Способ определения рекомбинационных постоянных полупроводников Советский патент 1962 года по МПК G01N21/25 

Известные способы определения рекомбинационных постоянных полупроводниковых материалов по кривой спектрального распределения фоточувствительности требуют проведения громоздких вычислении и иг дают возможности одновременно определить поверхностную рекомбинацию и диффузионную длину.

Описываемый способ дает возможность существенно упростить процесс и одновременно определить поверхностную рекомбинацию и диффузионную длину, которые находят чисто графическим путем по экспериментально снятым кривым спектрального распределения фоточувствительности в области сильного поглощения. Для определения рекомбииационных постоянных вентильных фотоэлементов измеряют спектральное распределение фототока короткого замыкания и графически находят значения рекомбинационных постоянных.

Лля пояснения описываемого способа на чертеже приведены две кривые спектрального распределения фоточувствительности, снятые для двух значений скорости поверхностной рекомбинации.

В области сильного поглощения зависимость относительной фоте .фонодимости, т. е. отнощения фотопроводи.мости Д- к числу квантов, падающих на единицу поверхности полупроводн1;кового материала и

сек /„ от величины, обратной коэффии1км1ту поглощеьпя К - , имеет линейный ха1)актер,

п-

Но наклону прямой --:- , , - ) находят ве, скорое: i:

поверхностной рекомбинации S, а по отрезкам, отсекаемым иоямии 9 146882- 2 Д-/ / А ЛI 1 ., - / -- -/ { - по осям координл --.- и г; i ;-V

ну;о длину L из формулы: , толстых образцов

л, h.,,1,1

, - для тонких ооразцов, где . и /;.;

//.,/;, у, 2

. / /

J г - /

грезки, отсскаемыр прямой / осям координат, ч rf -

олщина образца,

С целью определения рекомбинационных постоянных вентильных фотоэлементов, плоскость р-п перехода которых параллельна освещаемой поверхности, измеряют спектральное распределение фотот -ла ко;откого замыкания для двух значений S, обрабатывая поверхность фоо лемента гак, гтобы изменить S, не меняя других параметров, и ана-югичным: путем графически находят рекомбиначионные постоянные диффузионную длину неосновных носителей в верхнем слое L, и глу пину чялегания р-п перехода р по формулам:

г// 1//у(-1 г1Л1 1 /Z- rt I гt

/,, г.7--А, при р-7, - 1 и 3 - ,--J--- при рХ - 1

h,:h hjh, /гз/й., - -/I, &,

Предмет изобретения

1Способ определения рекомбипапионных постоянных полупроводкиков по кривой спектрального распределения фоточувствительности, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и одновре менного определения поверхностной рекомбинации и диффузионной длины, вычерчивают в относительных единицах экспериментально сня гые кривые спектрального распределения фоточувствительности в об

ласти сильного поглощения и по наклону прямой ---f ),где

--- о(носн:тельная фотопроводимость. & К коэффициент поглоше раня. находят величину скорости поверхностной рекомбинации, а по

,. Д- - / М отрезкам, {псекаемым прямой ---- t { , по осям координат

i,, А / ,

--- илфеделяют диффузионную длину

гл

2Способ по II I, отличающийся тем. что, с целью определе ,ния рекомбинационных постоянных вентильных фотоэлементов, изме ряют спектральное распределение фототока короткого замыкания и гра фически находят значения рекомбинационных постоянных

//, - h

//s-fJj - /, ft,

онких об

р , , опрелелягот диффузионг