Изобретение относится к конструкции твердотельного устройства бегущей волны, предназначенного для усиления или генерации электромагнитных волн миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов.
Известно твердотельное устройство бегущей волны [1] являющееся аналогом лампы бегущей волны. Оно содержит полупроводниковый токопроводящий слой, в котором создается дрейф электронов, и замедляющую структуру в виде меандра или встречно-штыревых электродов, отделенную от полупроводникового токопроводящего слоя тонким слоем диэлектрика. Размеры замедляющей структуры выбраны такими, чтобы распространяющаяся по ней замедленная электромагнитная волна имела фазовую скорость, сравнимую со скоростью дрейфа электронов в полупроводниковом слое. При этом происходит взаимодействие электронов с замедленной электромагнитной волной и усиление последней.
Рабочий диапазон частот такого устройства не превышает нескольких гигагерц. Это ограничение по частоте связано с сильным затуханием электромагнитных волн более высоких частот в указанных замедляющих структурах с малым периодом, необходимым для большого замедления волны.
Известно также твердотельное устройство для усиления и генерации микроволнового излучения [2] основанное на взаимодействии электронов в полупроводнике и электромагнитной волны, распространяющейся по замедленной структуре, которое может работать в более высокочастотном диапазоне. Оно содержит слой полупроводника с отрицательной дифференциальной проводимостью и многоэлементную замедляющую структуру.
При подаче на электроды, находящиеся в контакте со слоем полупроводника, напряжения, превышающего некоторое пороговое значение, в полупроводниковом слое возникает отрицательная дифференциальная проводимость. Параметры полупроводникового слоя и замедляющей структуры выбираются такими, чтобы препятствовать образованию доменов в полупроводнике. Указанный процесс приводит к усилению электромагнитной волны, распространяющейся по замедляющей структуре.
В данном устройстве не требуется выполнение условия синхронизма между скоростью дрейфа электронов в полупроводнике и фазовой скоростью электромагнитной волны в замедляющей структуре, ограничивающего верхнюю границу частотного диапазона предыдущей конструкции. Однако такие устройства принципиально работают при очень больших напряженностях электрического поля в слое полупроводника, что приводит к увеличению коэффициента шума.
Наиболее близким к предложенному является твердотельное устройство бегущей волны [3] включающее диэлектрический слой, полупроводниковый токопроводящий слой с двумя электродами, расположенными на его противоположных концах, и многоэлементную периодическую структуру с периодом элементов, выбранным из условия
ve K( ω/2π )L, где ve cкорость электронов в полупроводниковом токопроводящем слое, см/c;
K > 1;
ω угловая частота электромагнитной волны, распространяющейся в устройстве, Гц;
L период элементов структуры, см.
Многоэлементная периодическая структура представляет собой систему канавок, вытравленных непосредственно на поверхности полупроводникового токопроводящего слоя, и способствует генерации в нем пространственных гармоник электромагнитной волны, распространяющейся в устройстве. Электроны, дрейфующие в полупроводниковом токопроводящем слое, группируются в поле электромагнитной волны. При установлении скорости дрейфа электронов несколько выше фазовой скорости первой пространственной гармоники электромагнитной волны происходит обмен энергией между ними и соответственно наблюдается усиление электромагнитной волны.
В известном устройстве не достигается эффективное взаимодействие дрейфующих электронов с электромагнитной волной вследствие того, что в полупроводниковом токопроводящем слое создается постоянный пространственно-периодический потенциал, обусловленный системой канавок на поверхности этого слоя и препятствующий группировке электронов в поле электромагнитной волны. Поэтому данная конструкция не обеспечивает эффективного усиления.
Технический результат, достигаемый при использовании предложенного устройства, состоит в исключении возникновения постоянного периодического потенциала в области дрейфа электронов, благодаря чему обеспечивается эффективное взаимодействие электронов с первой пространственной гармоникой электромагнитной волны.
Для этого в предложенном устройстве полупроводниковый токопроводящий слой выполнен одинаковым по толщине, многоэлементная периодическая структура сформирована на поверхности этого слоя, а ее элементы выполнены из диэлектрика. Упомянутые элементы могут быть выполнены в виде полосок, ориентированных так, что их продольные оси перпендикулярны направлению распространения электромагнитной волны в устройстве.
