Способ создания металлизации интегральных схем Советский патент 1993 года по МПК H01L21/28 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для создания межсоединений больших и сверхбольших интегральных схем.

Цель изобретения - повышение надеж- ностии быстродействия интегральных схем.

Пример, На кремниевую подложку со сформированными МОП-транзисторами с поликремниевыми затворами последовательно охлаждают слой титана толщиной 1000 А и слой молибдена толщиной 500 А методом электронно-лучевого напыления в вакууме при давлении 10 ® Па. Скорость напыления титана составляет 15 А/с. Температура подложки в процессе напыления составляет 523 К.

Затем на двухслойную пленку титан-молибден методом электронно-лучевого напыления в вакууме напыляют слой кремния толщиной 1000 А. Скорость напыления кремния составляет 10 А/с.

Проводят термообработку при температуре 833 К в течение 1 ч в реакторе пониженного давления при давлении 66 Па в среде азота, При этом на участках монокремния и поликристаллического кремния образуется смесь моносилицида титана и дисилицида титана, а на областях двуокиси кремния образования силицидов не происходит.

Травление слоев кремния и молибдена проводят в плазме фторосодержащих соединений CF в течение 4 мин, при этом слой непрореагировавшего титана не травится.

Далее травят непрореагировавший в процессе термообработки слой титана. Травление проводят в смеси Каро (горячая серная кислота с перекисью водорода, соотношение H2SO-q : Н202 7:3, температура 433 К) в течение 1 мин. Слой силицида при этом не травится. Сопротивление его составляет 6 Ом/

Затем в реакторе пониженного давления осаждают при температуре 893 К слой поликристаллического кремния толщиной 1000 А. Термообработку для гомогениз,эции фазового состава и снижения сопротивле00 00

N0

о о

CJ

ния с/юл силицида проводят при температуре 1073 К в течение 10 мин в реакторе пониженного давления при давлении 66 Па в среде Ni.

После термообработки проводят плаз- мохимическое травление слоя поликристал- лического кремния в плазме фторсодержащих соединений CF в течение 2 мин селективно по отношению к слою ди- силицида титана.

Поверхностное сопротивление слоя ди- силицида на участках монокремния и поликремния составляет 1,0 Ом/п ;

Формула изобретения

Способ создания металлизации интегральных схем, включающий последовательное осаждение на подложку слоев титана и

0

5

молибдена, первую термообработку в среде азота с образованием силицида титана, удаление слоя молибдена и непрореагировав- шего с кремнием титана и вторую термообработку при температуре, превышающей температуру первой термообработки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и быстродействия интегральных схем, после нанесения слоя молибдена на него наносят первый слой кремния, после первой термообработки первый слой кремния удаляют вместе со слоем молибдена, а после удаления слоя непрореагировавшего титана на слой силицида титана наносят второй слой кремния, который удаляют после второй термообработки.

Изобретение относится к электронной технике, к способам создания межсоединений больших и сверхбольших интегральных схем. Цель изобретения - повышение надежности и быстродействия интегральных схем. Согласно изобретению на кремниевую подложку со сформированными МОП- транзисторами последовательно осаждают слои титана и молибдена. Затем напыляют слой кремния. Проводят термообработку в среде азота с образованием силицида титана. Затем удаляют слой кремния и молибдена плазмохимическим травлением. Удаляют непрореагировавший в процессе первой термообработки слой титана. Наносят второй слой кремния. Проводят вторую термообработку. После чего удаляют второй слой кремния,