Носитель информации для магнитного накопителя и способ его изготовления Советский патент 1989 года по МПК G11C11/14 

2

„/- /

Изобретение относится к области вычислительной техники и может .быть использовано для построения магнит- ньпс накопителей оперативных запоми- нающих устройств и управляемых оптических транспарантов.

Целью изобретения является снижение энергопотребления и упрощение (конструкции магнитного накопителя.

На чертеже изображена конструкция носителя информации.

Носитель информации содержит немагнитную подложку 1, в которой расположены монодоменные ячейки 2 памяг ти, выполненные в слое магнитоодно- осной пленки с осью легкого намагничивания, перпендикулярной поверхности пленки, причем ячейки памяти размещены в углублениях подложки. Верхняя грань 3 ячеек памяти расположена в одной плоскости с поверхностью 4 подложки.

Устройство работает следующим образом. .

Вектор намагниченности магнитоод- ноосной пленки конодоменной ячейки памяти может быть направлен либо вверх (к верхней грани ячейки),,либо вниз. Воздействуя на ячейку памяти магнитным полем соответствукицего направления, можно записать в ячейку памяти бит информации. Это состояние будет сохраняться до следующего воздействия полем. Регистрируя магнитное поле рассеяния ячейки памяти, можно счи- тать из нее записанную информацию.

Вследствие того, что эпитаксиаль- ньш слой магнитоодноосной пленки ячеек памяти выращен в углублениях подложка, в 9ТОМ слое существуют напряжения, приводящие в результате магнитострикционного эффекта к снижению магнитного поля анизотропии Нд Пороговое поле переключения Н„ ячей- ки памяти можно найти .из выражения Н„ Нд - 47Mg, где Мд - намагниченность материала ячейки. Следовательн напряжения в пленке уменьшают пороговое поле В результате для переключения ячейки памяти требуется меньше управляющее магнитное поле, т.е. уменьшается энергопотребление магнитного накопителя. Кроме того, вследствие того, что верхняя грань ячеек памяти расположена в одной плоскости с поверхностью подложки, упрощается конструкция магнитного накопителя ввиду упрощения конструкции его уп-

j

0

равляющих токопроводящих шин, а также улучшаются условия для управления переключением ячейки памяти и считывания информации, так как шины могут располагаться непосредственно над боковьми гранями ячейки памяти.

Следует отметить, что магнитоодно- осная пленка между ячейками памяти может быть йолвостью удалена, как показано на чертаже, или между ячейками она может быть оставлена в виде более тонкого слоя, чем в ячейках памяти. В последнем случае можно получить более высокий считываемый сигнал вследствие большой локализации поля рассеяния ячейки вблизи ее границы, однако увеличивается взаимное влияние соседних ячеек памяти.

Способ изготовления носителя ин-, формации для магнитного носителя зак-, лючается в следунш ем. В немагнитной подложке 1, например из гадолиний - галлиевого граната, ортофосфорной кислоты при 120 С вытравливают углубления для ячеек памяти на глубину 2,5 мкм. Защитной маской может слу- .жить пленка окиси кремния толщиной 0,6 мкм, нанесенная на подложку высокочастотным магнетронным распылением. Затем, используя изотерми ескую жид- кофазную эпитаксию, на поверхности подложки в углублениях выращивают .слой магнитоодноосной пленки, например, состава (BiYTmCa). (GeFe) щиной 5 - 7 мкм. После этого .проводят полировку эпитаксиального слоя до по- л учения плоской поверхности. Поли ров- ка может быть произведена химико-механическим способом суспензией Элп- лаз-к / с доводкой водородного показателя до значения 12 - 12,5 аммиаком водным. Измеренное поле анизотропии ячеек памяти с полностью сполирован- ным между ячейками памяти слоем маг- нитоодносной пленки составляет 230 - 240 Э.

Формула изобретения

1. Носитель информации для магнитного накопителя, содержащий иемагкит- ную подложку с расположенными на ней монодоменными ячейками памяти, выполненными в слое магнитоодноосной пленки с осью легкого намагничивания перпендикулярной подложки, отличающийся тем, что, с целью сни31458891

жения энергопотребления магнитногослоя магнитоодноосной пленки на ненакоп41теля, ячейки памяти размещены вмагнитной подложке, отличаюнемагнитной подложке в углублениях,щ и и с я тем, что, с целью снижетя

2. Носитель информации по ,1,энергопотребления и упрощения констотличающийся тем, что, срукции магнитного накопителя, перед

целью упрощения конструкции магнитно-эпитаксиальным вьграпщванием в подложго накопителя, верхние грани ячеекке вытравливают углубления, соответпамяти расположены в одной плоскости;Ствзпо1цие монодоменным ячейкам памяти, с даверхностью подложки. Q а после эпитаксиального вьфащивания

3. Способ изготовления носителя ин-проводят полировку слоя магнитоодноформации для магнитного накопителя,осной ппенки до получения плоской

включающий эпитаксиальное выращиваниеповерхности.