Мощный биполярный генераторный СВЧ-транзистор Советский патент 1993 года по МПК H01L29/73 

-ч|

iNd

Изобретение относится к электрон ной технике, в частности- к конструк ции йощных биполярных гетгераторных СВЧ-транзнстЬров, /

Цельп изобретешш яэЬяется увели чение выходной мощности путем обеспе - чения равномерного распределения вьт ходкой мощности между-кристаллами,

, На фиг,1 изображен транзистор без герметизирующей крышш, вид в планеJ на фиг. - разрез А на

Мощный биполярный генераторный СВЧ транзистор изготовлен с использо ванием при создании) транзисторных структур эпитакейальных пп+ пленок кремния с удельным сопротивлением п-слоя, равным 1 Ом см, и толщиной этого слой, paBHOjR 6 мкм.

На базовом металлическом электро-« де , роль коториго выполнял фланец корпуса Транзистора смонтирован дер жатель 2 из окиси беррилия. На внут- реннем коллекторном электроде, разде ленном на четыре изолированных участ ка 3, расположенных Иа поверхности Держателя смонтированы транзисторные кристаллы А« В таких транзисторных Кристаллах дяииой по. мм содержат по четыре транзисторнь1е структуры 5. На изолированных участках внутреннего коллекторного электрода размещены также кристаллы 6 кремния, покрытые .двуокисью кремния, iB середине которых размещены блокировочные МОП -конден-. саторы 7, изолировавйие коллектор транзистора по постоянному фОку от эамыкания на базовый электрод На тех же кремниевых кристаллах, где расположены блокировочные конденса« торы с одного, края созданы ШЙ-Кок - денсаторы 8 с штощадью электрода каж дого конденсатора, равной fiW , а с другого края « тонкопленочные нихромовые резисторы 9 с сопротивлёни ем ка ясдого резистора, равным 4 Ом Четыре кристалла с МОП- ко щенсаторами и резисторами смонтированы так, что средние элементы сб ьединеиия вкяюча «от в себя последовательно включенные резисторы, а крайние элементы объедигнения - последовательно включенные конденсаторы Объединение вьшолнено с помощью объединяющих индуктийнык элементов 10 длиной не более 0,4 мм из алмминиевой ленты сечением хЗО мкм. Внутренняя цепь согласования выходного импеданса транзистора вклю чает в себя наряду с блокировочными

,

Q

i|5

0 : 5 0 .- / О 5

5

конденсаторами 7 индуктивные элемек и4 11 первого звена согласования вьг хода, индуктивные элементы 12 второ- rff звена согласования выхода, НОП- конденсаторы 13 второго звена согласования выхода и выходные индуктивные элементы 14, присоединенные к внешнему коллекторному электроду 15. Внут- . цепь согласования входного .импеданса транзистора включает в себя наряду с базовыми индуктивными элементами 16 индуктивные элементы 17 первого звена согласования входа, МОП-конденсаторы 18 первого звена согласования входа и входные индуктивные элементы 19, присоединенные к

внешнему эйиттерному электроду 20

, .

Биполярный транзистор выполняется С помощью известных технологических приемов, при этом выходная мощность транзистора повышается по сравнению с прототипом примерно в 1,4 раза

i& о р м у л. а и 3 о б р е т е н и я

I, Мощный биполярный гене ратор- ный СВЧ-транзистор, содержащий отдельные транзисторные структуры на кремниевых кристалл.ах с диэлектрическим покрытием с внутренним коллекторным электродом, раздоенным по длине.., на изолированные участки с элементами объединения этих участков, содер- йсащими резисторы, от л и ч а Р щ и й- с я тем, что, с целью повышения выходной мощности путем обеспечения равномерного распределения выходной мощности меяду Кристаллами, дополнительно введены элементы объединения содержащие конденсаторы, причем элементы объединения, содержащие резисторы, чередуются с элементами Объединения, содержащими конденсаторы, а величина емкости конденсаторов выбирается из убловия д/3 f .|, где if Нижняя граница рабочего диапазона частот, fp - чйбтота ре- эонанса Колебательного контура, об« разованного конденсатором каждого такого эпемента объединения с индуктивностью объединяемых им участков йнутреннего коллекторного перехода

2 Генератор1Шй СВЧ-транзистор по п отличающийся тем,, что конденсатор элемента объединения вьтолНен в виде МОП-конденсатора на

с. .

. :. 3 . i..,77::i4

одном крам кремниевого крнслмлла, л рлсположенного на диэлектрике, пок- резистор элемента о ъедлиения иыпол- рывлюяем кремниевый кристалл, на дру нен в виде тонкопленочного резисторл, гом краю этого кристалла.«

Изобретение относится к элекг роииой технике, в частности к конструкции мосщых биполярных генератор иых СВЧ-траняисторов, Целью иэобрете ния является увеличение выходной мост ности путем обеспечения равномерного распределения выходной мощности между кристаллами. В мощном биполярном генераторном СЕЧ-транзисторе с параллельным сложением выходной мощ-- ности отдельных транзисторных структур, с внутренним коллекторным электродом, разделенным по длине на нзоли-i рованные участки, с элементами объеди нения этих участков, содержащими резисторы, часть элементов объединения содержат конденсаторы, причем злемен- ты объединения, содержащие резисторы, чередуются с элемента и объединения, содержащими конденсаторы, а номинал конденсаторов соответствует резонансу емкости конденсаторов каждого такого элемента объединения с индуктивность объединяемых ими участков внутреннего коллекторного электрода на частоте fp,лежащей в пределах от нижней гран ицы рабочего диапазона частот f,, до «/3. 2 ил. (Л

Г9 Гв Т7 Г6 5 3 Q 7 П /7

А-А t/s.1

f3 f4

Фffг.Z