Фильтр на магнитостатических волнах Советский патент 1988 года по МПК H01P1/215 

Изобретение относится к технике СВЧ и предназначено для частотной селекции сигналов в системах их анализа и обработки.Целью изобретения является подавление резонансов вне полосы пропускания.

На чертеже схематично изображен фильтр на магнитостатических волнах.

Фильтр на магнитостатических волнах содержит входной 1 и выходной 2 многоэлементные преобразователи злект ромагнитных волн в магнитостатические волны и обратно, ферритовую пленку 3, обе стороны которой в данном случае выполнены в виде N зубьев 4, диэлектрическую подложку 5, металлизацию 6 и электромагнит (не показан).

Фильтр на магнитостатических вол- нах работает следукяцим образом.

При подаче на входной преобразователь 1 СВЧ-сигнала в намагниченной электромагнитом ферритовой пленке 3 возбуждается поверхностная магнито- статическая волна, которая pacrtpocT- раняется в направлении выходного преобразователя 2, где она вновь преобразуется в СВЧ-сигнал.

;

Возникающие в процессе преобразования паразитные (на других частотах СВЧ-сигналов) объемные магнитостатические волны поглощаются в зубьях А. В результате осуществляется частотная селекция СВЧ-сигнала с подавлением резонансов вне полосы пропускания.

Формула изобретения Фильтр на магнитостатических волнах, содержащий входной и выходной многозлементные преобразователи электромагнитных волн в магнитостатические волны и обратно, ферритовую пленку, намагниченную в направлении, параллельном элементам преобразователей, и нанесенную на одной стороне диэлектрической подложки, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью подавления резонансов вне полосы пропускания по крайней мере одна из сторон ферритовой пленки, заключенная между входным и выходным преобразователями выполнена в виде одинаковых, выступающих, равносторонних, прилегающих один к другому N зубьев, причем угол (р при вершине зубьев и их число определяются выражениями tftir- 2 агс1в Н„/(41ГмЛ;

где Н.

N v/124H /(

- напряженность внешнего намагничивающего поля;

41ГМд -намагниченность насьпцения

ферритовой пленки; V - ширина ферритовой пленки

вне области размещения зубьев,

металлизация нанесена на другой стороне диэлектрический подложки, а входной и выходной многоэлементные преобразователи размещены на ферритовой пленке.

Изобретение относится к технике СВЧ. Цель изобретения - подавление резонансов вне полосы пропускания. Фильтр содержит входной и выходной многоэлементные преобразователи 1 и 2 электромагн. волн в магнитостатич. волны и обратно, ферритовую пленку 5, диэл. подложку 5, металлизацию 6 и электромагнит. По крайней мере одна из сторон пленки 3, заключенная между преобразователями 1 и 2, выполнена в виде одинаковых, выступающих, равносторонних, прилегающих один к др. N зубьев. Угол и при вершине зубьев и их число определяются вьфажениями ic- ике е . й и ич. / Ч 1Г - 2 arctg tg л|Нд/(4ТМ„; N w/1 2 , -4 HO / (4 Т Mji , где HQ - напряженность внешнего намагничивающего поля; 4 ir Мд - намагниченность насыщения пленки 3; W - ширина пленки 3 вне области размещения зубьев. Металлизация нанесена на др. стороне дизл. подложки 5. Преобразователи 1 и 2 размещены на пленке 3. 1 ил. « / i (Л с