Светодиодный матричный плоский экран Советский патент 1988 года по МПК G09F9/33 

A:iA(noSef)nymO)

Изобретение относится к радиоэлектронике и может найти применение в телевидении и при производстве устройств отображения информации. Целью изобретения является повышение яркости излучения за счет увеличения излучающей площади све- тоизлучающих диодов и увеличения квантового выхода. Поставленная цель достигается тем, что в светодиодный матричный плоский экран, содержащий корпус 1, в котором установлены последовательно расположенные подложка 2, горизонтальные электроды 3, первая группа контактных площадок 4, светоизлучающие диоды 5 и вертикальные электроды 6, введены слой 7 жидкокристаллического вещества и вторая группа группа контактных площадок 8, расположенных на поверхности светоизлучаю- щих диодов 5, причем поверхности контактных площадок 8 второй группы устанавливают вертикальные электроды 6 заполняют жидкокристаллическим веществом промежуток между лицевой панелью корпуса 1 и поверхностью светоизлучающих диодов 5. 2 ил. с S (Л

со

00

ел

со

N3

Изобретение относится к радиоэлектронике и может найти применение в телевидении и при производстве устройств отображения информации.

Целью изобретения является повышение яркости излучения за счет увеличения излучающей площади светоизлучающих диодов и увеличения квантового выхода.

На фиг. 1 представлен светодиодный матричный плоский экран, общий вид; на фиг. 2 - то же, разрез.

Светодиодный матричный плоский экран содержит корпус 1, подложку 2, горизонтальный электрод 3, контактную площадку 4 первой группы, светоизлучающий диод 5, веркорпус I обеспечивают ступенчатое согласование показаталей преломления сред распространения излучения, большая часть излучения направляется в сторону, перпендикулярную излучающей поверхности экрана. Сканирование излучения по экрану осуществляется за счет переключения строк. По сравнению с известными устройствами светодиодный матричный экран обеспечивает более высокий квантовый выход за 10 сч,ет увеличения излучающей поверхности диодов и согласования показателей преломления сред на пути распространения излучения. Это дает возможность создать светодиодный матричный экран с большой инфортикальный электрод 6, слой 7 жидкокристал- . мационной емкостью при одинаковом допус- лического вещества, контактную площадку тимом токе через горизонтальные и верти- 8 второй группы.кальные электроды.

Для изготовления экрана могут бытьТеоретически выигрыш во внещнем кваниспользованы следующие материалы: длятовом выходе и предельной информационкорпуса 1 - стекло или акрил, для под-ной емкости можно получить в 10-20 раз.

ложки 2 - стекло или кварц, для горизон- 20 Конкретные цифры зависят от показателей тальных 3 и вертикальных 6 электродов -преломления прозрачной платы, жидкокрисNiAu, для контактных площадок 4 - A1G1, для светоизлучающих диодов 5 - GaAlAs, для контактных площадок 8 - AuZn..

Светодиодный матричный плоский экран работает следующим образом.

При подключении одного из горизонтальных электродов 3 к положительному полюсу источника питания (при размещении п- слоя светоизлучающего диода 5 со стороны

25

таллического вещества, качества выполнения омических контактов, сопротивлений горизонтальных и вертикальных электродов.

Формула изобретения

Светодиодный матричный плоский экран, содержащий корпус, в котором последовательно расположены подложка, горизонтальгоризонтальных электродов 3), а каждого о le электроды, первая группа контактных

из вертикальных электродов б через генераторы тока (на чертеже не показаны)-к отрицательному полюсу источника питания, через каждый из светоизлучающих диодов 5 этой страки протекает ток. Пропорционально веплощадок и светоизлучающие диоды, и вертикальные электроды, отличающийся тем, что, с целью повышения яркости излучения за счет увеличения излучающей площади светоизлучающих диодов и увеличеличине тока внутри р-п-переходов выбран- , ния квантового выхода, экран содержит ных светоизлучающих диодов 5 генериру-слой жидкокристаллического вещества и втоется световое излучение. За счет отражающего действия нижнего слоя светоизлучающего диода 5, обращенного к горизонтальным электродам 3, световой поток направ

рую группу контактных площадок, расположенных на поверхности светоизлучающих диодов, на поверхности второй группы контактных площадок установлены вертиляется в сторону слоя 7 жидкокристал- 40 кальные электроды, а промежуток между

лического вещества и прозрачного корпуса 1. В связи с тем, что слой 7 жидкокристаллического вещества и прозрачный

лицевой панелью корпуса и поверхностью светоизлучающих диодов заполнен слоем жидкокристаллического вещества.

корпус I обеспечивают ступенчатое согласование показаталей преломления сред распространения излучения, большая часть излучения направляется в сторону, перпендикулярную излучающей поверхности экрана. Сканирование излучения по экрану осуществляется за счет переключения строк. По сравнению с известными устройствами светодиодный матричный экран обеспечивает более высокий квантовый выход за сч,ет увеличения излучающей поверхности диодов и согласования показателей преломления сред на пути распространения излучения. Это дает возможность создать светодиодный матричный экран с большой информационной емкостью при одинаковом допус- тимом токе через горизонтальные и верти- кальные электроды.

25

таллического вещества, качества выполнения омических контактов, сопротивлений горизонтальных и вертикальных электродов.

Формула изобретения

Светодиодный матричный плоский экран, содержащий корпус, в котором последовательно расположены подложка, горизонталь о le электроды, первая группа контактных

площадок и светоизлучающие диоды, и вертикальные электроды, отличающийся тем, что, с целью повышения яркости излучения за счет увеличения излучающей площади светоизлучающих диодов и увеличе ния квантового выхода, экран содержит слой жидкокристаллического вещества и вторую группу контактных площадок, расположенных на поверхности светоизлучающих диодов, на поверхности второй группы контактных площадок установлены вертикальные электроды, а промежуток между

лицевой панелью корпуса и поверхностью светоизлучающих диодов заполнен слоем жидкокристаллического вещества.

Фиг.1