Магниторезистор Советский патент 1990 года по МПК H01L43/08 

(46) 23.08.90. Бюл. № 31

(2) Q12725/2ft 25 (22) 26,12.85 (72) Б.П.Антонец

(53)621.73.82 (088.8)

(56)Вайс Г, Физика гальваномагнитных полупроводниковых приборов и их применение, J984, с. 384.

Заявка Японии W 60-57687, кл. Н 01 L 43/02, опублик. 1985.

(54)МАГНИТОРЕЗИСТОР

(57)Изобретение относится к области полупроводниковой техники, к резисторам, управляемям магнитным полем, Цел1;ю изобретения является

увеличение чувствительности магнито- резистора. Магниторезистор содержит полупроводниковую пластину, расположенную на подложке из анизотропного высококоэрцнтивного ферромагнетика. Цель изобретения - повьппение чувствительности. В ферромагнетике сформирова.на доменная структура по крайней-мере из двух доменов. Намагниченности в доменах нормальны плоскости подложки и противоположны одна другой. Пластина располагается вдоль доменов с одинаковым направлением намагниченности. 1 ил.

I

Изобретение относится к области полупроводниковой техники, к резисторам управляемым магнитным полем, и может быть использоваио при из- ,готовлении приборов, измеряющих напряженность магнитного поля, в автоматике контроля изменения величины и напряженности магнитного поля.

Целью изобретения является увеличение чуэетвительности магниторезис- тора

Изобретение поясняется чертежом, на кйтором-изображен магниторезистор

Он содержит подложку 1, полупроводниковую пластину 2с проводниковыми выводами 3,

Магниторезистор работает следунг::; пдам . образом..

Доменные структуры ферромагнитной подложки создают начальное магнитное поле в полупроводниковой пластине, увелич:ивая ее удельное сопротивление я смещая рабе,чую трчкуе При помеще-: иии магниторезистора в измеряемое магнитное поле оно приводит к. дополнительному изменению удельного срП ротивлания которое в присутствии сг.ещакщего мапштного поля существен на бользае,, чем без него а

Испальзсзакие изобретения позэо-, лит су;дественно увеличить чувствн . дальность нагнитореэнсторовJ создать датчики линейно преобразующие изменения з|егшчнны магнитного поли в изме

нения iсопротивления, существенно ухфостить схемы измерения,

« .

Формула Изобретения

1,Магниторезистор, содержащий полупроводник на подложке, содержа-- щей ферромагнитный материал, о т - личающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, подложка выполнена из анизотропного высокозрцитивного ферромагнетика, в котором сформирована доменная .структура в виде по крайней мере (Двуйг доменов с намагниченностями, перпендикулярными плоскости- подложки

и противоположными одна другой, при этом полупроводник размещен только вдоль доменов с одинаковым направлением намагниченности,

2,Магниторезистор по п..1, , о.т - личающийся тем, что он дополнительно содержит, вторую подложку, аналог ичную первой, р азмещен- ную над под у про в од ни ко вой пластиной, при .этом распределение намагниченности в доменах первой и второй подложек одинаково.

3, Магниторезистор по п, 2,0 т - Личающийся .тем, что он дополнительно содержит пластины из маг- нитомягкого материала, размещенные над полупроводниковой пластиной и под подложкой, ., .