Фильтр на магнитостатических волнах Советский патент 1988 года по МПК H01P1/215 

сл

5

00 00 сл

05

|

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в системах анализа и обработки магнитоста тических волн (МСВ).

Цель изобретения увеличение в неполо сно го подавления.

На чертеже схематически показан фильтр на МСВ.

Устройство содержит входной J и выходной 2 многоштыревые преобразова- тели, диэлектрическую подложку 3, ме таллизацию 4 и ферритовую пленку 5. .

Фильтр на МСВ работает следующим образом.

СВЧ сигнал, поступающий на преоб-- разователь 1, при определенном значеНИИ внешнего постоянного магнитного поля (магнитная система не показана) преобразуется в МСВ,которая распространяется в ферритовой пленке 5 по направлению к преобразователю 2, где она вновь преобразуется в СВЧ сигнап

Формула изобретения Фильтр на магнитостатических вол HaXj содержащий .входной и выходной многоштыревые преобразователи, кото рые установлены на одной поверхности диэлектрической подложки, на другой поверхности которой расположена ме таллизация, ферритовую пленку, пере крывающую входной и выходной многоштыревые преобразователи и расположенную в постоянном магнитном поле, о тличающийся тем, что, с целью увеличения внеполосного подавления, выходной многоштыревой преобразователь выполнен наклонным, приче угол между продольными осями входног и выходного многоштыревых преобразователей равен

PN Lf arctg ---,

где Р - период многоштыревых преобразователей;W - ширина пленки; N - число штырей.

Изобретение относится к технике СВЧ. Цель изобретения увеличение внеполосного подавления. Устр-во со держит входной и выходной многоштыре- вые преобразователи (МП) 1 и 2, диэл. подложку 3, металлизацию 4, феррито- вую пленку 5. Для достижения цели МП 2 выполнен наклонным. Угол между продольными осями Ш 1 и 2 равен i/ arctg PN/W, где Р период МП; W ширина пленки; N - число штырей.1 ил.