Сегнетоэлектрические монокристаллы Советский патент 1961 года по МПК C30B29/32 

Известны сегнетоэлектрические монокристаллы, изготовленные на основе титаната бария. Недостаток подобных монокристаллов состоит в том, что они имеют малую нелинейность характеристики и относительно пологую петлю гистерезиса. Это не позволяет использовать монокристаллы в качестве запоминающих устройств.

Для увеличения нелинейности характеристики и повышения прямоугольности петли гистерезиса предлагается к титанату бария добавлять 1,2% гафната бария.

Описываемые монокристаллы имеют вид плоских прозрачных треугольных пластин с длиной ребер в среднем 0,5 см. Толщина пластинок от 100 до 50 мк. Кристаллы не поглощают влаги. Петля гистерезиса кристалла отличается хорошей прямоугольностью. Насыщение наступает при напряженности поля в 5 кв1см. Кристаллы обладают высокой зависимостью диэлектрической проницаемости от величины напряженности поля. Ее максимум достигается в поле напряженностью 1 /се/си:

и превышает 10. Электропроводность кристалла составляет

Характеристики монокристалла показывают, что его можно применить в качестве элемента памяти в счетно-решающих устройствах.

Предмет изобретения

Сегнетоэлектрические монокристаллы, изготовленные на основе титаната бария, отличающиеся тем, что, с целью увеличения нелинейности характеристики и повыщения прямоугольности петли гистерезиса, к титанату бария добавляют 1,2% гафната бария. ,