Аттенюатор Советский патент 1989 года по МПК H01P1/22 

3151

Изобретение относится к 7 ехникё СВЧ и может использоваться в приемепередающей аппаратуре.

Целью изобретения является увели- чение величины максимального затухания.

На фиг,1 - 3 представлены модификации аттенюатора.

Аттенюатор содержит диэлектричес- кий волновод 1, на одной стороне которого сформирован полупроводнике вьй слой 2 с управляемой концентрацией свободных носителей заряда, а параллельно его продольной оси рас- положена диэлектрическая пластина 3. Управление концен1рацией свободных носителей осуществляется элементом управления, в качестве которого может быть использован источник 4 све- та И.ПИ источник 5 напряжения, В последнем случае на полупроводниковый слей 2 наносятся параллельные металлические полосы 6, между которыми сфорГ Шрована р - i - п-структура,

Коэффициент замедления v диэлектрической пластины 3 выбирается из условия v, , гдеу,, коэффициенты замедления диэлектрического волновода 1, соответ- ствующие минимальной и максимальной концентрациям носителей в полупровед 1-шковом слое 2.

Аттенюатор работает следующим образом.

По диэлектрическому волноводу 1 распространяется волна. При малой концентрации свободных носителей в полупроводниковом слое 2 коэффи1.иент замедления диэлектрического волновод 1 больше коэффициента замедления диэлектрической пластины 3 и поле волны концентрируется внутри диэлектрического волновода 1. При увеличении концентрации свободных носитзлей зарядов в полупроводниковом слое 2 под действием источника 4 или 5 полупроводниковый слой 2 становится вначале подобен диэлектрику с потерями и за- тухание в диэлектрическом волноводе 1 увеличивается, затем с увеличением концентрации носителей полупроводниковый слой 2 ведет себя сак металл, При этом коэффициент замедления ди- электрического волновода 1 становитс меньше коэффициента замедления .диэлектрической пластины 3 и волна вытекает в нее.

В случае использования источника 5 напряжения расстояние между металлическими полосами 6, расположенными перпендикулярно продольной еси диэлектрического волновода 1 , должно быть меньше половины длины волны в нем,

В качестве полупроводникового сло 2 может быть использован кремний, ко торьй становится подобен металлу при концентрации свободных носителей зарядов см

Для кремния -данную .концентрацию можно получить на полу.проводниковом слов -2 при плотности АЮЩНОСТИ светового потока 5-50 мВт/см .

Минимальная концентрация свободных носителей зарядов в кремнии 10 - 10 см

.3

Формула изобретения

1,Аттенюатор,, содержащий диэлектрический волно.вод; на одной стороне которого сформирован полупроводниковый слой с управляемой концентрацией свободных носителей зарядов, и элемент управления, отличающий- с я тем, что, с целью увеличения величины максимального затухания, в него введена диэлектрическая пластина, которая установлена параллельно пре- f oльнoй оси диэлектрического волновода,, причем коэффициент замедления волны диэлектрической пластины v 7 выбран из условия v . где v. - коэффициент замедления

.диэлектрического волновода, соответ- ствующшЧ минимальной концентрации носителей в полупроводниковом слое, V . - коэффициент замедления ди с К

электрического волновода, соответствующий максимальной концентрации носителей в полупроводниковом слое.

2,Аттенюатор по п.1, отличающийся тем, что диэлектрический волновод выполнен из собственного полупроводника.

3,Аттенюатор по пп.1 и 2, отличающийся тем, что на полупроводниковом слое выполнены металлические полосы, между которыми сформирована структура на р - i - п- диоде.

Фиг.з

Составитель СоЛютаев Редактор А.Шандор Техред м.Дидык Корректор м.Самборская

J

Фиг.з

в Корр

Изобретение относится к технике СВЧ и может использоваться в приемопередающей аппаратуре. Цель изобретения - увеличение величины максимального затухания. Аттенюатор содержит диэлектрический волновод 1, на одной стороне которого сформирован полупроводниковый слой 2 с управляемой концентрацией свободных носителей заряда, и элемент управления, в качестве которого может быть использован источник 4 света. Для достижения цели введена диэлектрическая пластина 3, установленная параллельно продольной оси волновода 1. Коэффициент замедления V_N пластины 3 выбирается из условия V_мин*98V_N*98V_макс,где V_мин, V_макс -коэффициенты замедления волновода 1 соотв. мин. и максим. концентрациям носителей в слое 2. В качестве слоя 2 может быть использован кремний, который становится подобен металлу при концентрации свободных носителей зарядов 10¹⁶-10¹⁷ см^-3. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Заказ 6092/53

Тираж 616

ВНИИПИ, Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская.наб., д. 4/5

Подписное