Потенциальный зонд для измерения типа проводимости полупроводниковых материалов Советский патент 1962 года по МПК H01L21/66 

Описание патента на изобретение SU150176A1

Известны потенциальные зонды для измерения типа проводимости полупроводниковых материалов.

Отличительная особенность описываемого потенциального зонда состоит в том, что он выполнен в виде колусообразного металл,ического, например латунного, стерЖНЯ с полостью для жидкого газа. Потенциальный зонд такой конструкции повышает чувствительность измерения к избыточной концентрации акцепторных примесей.

На фиг. 1 схематически изображен описываемый потенциальный зонд, вид сбоку в разрезе; на фиг. 2 - схема включения потенциального зонда.

Зонд / представляет собой латунный конусообразный стержень 2 с полостью 3. При опуска.нии зонда в сосуд 4 Дюара с жидки.м азотом он через боковые отверстия в стенках заполняется жидким газом. Включается зонд по обычной схеме потенциального зонда. Через контакт зонда со слитком 5 пропускается переменный ток от источника регзлируемого напряжения.

Падение напряжения на контакте и на сопротивлении j, включенном последовательно слитку, подается соответственно на горизонтальный и вертикальный усилители электронного осциллографа 6, на экране которого наблюдается вольтамперная характеристика.

Для проведения измерения зонд опускают в сосуд Дюара, где он охлаждается в течение 20-30 сек. Затем зонд приводится в контакт со слитком. Хорошая теплопроводность контакта создает в слитке локальную область примесной проводимости, т. е. собственные носители заряда в этой области практически отсутствуют. При этом размеры охлажденной области должны .превышать диффузионную, .длину неисновн.мх носителей заряда, чтобы рекомбинационные процессы не искажали резу., га гов измерений.

Предлагаемый зонд может найти применение для контроля слигков полупроводников, например германи, 00 типу проводимости.

Предмет изобретения

Потенциальный зонд для измерения - типа проводимости полупроводниковых материалов, отличающийся тем, что, с целью повы шения чувствительности измерения к избыточной концентрации акцепторных примесей, он выполнен в виде конусообразного металлического, например латунного, стержня, снабженного полостью для жидкого газа.

Похожие патенты SU150176A1

название год авторы номер документа
Способ получения легированных монокристаллов германия п-типа 1976
  • Шаповалов В.П.
  • Соколов Е.Б.
  • Левинзон Д.И.
  • Шершель В.А.
  • Нижегородов В.И.
  • Дудник Е.П.
  • Логинова Л.В.
SU623294A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НА ОСНОВЕ GaInAsSb 2023
  • Сорокина Светлана Валерьевна
  • Хвостиков Владимир Петрович
  • Васильев Владислав Изосимович
RU2813746C1
УСТРОЙСТВО СНЯТИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ И СИСТЕМА СНЯТИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ 2013
  • Кобаяси Масахиро
  • Киши Такафуми
  • Ямасита Юитиро
RU2532578C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕНСОРА ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ 2014
  • Елин Владимир Александрович
  • Меркин Михаил Моисеевич
  • Голубков Сергей Александрович
  • Литош Любовь Григорьевна
  • Русина Вера Анатольевна
RU2575939C1
Полупроводниковый фотоэлектрический прибор 1974
  • Ханц Лемке
  • Герд Отто Мюллер
  • Эдуард Шнюрер
SU652629A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ПОЛУПРОЗРАЧНОГО ФОТОКАТОДА 2014
  • Андреев Андрей Юрьевич
  • Мармалюк Александр Анатольевич
  • Падалица Анатолий Алексеевич
  • Телегин Константин Юрьевич
  • Терехов Александр Сергеевич
RU2569042C1
ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИК-ОБЛАСТИ СПЕКТРА 1992
  • Иванов Владислав Георгиевич
  • Сухенко Татьяна Викторовна
RU2069922C1
ГЕТЕРОСТРУКТУРА ДЛЯ ПОЛУПРОЗРАЧНОГО ФОТОКАТОДА 2014
  • Андреев Андрей Юрьевич
  • Мармалюк Александр Анатольевич
  • Падалица Анатолий Алексеевич
  • Телегин Константин Юрьевич
  • Терехов Александр Сергеевич
RU2569041C1
МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ИК-ПРИЕМНИК НА ГОРЯЧИХ НОСИТЕЛЯХ С ДЛИННОВОЛНОВОЙ ГРАНИЦЕЙ 0,2 ЭВ 1993
  • Рязанцев И.А.
  • Двуреченский А.В.
RU2065228C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НА ОСНОВЕ GaInAsSb 2023
  • Васильев Владислав Изосимович
  • Сорокина Светлана Валерьевна
  • Хвостиков Владимир Петрович
RU2805140C1

Иллюстрации к изобретению SU 150 176 A1

Реферат патента 1962 года Потенциальный зонд для измерения типа проводимости полупроводниковых материалов

Формула изобретения SU 150 176 A1

,

SU 150 176 A1

Авторы

Левинзон Д.И.

Даты

1962-01-01Публикация

1961-07-07Подача