СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К АРСЕНИДУ ГАЛЛИЯ п-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ Советский патент 1995 года по МПК H01L21/28 

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов на основе материалов группы А₃В₅.

Цель изобретения повышение качества надежности контактов путем снижения значения переходного сопротивления. Омические контакты изготавливают следующим образом.

Полированные пластины арсенида галлия n-типа (концентрация N 1 2 ˙ 10¹⁸ см^-3) перед нанесением контактных материалов обезжириваются и подвергаются очистке путем анодного окисления с последующей обработкой в соляной кислоте до снятия полученного окисла. Затем пластины промываются в деионизованной воде. Непосредственно после промывки осуществляется осаждение пленки палладия из 0,5%-ного водного раствора хлористого палладия при 70^оС в течение 15 с. Толщина пленки палладия, полученная в таком режиме, соответствует 1000 . На пластины с палладием, нагретые до 300^оС, напыляются пленки Ge (1000 ) и Ni (500 ) при давлении в рабочей камере установки 5 ˙ 10^-6 мм рт.ст. После напыления пластины выдерживаются в вакууме при 300^оС в течение 20 мин. Далее при необходимости на пластины осаждается пленка золота гальваническим способом в режиме, обеспечивающeм получение пленки толщиной 500 , после чего пластины подвергаются отжигу при 300^оС в течение 20 мин.

Изобретение позволяет снизить значение контактного сопротивления к арсениду галлия до одного порядка, что в итоге позволяет повысить качество контактов, их надежность.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Цель изобретения уменьшение температурных погрешностей сейсмометра. Цель достигается следующим образом. Пластина арсенида галлия n-типа проводимости очищается способом химического травления. После очистки на его поверхность из раствора осаждается слой палладия толщиной 100 После отжига структуры при 2000 300°С в инертной среде, поверх слоя палладия методом напыления последовательно наносят слои германия, никеля или алюминия. Толщина слоя германия достигает от 100 до а толщина слоя никеля или алюминия от 500 до Для изготовления вывода поверх слоя никеля или алюминия гальваническим способом осаждается слой золота.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К АРСЕНИДУ ГАЛЛИЯ n-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ, включающий химическую очистку пластины, нанесение германия и палладия, нагрев в инертной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности контактов путем снижения переходного сопротивления, на пластину после химической очистки наносят химическим путем палладий, толщиной нагревают структуру до 200 300^oС, германий наносят толщиной после чего наносят никель или алюминий, толщиной