Накопитель информации на магнитных вихрях Советский патент 1990 года по МПК G11C11/14 

тельной технике и может быть Исполь- зовано при разработке запоминающих устройств на магнитных вихрях (MB).

Целью изрбретеиия является повы- шение плотности записи информации и упрощения накопителя.

Сущность изобретения поясняется При помощи фиг. 1-А, на которых изоб- {ражена конструкция накопителя. Накопитель информации на MB содер- дат диэлектрическую подложку 1, на которой расположена сверхпроводящая Оленка 2, примьжающая к выступам 3 подложки. На другой стороне пленки Сформированы каналы продвижения маг- |нитных вихрей в виде канавок 4 и 5. На концах канавок толщина пленки возрастает в 1,5-2 и плавно уменьшаю- 14ейся до номинального значения на длине, разной 0,05-0,10 полной длины канавки по направлению к ее середине. MB 6 занимает позицию, соответ

нала, чем на его выходе. При этом давление в канале повышается и последний МБ вытесняется из канала, например, в устройство считывания, а все MB в канале продвигаются на один шаг,

Информация на MB в такой системе продвижения должна быть записан на каждом вихре, например, на внутренних уровнях его знергии, на особенностях геометрии МБ и т.п. В качестве примера выбран вариант записи информации за счет смещения одного из полюсов MB

поперек канала продвижения. Для этого вводят МБ в положении 3-4, считая его за О, или.в положении 3-5, соответственно считая его за 1. При дальнейщем продвижении порядок следования MB в канале сохраняется за счет выступа, в котором полюсы всех вихрей размещены последовательно и не могут меняться местами, а информация сохраняется за счет сохранения поло

Лзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминакицих , устройств на магнитных, вихрях (MB). Целью изобретения является, повышение плотности записи информации и упрощение накопителя. Накопитель информации на MB содержит диз лектрическую подложку 1, на которой расположена сверх проводящая пленка 2, примыкающая к выступам 3 подложки. На другой стороне подложки сформированы каналы продвижения магнитных вихрей в виде ка-а навок 4 и 5. Пленка 2 на концах канавок имеет в 1,5-2 раза большую толщину, плавно уменьшающуюся до номинального значения на длине, равной 0,05-0,10 полной длины канавки по направлению к ее середине. MB 6 занимает позицию, соответствующую наименьшей толщине пленки, например, мезвду выступами 3 и канавками 5, что может быть условно принято за логи- ческую единицу. Соответственно, положение МБ между выступами 3 и канавками 4 условно принято за логический ноль. В зоне утолщения пленки расположены удлиненные MB 7. Устройство ввода MB в канал, например генераторы с токовой,петлей, и устройства считывания, размещенные за выходом канала, известны. 4 ил. §

ствующую наименьшей толщине пленки, 25 .жения второго полюса каждого вихря в например, между выступами 3 и канав- той канавке, в которой он был размещен: при вводе. При выводе MB

ками 5, что может быть условно принято за логическую единицу. Соответственно, положение MB между выступами 3 и- канавками 4 условно принято За логический ноль. Удлиненные МБ 7 находятся в зоне утолщения пленки. Устройством ввода MB в канал, может генератор 8 с токовой петлей. Устройства считывания 9 размещают за йыходом канала.

Предложенный накопитель работает еяндуюш,им образом а

В начальном положении в размещен- мой на подложке сверхпроводящей яленке 2 в канале продвижения, образованном канавками 4, 5 и выступами 3j находятся MB 6 Б утолщениях плен- ,ки на концах каналов находятся удлиненные магнитные вихри 7. Энергия МБ пропорциональна ик длине. Стремление МЗ 7 уменьшить свою энергию за счет сокращения своей длины приводит к ноявлению силы. сближающей MB в канале до тех пор, пока упругое взаимное

30

35

40

45

вводе. При выводе положение его полюса может быть считано любым известным детектором, например магнитооптическим.

Диаметр МБ порядка 0,1 мкм, толщина пленки порядка 1 мкм, глубина ка- найок 20-30% толщины.пленки, пшрина канавок 0,1-0,2 мкм, расстояние между канавками 0,2-0,3 мкм , расстояние между соседними каналами 0,4-0,5 мкм расчетная плотность информации 2-10 бит/см. Длина .участков 1ше:нки с толщиной, повышенной до 1,5-2 мкм на концах каналов, составляет 0,05- 0,1 их длины, что создает энергшо упругого поджатия МБ порядка 7 - 20% полной энергии МБ.

Формула изобретения

Накопитель информации на магиитных вихрях, содержащий диэлектрическую .подложку, «а которой расположена сверхпроводящая пленка, на внешней

отталкивание вихрей в направлении ка- 0 стороне которой сформированы каналы нала продвижения не сравняется с этой продвижения магнитных вихрей в виде силой. Все МБ в канале оказываются упруго поджать ми друг к другу, заполняют канал полностью лри одинаковых

параллельно расположенных канавок« отличающийся тем, что, с целью повышения плотности записи инрасстояниях между центрами MB поряд-55 формации и упрощения накопителя, ка 10 см. Вводят в начало канала сверхпроводящая пленка на концах ка- очередной МБ 8. Упруго поджимают его навок имеет в 1,5-2 раза большую тол- к предыдущим МБ, например, за счет щину плавно уменьшающуюся до минимальмещен: при вводе. При выводе MB

вводе. При выводе положение его полюса может быть считано любым известным детектором, например магнитооптическим.

Диаметр МБ порядка 0,1 мкм, толщина пленки порядка 1 мкм, глубина ка- найок 20-30% толщины.пленки, пшрина канавок 0,1-0,2 мкм, расстояние между канавками 0,2-0,3 мкм , расстояние между соседними каналами 0,4-0,5 мкм расчетная плотность информации 2-10 бит/см. Длина .участков 1ше:нки с толщиной, повышенной до 1,5-2 мкм на концах каналов, составляет 0,05- 0,1 их длины, что создает энергшо упругого поджатия МБ порядка 7 - 20% полной энергии МБ.

Формула изобретения

Накопитель информации на магиитных вихрях, содержащий диэлектрическую подложку, «а которой расположена сверхпроводящая пленка, на внешней

стороне которой сформированы каналы продвижения магнитных вихрей в виде

стороне которой сформированы каналы продвижения магнитных вихрей в виде

параллельно расположенных канавок« отличающийся тем, что, с целью повышения плотности записи информации и упрощения накопителя, сверхпроводящая пленка на концах ка- навок имеет в 1,5-2 раза большую тол- щину плавно уменьшающуюся до минималь3141А190 .

нЬго значения на длине/ равном 0,05- выполнены выступы, расположенные па 0,10 полной длины канааки по напрев- раллельно канавкам, причем каждый лению к ее середине, а на внутренней выступ расположен между соответст- стороне диэлектрической подложки вунхцей парой смежных канавок.

-7

S 4

€риг.1

О

ff

.2

(риг.г

€риеЛ