Способ считывания потенциального рельефа Советский патент 1961 года по МПК H04N5/30 H01L31/00 

Известные способы считывания потенциального рельефа в безвакуумных передающих и запоминающих устройствах, основанные на применении упругой волны, не обеспечивают необходимой скорости считывания и требуют наличия сложных устройств для их осуществления.

В предлагаемом способе воздействием упругой волны изменяют сопротивление запорного,слоя на границе между проводящим электродом и фотополупроводником. Это позволяет достичь необходимой скорости считывания и упростить устройство.

На фотополупроводник 1 (см. чертеж) нанесены с одной стороны прозрачная металлическая пленка 2, а с другой - металлическая пленка 3, которая образует на границе между проводящим электродом и фотополупроводником запорный слой .4. Изображение, проектируемое на фотополупроводник / со стороны пленки 2, образует на примыкающей к запорному слою 4 обратной стороне фотополупроводника потенциальный рельеф, аналогично тому, как это происходит в мишени видикона.

Импульс поперечной упругой волны, создаваемый, например, специальным концентратом, распространяясь вдоль поверхности запорного слоя 4, резко повышает его проводимость и таким образом последовательно приводит в электрический контакт участки поверхности фотoпoлyпpoвoдникa / с пленкой 3. Полученный при этом видеосигнал может быть снят с любой из пленок 2, 3.

Многострочная развертка по описанному способу может быть осуществлена, в частности, с помощью отражающих устройств на краях мишени или при помощи вибрационных устройств, автоматически переключаемых в конце строк.

Описанный способ считывания потенциального рельефа может найти применение как для мишени видиконного типа, так и для создания

однострочного передающего безвакуумного устройства, которое может быть применено для целей специального или промышленного телевидения.

Предмет изобретения

Способ считывания потенциального рельефа в безвакуумных передающих и запоминающих устройствах с помощью упругой волны, огличающийся тем, что, с целью достижения необходимой, скорости считывания и упрощения устройства, воздействием упругой волны изменяют сопротивление запорного слоя на границе между проводящим электродом и фотополупроводником.