ОПТИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ Советский патент 1996 года по МПК G11C13/04 

Описание патента на изобретение SU1134020A1

Изобретение относится к области вычислительной технике, автоматического контроля и регулирования и может быть использовано для регистрации, счета и длительного запоминания оптических сигналов, дистанционного регулирования уровня затухания в электро- и радиоцепях с помощью оптических сигналов и др.

Известны [1] оптические элементы памяти на основе фоторезисторов из неоднородного полупроводника. Способность запоминать этими элементами установленный уровень их проводимости после выключения фотоактивного освещения обусловлена явлением остаточной фотопроводимости (ОФП). К недостаткам таких устройств можно отнести низкую воспроизводимость параметров в процессе изготовления и то, что они могут работать лишь при низких температурах.

Наиболее близким по технической сущности к предложенному изобретению является оптический элемент памяти, содержащий сегнетоэлектрическую подложку, на одной стороне которой размещен металлический электрод, на другой размещены два металлических электрода и расположенный между ними слой фотополупроводника, образующие пленочный фоторезистор [2] Недостатком известного [2] оптического элемента памяти является низкое быстродействие как при записи, так и при стирании информации.

Целью изобретения является повышение быстродействия оптического элемента памяти.

Поставленная цель достигается тем, что в качестве сегнетоэлектрической подложки для пленочного фоторезистора вместо керамики ЦТС используется монокристаллический ниобат бария стронция (НБС), обладающий малыми размерами доменов.

На фиг. 1 изображена структура оптического элемента памяти; на фиг.2 - схема его включения.

Оптический элемент памяти содержит сегнетоэлектрическую подложку 1 из НБС, пленку 2 широкозонного фотополупроводника, например SnO2-х, электроды 3 и 4 пленочного фоторезистора, электрод 5 для поляризации сегнетоэлектрика и стирания записанной светом информации, токовый резистор 6 для считывания записанной информации, источник света 7.

Принцип действия предложенного оптического элемента памяти состоит в следующем.

Сегнетоэлектрическая подложка 1 предварительно поляризуется установочным импульсом напряжения, поданным на электрод 5, знак которого соответствует знаку основных носителей заряда в фотополупроводнике. Этим устанавливается темновое значение проводимости пленочного фоторезистора. Под действием светового потока Фv проводимость пленки фотополупроводника 2 увеличивается до некоторого уровня, зависящего от интенсивности, длительности и спектрального состава падающего света. После прекращения действия света проводимость пленки фотополупроводника уменьшается очень незначительно (даже при комнатной и более высокой температуре) и через некоторое время достигает установившегося значения. Считывание записанной светом информации производится путем измерения падения напряжения на токовом резисторе 6, включенном последовательно с фоторезистором. Считывание является неразрушающим и может производиться периодически или непрерывно. Стирание информации (и одновременно подготовка элемента к записи следующей) производится подачей на электрод 5 установочного импульса.

Физическая сущность действия предложенного оптического элемента памяти сводится к следующему. Под воздействием установочного импульса напряжения происходит монодоменизация одноосной монокристаллической сегнетоэлектрической подложки. После прекращения его действия НБС частично деполяризуется, в нем появляются мелкие домены противоположной ориентации, на поверхности подложки возникает потенциальный рельеф. Генерированные светом неравновесные носители заряда разных знаков пространственно разделяются в полупроводнике полем потенциального рельефа подложки [2] что препятствует их рекомбинации и приводит к понижению дрейфовых барьеров [1] Благодаря этому достигается высокий уровень устойчивой ОФП. Так как размеры доменов в НБС малы, разделение носителей заряда разных знаков происходит с большой скоростью, что обусловливает высокое быстродействие записи. Для гашения ОФП (стирания информации) достаточно импульсом напряжения на электроде 5 монодоменизировать одноосный НБС, что приведет к исчезновению потенциального рельефа на поверхности подложки и рекомбинации носителей заряда в фотополупроводнике. (В известном устройстве [2] этот способ стирания информации неприменим, так как монодоменизация поликристаллической подложки невозможна). После выключения напряжения на электроде 5 в подложке вновь образуются клинообразные домены - устройство готово для записи следующего сигнала.