В другом варианте полупроводниковый токопроводящий слой выполнен одинаковым по толщине, а между этим слоем и многоэлементной периодической структурой сформирован изолирующий слой. Элементы упомянутой структуры могут быть выполнены в виде канавок на поверхности изолирующего слоя, противоположной по отношению к полупроводниковому токопроводящему слою, ориентированных так, что их продольные оси перпендикулярны направлению распространения электромагнитной волны в устройстве. Наряду с этим из технологических соображений элементы упомянутой структуры могут быть выполнены из материала, отличающегося по составу от материала изолирующего слоя, и расположены на поверхности этого слоя. При этом элементы периодической структуры могут быть выполнены в виде полосок указанного материала, ориентированных так, что их продольные оси перпендикулярны направлению распространения электромагнитной волны в устройстве. Когда диэлектрический слой выполнен из полуизолирующего полупроводника, элементы периодической структуры представляют собой дискретные легированные участки поверхности этого слоя, изолирующий слой сформирован на поверхности полуизолирующего полупроводника с легированными участками, а полупроводниковый токопроводящий слой сформирован на поверхности изолирующего. При этом легированные участки могут иметь форму полосок, ориентированных так, что их продольные оси перпендикулярны направлению распространения электромагнитной волны в устройстве.
В предложенном устройстве в отличие от известного электроны распространяются в пространственно однородном полупроводниковом токопроводящем слое, а многоэлементная периодическая структура, необходимая для генерации пространственных гармоник электромагнитной волны, выполнена из диэлектрика или из любого материала, но в последнем случае она изолирована от полупроводникового токопроводящего слоя. Благодаря этому в последнем не возникает постоянный периодический потенциал, препятствующий группировке электронов в поле электромагнитной волны, распространяющейся в устройстве. Тем самым обеспечиваются условия эффективного взаимодействия электронов с этой волной.
На фиг.1-5 изображены различные варианты выполнения предложенного устройства.
Устройство представляет собой твердотельную волноведущую структуру 1 (фиг.1) для передачи по ней электромагнитной волны. Волноведущая структура 1 содержит диэлектрический слой 2, расположенный на его поверхности полупроводниковый токопроводящий слой 3, имеющий одинаковую толщину по всей длине, и многоэлементную периодическую структуру 4, сформированную на поверхности полупроводникового токопроводящего слоя 3. Элементы этой структуры выполнены из диэлектрика и имеют форму полосок (фиг.2), ориентированных так, что их продольные оси перпендикулярны направлению распространения электромагнитной волны в волноведущей структуре (показано стрелкой на фиг.1). На противоположных концах полупроводникового токопроводящего слоя 3 расположены два электрода 5, подключаемые при работе к источнику 6 постоянного тока. Вход устройства соединяется с источником 7 усиливаемой электромагнитной волны, выход с нагрузкой 8, в которой используется усиленная волна. Волноведущая структура 1 может быть выполнена, например, из таких известных материалов, как полупроводники типа A3B5 (GaAs, InP, InSb), кремний и т.д. При этом диэлектрический слой 2 выполняется из полуизолирующего полупроводника, например из нелегированного GaAs. Полупроводниковый токопроводящий слой 3 изготавливается эпитаксиальным методом из легированного полупроводника, например GaAs c концентрацией носителей заряда ≈ 1014-1017 см-3. Элементы периодической структуры 4 могут быть выполнены из любого диэлектрика, например нелегированного GaAs, SiO2, Al2O3 и т.п. Для изготовления такой периодической структуры могут использоваться известные методы голографической литографии в сочетании с ионным или фотостимулированным химическим травлением.
Устройство, показанное на фиг.3-5, отличаются от устройства на фиг.1 наличием изолирующего слоя 9 между полупроводниковым токопроводящим слоем 3 и многоэлементной периодической структурой 4. Элементы этой структуры 4 могут быть выполнены в виде канавок, сформированных на поверхности изолирующего слоя 9, противолежащей по отношению к полупроводниковому токопроводящему слою 3 (фиг. 3). При этом канавки ориентированы так, что их продольные оси перпендикулярны направлению распространения электромагнитной волны в волноведущей структуре. Изолирующий слой 9 изготавливается из диэлектрического материала, например нелегированного GaAs, SiO2, Al2O3 и т.п.
