Устройство температурной компенсации уходов абсолютных значений крутизны преобразователей напряжение-ток Советский патент 1988 года по МПК H03F3/45 

f

.1 ю

00

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в ин тегральной полупроводниковой схемотехнике.

Цель изобретения - увеличение точности температурной компенсации, уменьшение тока потребления

На чертеже представлена структурная электрическая схема предлагаемого устройства.

Устройство содержит первый и второй источники 1 и 2 тока, эталонную :Проводимость 3, первый и второй пре- ;образователи 4 и 5 напряжение - ток.

Устройство работает следующим об- jpasoM.

С помощью первого источника 1 тока и эталонной проводимости 3 на инвертирующее входе первого преобразователя А напряжение - ток задается опорное напряжение иог, , причем

I,/g

эт }

(О

где I, ё,тзначение тока первого источника 1 тока; значение эталонной проводимости 3.

С помощью первого преобразователя 4 напряжение - ток это напряжение преобразуется в ток 1вых Значение поддерживается равным току 1 второго источника 2 тока цепью отрицательной обратной связи за счет управления крутизной преобразования g преобразователя 4, Тсе, вых 2 Отрицательная обратная связь организуется с помощью второго преобразователя 5, инвертирующий вход которого соединен с выходом первого преобразователя 4, а на его первый выход соединен с входом управления крутизной преобразования первого преобразователя 4о Таким образом, учитьюая.

I

вых

g. UOP можно записать §(1,/8эт) 2

(2)

или

g(g-

I,/I,.

В случае выполнения схемы температурной компенсации на полевых тран эисторах можно полагать, что крутизна g первого преобразователя 4 зависит от управляющего тока следующим образом:

g --.jK-lMnp ,

(3)

0

5

0

5

0

5

5

0

5

где

У Из (2)

постоянный коэффициент;

значение тока управления

крутизной,

следует, что предлагаемая схема обеспечивает отношение (g/g,), равное отношению токов второго 2 и первого 1 источников токов Так как первый и второй 2 источники тока согласованы между собой ( выполнены на одном кристалле с общим управлением) то их токи имеют идентичную температурную зависимость и отношение , остается постоянным При этой причине отношение также оказывается температурно независимым Остальные согласованные между собой выходы второго преобразователя 5 используются для управления крутизной g преобразования других преобразователей напряжения в ток, расположенных на одном кристалле интегральной схемы Так как отношения крутизны преобразователей мало зависят от температуры, то предлагаемая схема обеспечивает температурную компенсацию уходов и абсолютных значений крутизны

В предлагаемой схеме цепь отрицательной обратной связи с помощью второго преобразователя 5 поддерживает равенство 1вьш ч независимо от значения GQ. (Go - конечное значение крутизны преобразования второго преобразователя) Величина GQ влияет только на значение напряжения на инвертирующем входе второго преобразователя 5 Значение U, lupp/Gp ограничивается только напряжением питания E(j и может быть достаточно Q большимо Таким образом, в предлагаемой схеме конечное значение 0, практически не уменьшает точность температурной компенсации и может быть небольшим, что позволяет уменьшить режимные токи второго прврбразователя 5 и ток потребления в целом,

В известном устройстве крутизна преобразования, первого преобразователя напряжение - ток поддерживается равной эталонной проводимости Однако в ряде случаев может возникнуть необходимость получения крутизны g отличной от gjT Например, чтобы в интегральном исполнении эталонная проводимость занимала меньше площади ее значение g. желательно выбирать по возможности большим. В то же время обычно требуется, чтобы крутизна g была достаточно маленькой (напри-

мер, в фильтрах звуковых частот)о Возможность получать произвольные отношения (в/Вэт) обеспечивается предлагаемой схемой.

Таким образом, предлагаемое уст ройство обладает по сравнению с известным увеличенной точностью теь пературной компенсации и уменьшенной потребляемой мощностью ю

Формула

изобретения

Устройство температурной компенсации уходов абсолютных значений кру- тизны преобразователей напряжение - ток, содержащий эталонную проводимость, один ввод которого соединен с общей шиной, первый преобразователь напряжение - ток, второй преобразова- 2о тель напряжение - ток, имеющий п согласованных между собой выходов, инвертирующий вход которого соединен с выходом преобразователя напряжение -

ток, при этом первый выход второго преобразователя напряжение - ток соединен с входом управления крутизной преобразования первого преобразователя напряжение - ток, о т л и ч а нт- щ е е с я тем, что, с целью увеличения точности температурной компенсации, уменьшения тока потребления, введены первый и второй источники тока, размещенные на одним кристалле, первые вьдаоды которых соединены с положительной шиной источника питания, второй вывод первого источника тока соединен с другим выводом эталонной проводимости и с инвертирукщим входом первого преобразователя напряжение - ток, второй вывод второго источника тока соединен с выходом первого преобразователя напряжение - ток, причем неинвертирующие входы первого и второго преобразователей напряжение - ток соединеньт с общей шиной.

Изобретение относится к радкотех- инкео Цель изобретения - увеличение точности температурной компенсации и уменьшение тока потребления,, Устр-во содержит источники тока (ИТ) I и 2, эталонную проводимость (ЭП) 3 и преобразователи напряжение - ток ПИТ 4 и 5о С помощью ИТ I и ЭП 3 задается на инвертирующем входе ПНТ 4 опорное напряжение, которое преобразуется в выходной токо Значение этого выходного тока поддерживается равным току ИТ 2 за счет управления крутиз - ной преобразования ПНТ 4 с помощью цепи отрицательной обратной- связи, организуемой ПНТ 5о Отношения крутиз- ш ПНТ 4 и 5 мало зависят от температуры, что обеспечивает температурную компенсацию уходов и абсолютных значений крутизны. При зтом конечное значение крутизны преобразования ПНТ 5 практически не уменьшает точность температурной компенсации и Моб небольшим, что позволяет уменьшить ре- ы. мные токи ПНТ 5 и ток потребления в целом Цель достигается введением ИТ 1 и 2, размещенных на одном кристалл е, I щ; (Л