Способ измерения порогов объемного оптического пробоя прозрачных материалов Советский патент 1990 года по МПК G01N17/00 

tlnq.;

tyl .N,, v.|- 4;

С -fконцентрация прозрачных неоднородностей)

гъ - параметр гауссова распределения интенсивности; h - характерный размер областиt в которой производят подсчет микрораэрушений. Далее вычисляют порог пробоя q соотношения .i

lm,-;|.

Из приведенных соотношений можно ислить С

C-()- -K.

Способ-опробован на промышленных образцах щелочно-галоидйых кристал-1 лов - хлористом натрии н хлористом калии. В экспериментах использовался импульсный TEA COз лазер с длительностью импульса примерки 1,5 икс. Радиус пятна воздействия 0,45 мм. Излучение фокуряровалось в объем образцов размерами 100x100x60 мм на глубину 40-50 мм линзой с фокусным расстоянием около 600 JMM. Требуемая точность измерения ql2%.

Полученные значения порогов пробо совпали с результатами измерений другими известными способами, но при этом время на проведение измерений было сокращено в 10 раз и использо

вались образцы размерами в Ш раз меньше тех, которые требуются при измерениях известными способами.

Формула изобретения

Способ Измерения порогов объемного оптического пробоя прозрачных материалов, заключающийся в облучении материала рерией п лазерных импульсов с интенсивностями, большими порогового значения, при этом каждый импульс из серии воздействует на разные участки исследуемого материала, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени измерений и затрат материала, измеряют значения интенсив ноет ей ,2,. ..,п каждого им- 0 пульса, подсчитывают число N микро- разрушений, появившихся в исследуемом участке материала пбсле каждого им- пульса, а порог определяют яз соот

5

ношения

25

-.

Ь,К - параметры линейной зависимости числа разрушений N от интенсивности 1} импульсов;

N Klnq+b, рассчитанные методом наименьших квадратов по измеренным значениям NI я qr

Изобретение относится к квантовой электропике и предназначено для измерения порогов объемного оптического пробоя элементов лазерных сие1 Изобретение относится к квантовой электронике и предназначено для измерения порогов объемного оптического пробоя прозрачных материалов, используемых, в частности, для изготовления элементов лазерных систем. Целью изобретения является сокращение времени измерений и затрат материала на производство измерений. В большинстве практически важных случаев оптический пробой в объеме прозрачного диэлектрика инициируется нагревом поглощающих неоднородностей. В основу метода положено существование зависимости от плотности мощности числа микроразрушепий, обусловленных поглощающими неоднородностями и появляющихся при иьтенсивностях выше пороговых. Способ осуществляют следующим образом. тем. Цель изобретения - сокращение времени измерений и затрат материала. Для этого образец облучают серией п лазерных импульсов с гауссовым распределением интенсивности с произвольными значениями интенсивности ,,... ,q п, измеряют для каждого значения q- число микрораэрушений N, появившихся после облучения, и вычисляют порог пробоя ч из соотношения , где Ь и 1C - параметры линейной зависимости N Klnq+b, рассчитанные методом наименьших квадратов. При этом при расчете q уменьшается реальное число облучений, обусловленное нестабильностью существующих источников излучения. (Л с Образец облучают серией п лазерных импульсов с гауссовым распределением интенсивности с различными произвольными значениями интенсивности Т 1., Ч h превышающими пороговую (Iх, облучая каждый раз новое место образца. Далее для каждого значения интенсивности q подсчитывают число К микроразрушений, появившихся в исследуемых областях кристалла после облучения. Результаты измерений К,- и q аппроксимируют линейной зависимостью N Klnq+b, значения параметров которой и b -fTr2Chlnq рассчитывают методом наименьших квадратов к jjHxn-txjrUxl D n xzT-7fx з ел оа to оо . К (Cx)2