Устройство, изображенное на фиг.4, отличается от показанного на фиг.3 тем, что элементы периодической структуры 4 выполнены из материала, отличающегося по составу от материала изолирующего слоя 9, и расположены на поверхности этого слоя. В качестве материала изолирующего слоя 9 может быть использован любой диэлектрик, а в качестве материала для формирования элементов периодической структуры 4 можно использовать диэлектрик, металл или полупроводник. Конкретные составы материалов для изготовления слоя 9 и элементов структуры 4 выбирают такими, чтобы травитель, используемый при формировании элементов, был инертен по отношению к материалу слоя 9. В частности, изолирующий слой 9 может быть изготовлен из нелегированного GaAs (аналогично слою 2), а элементы структуры 4 из Ga1-xAlxAs (x0,4). Форма элементов структуры 4 в простейшем случае имеет вид полосок, продольные оси которых перпендикулярны направлению распространения электромагнитной волны в волноведущей структуре.
В конструкции, изображенной на фиг.5, элементы периодической структуры 4 представляют собой дискретные легированные участки поверхности полуизолирующего полупроводника, из которого выполнен слой 2. При этом изолирующий слой 9 нанесен на поверхность слоя 2 полуизолирующего полупроводника с легированными участками, а полупроводниковый токопроводящий слой 3 расположен на поверхности изолирующего слоя 9.
Принцип работы предложенного устройства основан на взаимодействии электронов, распространяющихся в полупроводниковом токопроводящем слое 3 с заданной скоростью vе, определяемой величиной напряжения смещения на электродах 5, с первой пространственной гармоникой электромагнитной волны, поступающей от источника 7 в волноведущую структуру 1. При распространении в такой структуре электромагнитной волны с угловой частотой ω на многоэлементной периодической структуре 4 генерируется бесконечный набор пространственных гармоник с фазовыми скоростями
v= ω/(βo+ ·m), m 0, ± 1, ± 2, ± 3. где β0 постоянная распространения невозмущенного волновода (основной гармоники); m номер пространственной гармоники, L пространственный период элементов периодической структуры.
Для обеспечения эффективного обмена энергией между дрейфующими электронами и первой пространственной гармоникой электромагнитной волны необходимо, чтобы дрейфовая скорость электронов была несколько выше фазовой скорости первой гармоники волны, т. е. должно выполняться условие ve vf1≅ ve, где ve дрейфовая скорость электронов; vf1 фазовая скорость первой пространственной гармоники волны.
Учитывая, что максимальная дрейфовая скорость электронов в полупроводниках составляет величину порядка 107 см/с, очевидно, что для электромагнитной волны миллиметрового диапазона ( ω ≈ 1010-1011 Гц) период L должен составить величину порядка 1 мкм и меньше. Отсюда следует, что ·m ≫ βo и, следовательно, для первой пространственной гармоники v= ·L.
В общем случае соотношение между дрейфовой скоростью электронов в полупроводниковом токопроводящем слое 3 и фазовой скоростью первой пространственной гармоники электромагнитной волны, при котором имеет место усиление, можно представить в виде
ve K(ω/2π ) L, где К > 1. Усиление достигается в некотором диапазоне частот, однако имеется длина волны, на которой усиление максимально. Поэтому, изменяя дрейфовую скорость электронов регулированием напряжения источника 6 тока, можно изменять длину волны, на которой достигается максимальное усиление, или изменять коэффициент усиления на фиксированной длине волны.
