Изобретение относится к области вычислительной технике, автоматического контроля и регулирования и может быть использовано для регистрации, счета и длительного запоминания оптических сигналов, дистанционного регулирования уровня затухания в электро- и радиоцепях с помощью оптических сигналов и др.
Известны [1] оптические элементы памяти на основе фоторезисторов из неоднородного полупроводника. Способность запоминать этими элементами установленный уровень их проводимости после выключения фотоактивного освещения обусловлена явлением остаточной фотопроводимости (ОФП). К недостаткам таких устройств можно отнести низкую воспроизводимость параметров в процессе изготовления и то, что они могут работать лишь при низких температурах.
Наиболее близким по технической сущности к предложенному изобретению является оптический элемент памяти, содержащий сегнетоэлектрическую подложку, на одной стороне которой размещен металлический электрод, на другой размещены два металлических электрода и расположенный между ними слой фотополупроводника, образующие пленочный фоторезистор [2] Недостатком известного [2] оптического элемента памяти является низкое быстродействие как при записи, так и при стирании информации.
Целью изобретения является повышение быстродействия оптического элемента памяти.
Поставленная цель достигается тем, что в качестве сегнетоэлектрической подложки для пленочного фоторезистора вместо керамики ЦТС используется монокристаллический ниобат бария стронция (НБС), обладающий малыми размерами доменов.
На фиг. 1 изображена структура оптического элемента памяти; на фиг.2 - схема его включения.
Оптический элемент памяти содержит сегнетоэлектрическую подложку 1 из НБС, пленку 2 широкозонного фотополупроводника, например SnO2-х, электроды 3 и 4 пленочного фоторезистора, электрод 5 для поляризации сегнетоэлектрика и стирания записанной светом информации, токовый резистор 6 для считывания записанной информации, источник света 7.
Принцип действия предложенного оптического элемента памяти состоит в следующем.
Сегнетоэлектрическая подложка 1 предварительно поляризуется установочным импульсом напряжения, поданным на электрод 5, знак которого соответствует знаку основных носителей заряда в фотополупроводнике. Этим устанавливается темновое значение проводимости пленочного фоторезистора. Под действием светового потока Фv проводимость пленки фотополупроводника 2 увеличивается до некоторого уровня, зависящего от интенсивности, длительности и спектрального состава падающего света. После прекращения действия света проводимость пленки фотополупроводника уменьшается очень незначительно (даже при комнатной и более высокой температуре) и через некоторое время достигает установившегося значения. Считывание записанной светом информации производится путем измерения падения напряжения на токовом резисторе 6, включенном последовательно с фоторезистором. Считывание является неразрушающим и может производиться периодически или непрерывно. Стирание информации (и одновременно подготовка элемента к записи следующей) производится подачей на электрод 5 установочного импульса.
Физическая сущность действия предложенного оптического элемента памяти сводится к следующему. Под воздействием установочного импульса напряжения происходит монодоменизация одноосной монокристаллической сегнетоэлектрической подложки. После прекращения его действия НБС частично деполяризуется, в нем появляются мелкие домены противоположной ориентации, на поверхности подложки возникает потенциальный рельеф. Генерированные светом неравновесные носители заряда разных знаков пространственно разделяются в полупроводнике полем потенциального рельефа подложки [2] что препятствует их рекомбинации и приводит к понижению дрейфовых барьеров [1] Благодаря этому достигается высокий уровень устойчивой ОФП. Так как размеры доменов в НБС малы, разделение носителей заряда разных знаков происходит с большой скоростью, что обусловливает высокое быстродействие записи. Для гашения ОФП (стирания информации) достаточно импульсом напряжения на электроде 5 монодоменизировать одноосный НБС, что приведет к исчезновению потенциального рельефа на поверхности подложки и рекомбинации носителей заряда в фотополупроводнике. (В известном устройстве [2] этот способ стирания информации неприменим, так как монодоменизация поликристаллической подложки невозможна). После выключения напряжения на электроде 5 в подложке вновь образуются клинообразные домены - устройство готово для записи следующего сигнала.
У изготовленного оптического элемента памяти на подложке из монокристалла НБС с использованием в качестве фотополупроводника SnO2-x длительность оптического сигнала, повышающего проводимость фоторезистора в 2 раза по сравнению с темновой, составляет 10 нс, время стирания информации равно 10 мс. В известном устройстве [2] как для записи, так и для стирания информации требовались десятки минут. Таким образом, применение в качестве подложки монокристаллического ниобата бария-стронция позволяет существенно сократить время цикла "запись-стирание информации" и, следовательно, повышает быстродействие оптического элемента памяти.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ (ЕГО ВАРИАНТЫ) | 1984 |
|
SU1153769A1 |
Экран для запоминающей электронно-лучевой трубки | 1983 |
|
SU1142860A1 |
ОДНОЭЛЕКТРОННЫЙ МЕМРИСТОР (НАНОЯЧЕЙКА) И СПОСОБ ПРИМЕНЕНИЯ | 2023 |
|
RU2823967C1 |
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ВАРИКОНД | 2013 |
|
RU2550090C2 |
Элемент оптической памяти | 1988 |
|
SU1617459A1 |
Устройство для записи и воспроизведения информации | 1981 |
|
SU996988A1 |
ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ | 1984 |
|
SU1153768A1 |
АССОЦИАТИВНОЕ ЧАСТОТНО-СЕЛЕКТИВНОЕ ОПТИЧЕСКОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО | 1990 |
|
SU1812887A1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛАСТИНЕ НЕЛИНЕЙНО-ОПТИЧЕСКОГО СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА | 2010 |
|
RU2439636C1 |
Мишень деформографической проекционной электронно-лучевой трубки | 1987 |
|
SU1497653A1 |
Оптический элемент памяти, содержащий сегнетоэлектрическую подложку, на одной стороне которой размещен металлический электрод, на другой размещены два металлических электрода и расположенный между ними слой фотополупроводника, образующие пленочный фоторезистор, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, сегнетоэлектрическая подложка выполнена из монокристаллического ниобата бария-стронция.
Оптический элемент памяти, содержащий сегнетоэлектрическую подложку, на одной стороне которой размещен металлический электрод, на другой размещены два металлических электрода и расположенный между ними слой фотополупроводника, образующие пленочный фоторезистор, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, сегнетоэлектрическая подложка выполнена из монокристаллического ниобата бария-стронция.
ФТП, 1973, т | |||
Способ восстановления хромовой кислоты, в частности для получения хромовых квасцов | 1921 |
|
SU7A1 |
Способ восстановления хромовой кислоты, в частности для получения хромовых квасцов | 1921 |
|
SU7A1 |
Приспособление для очистки барабана шляпочных кардных машин | 1924 |
|
SU1306A1 |
ФТП, 1978, т | |||
Способ гальванического снятия позолоты с серебряных изделий без заметного изменения их формы | 1923 |
|
SU12A1 |
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. | 1921 |
|
SU3A1 |
ПОДОГРЕВАТЕЛЬ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ТЕПЛОТЫ ВЫХЛОПНЫХ ГАЗОВ ДЛЯ НАГРЕВА ВОДЫ | 1924 |
|
SU575A1 |
Авторы
Даты
1996-11-27—Публикация
1982-04-07—Подача