Способ определения напряжений и неоднородностей в полупроводниковых кристаллах Советский патент 1962 года по МПК G01L1/24 

В известных способах определения качества полупроводниковых кристаллов путем измерения их двойного лучепреломления не достигается высокая точность измерениГ ввиду малой чувствительности электронно-оптических преобразователе.

Предложе 1НЬ Й способ определе 1ия напряжен 1Й нсоднородиостей в полупровод 1ковых кристаллах основаи на сканировании узким пучком инфракрасного излучения сследуемого полупроводникового кристалла с одновременной траисфорл ац ей выходного усиленного сигнала в видимое излучение, регистрируел ое на обычном фотоматериале, который сканируется синхро но с иccлeдyeмы образцом. При применении предложенного способа исследование производится в широком диапазоне инфракрасного .

Эффективность способа для вь явлен я различного рода дефектов в полупроводниковых материалах подтверждается практической проверкой.

Предмет изобретения

Способ определения напряже 1ий и неоднородностей в полупроводниковых кристаллах путел измерения их двойного лучепреломления, отличаю и; и йся тел, что, с повышения чувствительности измерения, производится сканирование узким пучком инфракрасного излучения исследуемого полупроводн ;кового кристалла с одновременным преобразованием усиленного выходного сигнала в видимое излучение, регистрируемое на фотоматериале, сканируемом синхронно с исследуемым образцом.