлектриков.

Камера для СВЧ-обработки диэлектри ков содержит первый волновод 1, второй волновод 2, установленный параллельно первому волноводу 1 и связанный с ним посредством широких стенок, размер узкой стенки первого волновода 1 изменяется по линейному закону., первый и второй кожухи 3 и 4 с патрубками для подвода воздуха и вывода паров установлены на первом и втором волноводах 1 и 2 соответственно. Во второй волновод 2 помещен лоток 5 с днищем 6 для размещения исследуемого диэлектрика 7, балластный поглотитель В, размещенный под днищем 6 лотка 5, в первом волноводе 1 установлен поглотитель 9 из радиопрозрачного диэлектрика, полости кожухов 3 и А сообщаются посредством перфорации, вьтолненной в широких стенках первого и второго волноводов 1 и 2, днище 6 лотка 5, поглотителе 9, балластном поглотителе 8,

Камера для СВЧ-обработки диэлектриков работает следующим образом.

В лоток 5 загружают исследуемый диэлектрик 7, СВЧ-мощность, поступающая на вход камеры от СВЧ-генератора, равномерно и полностью поглощается исследуемым диэлектриком 7. Образующиеся пары влаги выносятся потоком воздуха,, охлаждающего балластный поглотитель 8 и поступакнцего в первый кожух 3 из камеры через кожух 4, По мере нагрева исследуемого диэлектрика 7 его диэлектрические параметры изменяются, исследуемый диэлектрик 7 по- глощает часть поступающей мощности, что может привести при отсутствии ба

0

0

5 о

ластного поглотителя В к тому, что отраженная мощность может превысить предельно допустимую для СВЧ-генератора и полученное рассогласование камеры с генератором вызовет неравномерность термообработки исследуемого диэлектрика 7, Баластный поглотитель В принимает избыток мощности, прошедший через исследуемый диэлектрик 7, и нагревается. При резком изменении коэффициента потерь, вся мощность поступающая на вход камеры, теряется в баластном поглотителе В.

Предлагаемая конструкция камеры для СВЧ-обработки диэлектрика позволяет проводить равномерную термообработку материалов с изменяющимися в широком диапазоне электрофизическими параметрами, термообработку материалов с достаточно низким коэффициентом потерь.

15 зо

25 Формула изобретения

Камера для СВЧ-обработки диэлектриков, содержащая первый волновод, узкая стенка которого изменяется по линейному закону, второй волновод, установленный параллельно первому волноводу и связанный с ним посредством щироких стенок, поглотитель из радиопрозрачного диэлектрика, расположенный в первом волн.оводе, лоток с днищем для размещения исследуемого диэлектрика , установленный во втором волноводе, отличающаяся тем, что, с целью равномерной термообработки диэлектрика с изменяющимися в широком диапазоне электрофизическими параметрами, под днищем лотка размещен введенный балластный поглотитель, на первом и втором волноводах установлены введенные первый и второй кожухи соответственно с патрубками для подвода воздуха и вывода паров соответственно, полости которых сообщены посредством перфорации, выполненной в широких стенках первого и второго волноводов, днище лот

ка, поглотителе и балластном поглотителе ,

Изобретение может быть использовано в микробиологической, фармацевтической, пищевой, химической и др. отраслях промышленности. Цель изобретения - равномерная термообработка д-ка с изменяющимся в широком диапазоне электрофизическими параметрами, камера содержит волноводы (в) 1 и 2, связанные посредством широких стенок, размер узкой стенки В 1 изменяется по линейному закону, кожухи (к) 3 и 4 с патрубками для подвода воздуха и вывода паров, установленные в В 1 и 2. В волновод 2 помещен лоток 5 с днищем 6 для размещения исследуемого д-ка 7, балластный поглотитель (П) 8, размещенный под днищем 6. В волноводе 1 установлен П 9 из радиопрозрачного д-ка.Полости К 3 и 4 сообщаются посредством перфорации, выполненной в широких стенках В 1 и 2, днище 6, П 9 и 8. 1 ил. S