Накопитель информации на магнитных вихрях Советский патент 1990 года по МПК G11C11/14 

|К9

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь- зонано при разработке запоминающих устройств на магнитных вихрях (МВ).

Целью изобретения является повы- Ешние плотности записи информации

в накопителе.

На фиг, 1 показан накопитель, разрез вдоль какала продвижения; на фиг. 2 - то же, разрез участка накопителя поперек канала продвижения вдоль одной из токовых шин, на фиго 3 - то же, вид в плане с винтовым каналом (токовые шины не показаны, генератор MB и детектор МБ обозначены функционально) на фиг.Д - накопитель с двумя параллельными каналами продвижения,- вид в плане,.

Накопитель информации- на MB содержит диэлектрическую подложку 1с выступами 2 на поверхности и торцах, дополнительную сверхпроводящую пленку 3, отделенную изолирующим слоем 4 от токовых шин 5, которые, в свою очередь, изолированы слоем 6 от свер проводящей пленки 7, на другой стороне которой сформированы каналы продвижения MB в виде канавок 8, расположенных перпендикулярно токовым шинам 5, Лополнительная сверхпроводящая пленка 3 гальванически связана ; сверхпроводящей пленкой 7 на тор- ( подложки,- Выступы 2 в подложке н канавки 8 в пленке 7 образуют П: нж сения толпЕИны пленки, которые :.лужаг отрезками каналов продвижения , 9, На торцах накопителя выступы 2 совмещены с концом предыдущей и качалом следующей канавок 8 и обра- общий ВИНТОВОЙ каиал со входом ,г г,ь;ходом на свободных CTopofiax нако оитвля. Поскольку выступы 2 совме- 1, канавками 8 через несколько п-йриодов образуются параллельные В::нтовые каналы продвижения, например два параллельных винтовых кана- па, как это показано на фиг. 4, Токовые шины 5 размещены поперек витков винтовых каналов и образуют вместе со слоями 4 и 6 мастные понижения толщины пленок 3 и 7, которые в канале продвижения служат точками фиксации MB.

Предложенньй накопитель работает

следукщим образом.

В канале продвижения MB, образованном выступами 2 в подложке 1 и канавками 8 в пленке 7, в местах фик

сации, образованных электроизолированными шинами 5, размещены MB 9. Они занимают часть точек фиксации,

определяя своей последовательностью

записи информации в двоичном коде,, например наличие MB - единица, отсутствие MB в точке закрепления - ноль. В пленках 3 и 7 MB находятся

в положении с противоположной полярностью и с одинаковой полярностью по отношению к системе токовых тин. При подаче в токовые шины 5 импульсов тока MB продвигаются в участках

канала пленки 7 в одну сторону, а в пленке 3 - в противоположную. На торце накопителя: каждый MB огибает крайнюю шину, меняя полярность, и начинает двигаться по следующему

отрезку витка в обратном направлении. Таким образом, все MB движутся последовательно по виткам винтового . канала, сохраняя последовательность записи информации.

Такая же система токовых шин синхронно продвигает информацию в параллельных винтовых каналах продвижения ,

Пропускание дополнительного постоянного тока по пленкам 3 и 7 вдоль токовых шин 5 способствует образова- нию дополнительной силы Лоренца вдоль витков винтового канала в направлении продвижения MB, облегчая работу

токовых шин 5.

I

Диаметр MB порядка 0,1 мкм, тол- 1тина пленок л ширина канала поряд ка 1 мкм, глубина канавок и высота выступов 20-50% толщины пленки.

Формул а,из о бр ет е ния

1, Накопитель информации на магнитных вихрях, содержащий дизлектрическую подложку и сверхпроводящую пленку, на одной стороне которой расположены изолированные от нее токовые шины, а на другой стороне сформированы канаш, продвижения маг-

нитных вихрей в виде канавок, распо- .ложенных перпендикулярно токовым шинам, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности записи информации в накопителе, он

содержит дополнительную сверхпроводящую пленку, расположенную между подложкой и токовыми шинами и изолированную от них, причем дополнительная сверхпроводящая пленка гальванически ёвяэанй со сверхпроводящей пленкой на торцах подложки, на поверхности и торцах подложки выполнены выступы размерами, соответствующими размерам канавок сверхпроводящей пленки, и совмещенные с ними.

2. Нйкопитель по п. 1, о т л и чающийся тем, что выступы ив торцах подложки совмещены с канавками сверхпроводящей пленки, располо- женныки через соответствующее число периодов следования канавок.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на магнитных вихрях (МВ). Целью изобретения является по- вьшение плотности записи информации в накопителе. Накопитель информации на МБ содержит диэлектрическую подложку 1 с выступами 2 на поверхности и торцах подложк и, дополнительную сверхпроводящу1Й пленку 3, отделенную изолирующим слоем 4 от токовых шин 5, которые в свою очередь, изолированы слоем 6 от сверхпроводящей пленки 7, на другой стороне которой сформированы каналы продвижения MB в виде канавок 8, расположенных . перпендикулярно токовым шинами 5. Дополнительная сверхпроводящая пленка 3 гальванически связана со сверхпроводящей пленкой 7 на торцах подложки. Выступы 2 в подложке 1 и канавки 8 в пленке 7 образуют понижения толщины пленки, которые служат отрезками каналов продвижения MB 9. На торцах устройства выступы 2 совмещены с концом предыдущей и началом последующей канавок 8 образуя общий винтовой канал со входом и выходом на свободных сторонах устройства. Совмещение выступов 2 с канавками 8 через несколько периодов способствует образованию винтовых параллельных каналов продвижения, например двух параллельных винтовых канала, как это показано на фмг« 4. Токовые шины 5 размещены поперек вит- ков винтовых каналов и образуют вместе со слоями 4 и 6 местные понижения толщины пленок 3 и 7, которые в-канале продвижения служат-точками фиксации MB. 1 з.п, ф-лы, 4 ил.

0-

iPut:2 V

-в 7

-г

-f

a.J

M.ff