Носитель информации Советский патент 1991 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических управляемых транспарантах. Целью изобретения является повышение надежности работы носителя информации и его быстродействия. Носитель информации содержит области 1 слоя магнитоодноосного материала с пониженной намагниченностью насыщения (ячейки), которые окружены по периметру углублениями 2. за исключением участка ввода, где граница 3 между областями с разной намагниченностью насыщения выполнена выпуклой по направлению к центру ячейки. Между ячейками размещены две ортогональные системы 4 и 5 токопроводящих шин, отделенные друг от друга диэлектрическим слоем. Слой магнитоодноосного материала нанесен на диэлектрическую гранатовую подложку. Выполнение углублений по периметру ячейки повышает надежность работы носителя информации, так как они уменьшают возможность перемагничиванияя ячейки под воздействием доменной структуры, окружающей ячейку. При использовании магнитоодноосного материала с ортором- бической анизотропией на гранатовой подложке с ориентацией осей кристаллической решетки (210) и возможности ориентации направления максимальной скорости пере

тг

тг

ТГ

тг

мещения доменной (раницы на участке ввода из угла пересечения токопроводящих шин к центру ячейки уменьшается время

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических управляемых транспарантах.

Цель изобретения - повышение надежности работы носителя информации и его быстродействия.

На чертеже изображена констру ция носителя информации.

Носитель информации содержит области 1 слоя магнитоодноосного материала с пониженной намагниченностью нлсьмце- ния (ячейки), которые окружены пи поримеч РУ углублениями 2, за исключениемучасп- а ввода, где граница 3 между областями с разной намагниченностью насыщения полнеьа выпуклой по направлению к центра ячейки. Между ячейками рлазмещены две ортогональные системы 4 и 5 гокопрочодп щих шин, отделенные друг от друга диэлек- трическк; слсем. Ячейки могут иметь различную, например, восьмиугольную оп- му.

Магнитоодж осный материал с орто- ромбическтй анизоiропией вьлопчен из феррит-граната состава (Y, Lu, Pr, В)з х (Fe, Ga, A)sOi2 с содержанием висмута от О 5 до /. 3 атомов на формульную единицу гран г.а на гранатовой иодлож е состава, иаьримт IdaGasOi.. с ориентацией осей крметалли- аской рмиетки (210).

Hanpas i-iHue максимальной скорости продвижения доменных грант нз участке ввод, ориентирооано из угла пересечения токопроводящих шин к центру ячейки.

Области с пониженной намагниченностью насыщения можно сформировать с помощью диффуо .энного сгжигэ в присутствии кремния. Это позволяет снизить намагниченность насыщения в 3-10 раз. Углубления 2 по периметру ячеек могуг иметь глубину (0,1-1) h где h -топ щи на стоя магнитоодноосного материала, и ширину 2-10 мкм при размере ячеек 50-150 . Токопроводящи пины fv oryT быть изгитоп- лены методом фотолигогоэфии.

Работа накопителя заключается с управляемом переключении зектора намагниченности ячеек. При подаче токов в два проводника переключаетст только та ячейка, которря находитст на пересечении тих шин и ее участок в иода примыкает г этому пересечению Для переключения ячейки г

переключения ячейки, в результате повышается быстродействие носителя информации 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

противоположное состояние направление токоп изменяют на противоположное. Переключение ячейки происходит за счет прорастания домена из участка ввода,

формируемого сильным суммарным магнитным полем двух проводников, вглубь ячейки через границу 3. Идентификация состояния намагниченности ячейки может быть осуществлена с помощью эффекта Фарадея.

При наличии углублений по периметру

ячейки повышается надежность, работы носителя информации, так как уменьшает- v я возможность перемегничивания ячейки гК Д воздействием доменной структуры,

о ручающей ячейку. Кроме того, при использовании магнитоодноосного ма- ториала (Y, Lu, Pr, B)3(Fe, Ga, AI)sOi2 с орторомбической анизотропией на диэлектрической гранатоЕОй подложке с ориентацией осей кристаллической решетки (210) и ориентации направления максимальной скорост-,: перемещения доменных границ на частке ввода из у:ла пересечения токопро- подящих шин к центру ячейки уменьшается

Е ремя переключения ячейки, в результате чего повышается быстродействие носителя i нформации.

Формула изобретения

1 Носитель информации, содержащий диэлектрическую подложку с нанесенным нз нее слоем магнитоодноосного материала, в котором выполнены чередующиеся

области с разнги намагниченностью насыщения в смежных областях, а между смеж- 1,мми областями расположены две ортогональные системы токопроводящих шин, которые разделены в местах пересечения ди,злекгрическим слоем, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы носителя информации, области с меньшей намагниченностью насыщения выполнены в виде ячеек, по перимо-ру которых, кроме участка ввода, расположенного возле одного из пересечений двух токопроводящих шин, выполнены углубления, причем граница между областями с оазной намагниченностью насыщения

не участке ввода выполнена выпуклой по н- пррч.чгнию к центру ячейки.

вия носителя информации, слой маг-3. Носитель по п.1, о т л и ч а ю щ и йнитоодноосного материала выполнен с ор-55 с я тем, что, с целью повышения быстродейторомбической анизотропией, аствия носителя информации, магнитооднонаправление максимальной скорости пере-осный материал выполнен состава (Y, Lu,

мещения доменных границ на участке вводаРг, В)з(Ре, Ga, AI)sOi2. а диэлектрическая

ориентировано из угла пересечения токо подложка выполнена с ориентацией осей

проводящих шин к центру ячейки.кристаллической решетки (210).