У изготовленного оптического элемента памяти на подложке из монокристалла НБС с использованием в качестве фотополупроводника SnO2-x длительность оптического сигнала, повышающего проводимость фоторезистора в 2 раза по сравнению с темновой, составляет 10 нс, время стирания информации равно 10 мс. В известном устройстве [2] как для записи, так и для стирания информации требовались десятки минут. Таким образом, применение в качестве подложки монокристаллического ниобата бария-стронция позволяет существенно сократить время цикла "запись-стирание информации" и, следовательно, повышает быстродействие оптического элемента памяти.

Похожие патенты SU1134020A1

название год авторы номер документа
ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ (ЕГО ВАРИАНТЫ) 1984
SU1153769A1
Экран для запоминающей электронно-лучевой трубки 1983
  • Аристархова Алевтина Анатольевна
  • Волков Степан Степанович
SU1142860A1
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ВАРИКОНД 2013
  • Аврутин Александр Давидович
  • Дразнин Виктор Давидович
  • Лаврик Галина Прохоровна
  • Марахонов Валерий Михайлович
  • Филиппова Валентина Федоровна
RU2550090C2
Элемент оптической памяти 1988
  • Ковальский Павел Николаевич
  • Кравцив Николай Михайлович
  • Медвидь Николай Андреевич
SU1617459A1
Устройство для записи и воспроизведения информации 1981
  • Алехин Владимир Александрович
  • Гусев Владимир Васильевич
  • Мягков Александр Александрович
  • Гаврилов Вячеслав Николаевич
SU996988A1
ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ 1984
  • Ильичев Э.А.
  • Маслобоев Ю.П.
  • Полторацкий Э.А.
  • Родионов А.В.
  • Слепнев Ю.В.
SU1153768A1
АССОЦИАТИВНОЕ ЧАСТОТНО-СЕЛЕКТИВНОЕ ОПТИЧЕСКОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО 1990
  • Китович В.В.
  • Самуцевич С.О.
SU1812887A1
Мишень деформографической проекционной электронно-лучевой трубки 1987
  • Кулешов Николай Борисович
  • Новоселец Михаил Кириллович
SU1497653A1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛАСТИНЕ НЕЛИНЕЙНО-ОПТИЧЕСКОГО СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА 2010
  • Шур Владимир Яковлевич
  • Батурин Иван Сергеевич
  • Ахматханов Андрей Ришатович
  • Конев Михаил Владимирович
RU2439636C1
СПОСОБ ПОЛЯРИЗАЦИИ МОНОКРИСТАЛЛА ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ 2008
  • Бирюкова Ирина Викторовна
  • Палатников Михаил Николаевич
  • Калинников Владимир Трофимович
RU2382837C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 134 020 A1

Реферат патента 1996 года ОПТИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Оптический элемент памяти, содержащий сегнетоэлектрическую подложку, на одной стороне которой размещен металлический электрод, на другой размещены два металлических электрода и расположенный между ними слой фотополупроводника, образующие пленочный фоторезистор, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, сегнетоэлектрическая подложка выполнена из монокристаллического ниобата бария-стронция.

Формула изобретения SU 1 134 020 A1

Оптический элемент памяти, содержащий сегнетоэлектрическую подложку, на одной стороне которой размещен металлический электрод, на другой размещены два металлических электрода и расположенный между ними слой фотополупроводника, образующие пленочный фоторезистор, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, сегнетоэлектрическая подложка выполнена из монокристаллического ниобата бария-стронция.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1996 года SU1134020A1

ФТП, 1973, т
Способ восстановления хромовой кислоты, в частности для получения хромовых квасцов 1921
  • Ланговой С.П.
  • Рейзнек А.Р.
SU7A1
Способ восстановления хромовой кислоты, в частности для получения хромовых квасцов 1921
  • Ланговой С.П.
  • Рейзнек А.Р.
SU7A1
Приспособление для очистки барабана шляпочных кардных машин 1924
  • Дроздов К.С.
SU1306A1
ФТП, 1978, т
Способ гальванического снятия позолоты с серебряных изделий без заметного изменения их формы 1923
  • Бердников М.И.
SU12A1
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. 1921
  • Богач Б.И.
SU3A1
ПОДОГРЕВАТЕЛЬ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ТЕПЛОТЫ ВЫХЛОПНЫХ ГАЗОВ ДЛЯ НАГРЕВА ВОДЫ 1924
  • Левенштейн И.М.
SU575A1

SU 1 134 020 A1

Авторы

Афанасьев В.П.

Кротов В.А.

Панова Я.И.

Кузьминов Ю.С.

Полозков Н.М.

Даты

1996-11-27Публикация

1982-04-07Подача