Способ посадки растений на среднезасоленных почвах Советский патент 1989 года по МПК A01B79/02 

4

СО

о

СО

i hH l.l.ll -U-Mi.ltl UlOCDd o dKICHTCH к ro. lb

,KuMV чО ЯН. ::г. ,: ..ciUMOT. к BMHOrpaacJp- rriiv и f -i ИС1:-. /ижаи при за клалк.- ьин.огралныч и насаждении, напри к | плодовых, овишкых и цветочных. Це.и. ii (оОрегепия повышение прижи- иаемоетг: асЧ ении.

Призер. Ин чксиериментальном участке ,41 с;н Дне.;о . пм;1(Л1 почтой (содержание .,, ;..; ; S : . . ,1 и1 1 сгимый преде.. О,,-) 1 .;: г(1чС:1.4,чиия солеи) были высажены при- нитые ч1ж..| гори Рислинг ренский на Кобсре Hapiia.riox: непосредстненно ч гргд:...-iJi - iUiHMO iioMi- аод ид|)обу1); ii чсртмсмп-,0 H.;wii K-:eiiHy.o землю, наяил- лч -льри.: .11ак(М1анные углуб- 1 г. ha ни и W) с.м и л.иа.м1 i НС u .co. iciiHuH почве, в ср.сд- 4HV с предварительным вне- biii фогииса (под плангаж ) .-,. рассчигыналась но lia.iH- ч, ь иочне, н icpfni

i : м.-: . i.: .(-M. IK) заСЬП1. ,.;i,rii: H:iKl li leilHbie уГЛуПлСпИН

;,..|l;;;;l 50 CM В .H . UIC

., ;.,: и псжрьпыв .laTCKCoM

;и,;ианг 100 расгений. ..хК|1атнан. Плон ад, ншанин . у ; м J5i ii, и виде план ,-,,,.iiiiH iii fiihHi с ишчсиием :ii;i iecK;ix удобрении в ({юрме ,. ,1. 1Ъ11садку iioca.u 4;ioi4i

: ,r,l ii С 1ЖСНЦе1 ПрОг131Я)ДЯ1

,, ;1 ; 1: ,| - lUi. U i MuK J. I a.К): . к Pu; .,;; , 1 j гек нанос1пч vi на ... --si.:.. . .П|1МСК1;иание по ,i,,:,:i (iiiii,i;. кивагели с расходом на для обра.и)вания н.чен- и.гпинои (i,:: ;:i 1,0 мм. онти,:.;:, 1у4 iM 1 ЬН ОЛНеН11С TO.I,..;-:-1чса. М1Н)1ней илн 6:).11,н;ей. : м..ханической прочностью этой

iC/lllli 11 Каж.1ь.

1(1, I p:i.l СИ : ;1

гажа ip 51) г/: а

5

0

пленки при засыпке чернозема и способностью всасывающих корней растения пробивать эту пленку. Наполнение углублений (ямок) черноземом производят одновременна с высадкой посадочного материала (саженцев). Влажность почвы в латексирован- ных ямках поддерживается на уровне влажности засоленной почвы и отдельно как вариант на уровне 75 100% предельно полевой влагоемкости (11ПВ). Все другие виды работ по уходу за саженцами во всех слу чаях проводят согласно агротребований ;;.1Я местных условий. Учет приживаемости саженцев составляет соответственно вариантам :52,4,5,78 и 84%.

Тех нико экономическая эффективность | рсдлагаем()го способа составляет 117 руб/ /га и подтверждается расчетными данными, исключается глубокое внесение химических вещесп . для нейтрализации солей.

Применение предлагаемого технического ри1ги)ия при ремонте виноградников на сред- iit iacij.iCHHbix ночвах также дает высокую ф(|)(.1С; ь.

Формула изиорегения

Способ посадки растений на средне- щсолеиных почвах, включающий вспашку, ииссепие opiанических удобрений, высадку ;|(;садочг)01.; ма1ериала в подготовленные углубления и полив, отличающийся тем, что I целью гн)выщения приживаемости расгений, перед высадкой посадочного ма- ;ч гиала на впуrpt.4iHK)K) поверхность каждо- I :. углубления опрыскиванием наносят плен- 1,у из .чатекс-ч толщиной от 0,25 1,0 мм ц нано.чняют эти у|-,луб.11ения черноземом с одновременной высадкой .материала, а в процессе окоренения растений влажность ночвы в углуб.|ениях цодде1)живают на уровне 75 100% предельно полевой влагоемкости.

Изобретение относится к сельскому хозяйству, в частности к виноградарству, и может быть использовано при закладке виноградных и других насаждений, например плодовых, овощных и цветочных. Целью изобретения является повышение приживаемости растений. Перед высадкой посадочного материала на внутреннюю поверхность каждого углубления опрыскиванием наносят пленку из латекса толщиной 0,25-1,0 мм и наполняют эти углубления черноземом с одновременной высадкой материала, а в процессе окоренения растений влажность почвы в углублениях поддерживают на уровне 75 100% предельно полевой влагоемкости. Изобретение исключает глубокое внесение химических веществ для нейтрализации солей, можно применять при ремонте виноградников на среднезасоленных почвах. с (Л

I.+. |1

Кир bv;

hicT.j (.Р in . K . iiivi Изобретений и .+ Ч . I aviiR-KaH наГ) . I. 4;.) -. М.. : |я ЛИ|1,1Я иг. 1. жгори.ч. y. i I IporKi ИНН. 4