Амплитуда первой пространственной гармоники спадает вглубь волноведущей структуры 1 со скоростью ≈ exp(- ·y), где у расстояние от верхней поверхности многоэлементной периодической структуры 4. Из условия уменьшения амплитуды в е раз толщина активной области устройства бегущей волны, т.е. суммарная толщина элементов периодической структуры 4, полупроводникового токопроводящего слоя 3 и изолирующего слоя 9 при его наличии, должна составлять величину порядка t≈ L/2π При этом величина периода L при рабочей частоте устройства 70-80 ГГц составляет L ≈ 1 мкм, толщина полупроводникового слоя 3 десятые доли микрона, элементов периодической структуры 4 порядка 700-1000 , изолирующего слоя 9 порядка 100-200. Указанная величина t суммарной толщины активной области обеспечивает концентрацию основной части энергии первой пространственной гармоники в области полупроводникового токопроводящего слоя 3, благодаря чему достигается эффективное взаимодействие электронов с полем этой гармоники. Электрическое поле смещения в слое 3 предложенного устройства в отличие от прототипа однородно, поэтому электроны под действием тянущего поля ueдвижутся с постоянной скоростью. Это позволяет им группироваться в поле бегущей волны и за счет торможения передавать часть своей кинетической энергии электромагнитной волне. Усиленная электромагнитная волна поступает в нагрузку 8.
Предложенное устройство может работать в качестве как усилителя, так и генератора электромагнитной волны. В последнем случае в устройство должна быть введена или внешняя положительная обратная связь выхода с входом устройства, или взаимодействие электронов должно осуществляться с минус первой пространственной гармоникой, для чего результирующая электромагнитная волна должна распространяться в направлении, противоположном направлению распространения электронов в слое 3.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ТВЕРДОТЕЛЬНЫЙ МАЗЕР НА ЭЛЕКТРОНАХ ПРОВОДИМОСТИ | 2007 |
|
RU2351045C1 |
ГАЗОНАПОЛНЕННЫЙ ВОЛНОВОД | 1993 |
|
RU2084057C1 |
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 1980 |
|
SU822705A1 |
ОРОТРОН | 2000 |
|
RU2266586C2 |
СПОСОБ ОДНОПУНКТОВОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ МЕСТОПОЛОЖЕНИЯ ГРОЗ | 2001 |
|
RU2212685C2 |
ФОТОДЕТЕКТОР | 1991 |
|
SU1797418A1 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ И ГЕТЕРОСТРУКТУР | 1991 |
|
RU2028697C1 |
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР | 2015 |
|
RU2622600C2 |
ОРОТРОН | 2004 |
|
RU2274922C1 |
ОПТИЧЕСКИЙ ТРАНЗИСТОР | 1991 |
|
RU2024899C1 |
Использование: в радиотехнике, в частности в конструкции твердотельных устройств бегущей волны, предназначенных для усиления или генерации электромагнитных волн миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов. Сущность изобретения: твердотельное устройство бегущей волны содержит волноведущую структуру, состоящую из диэлектрического слоя, токопроводящего полупроводникового слоя с двумя электродами на его противоположных краях и многоэлементной периодической структуры. Токопроводящий слой выполнен одинаковой толщины, многоэлементная периодическая структура сформирована на поверхности токопроводящего слоя, а ее элементы выполнены из диэлектрического материала. В другом варианте между токопроводящим полупроводниковым слоем и многоэлементной структурой сформирован изолирующий слой, элементы периодической структуры выполнены из материала, отличающегося по составу от материала изолирующего слоя. Элементы периодической структуры могут быть выполнены в виде полосок, ориентированных так, что их продольные оси перпендикулярны направлению распространения электромагнитной волны в устройстве. 7 з.п. ф-лы, 5 ил.
ve= k(ω/2π)L ,
где ve скорость электронов в токопроводящем полупроводниковом слое, см/с;
ω угловая частота электромагнитной волны, распространяющейся в устройстве, Гц;
K > 1;
L период, см,
отличающееся тем, что токопроводящий полупроводниковый слой выполнен одинаковым по толщине, многоэлементная периодическая структура сформирована на поверхности токопроводящего полупроводникового слоя, а ее элементы выполнены из диэлектрического материала.
ve= k(ω/2π)L ,
где Ve скорость электронов в токопроводящем полупроводниковом слое, см/с;
ω угловая частота электромагнитной волны, распространяющейся в устройстве, Гц;
K > 1;
L период, см,
отличающееся тем, что токопроводящий полупроводниковый слой выполнен одинаковым по толщине, а между токопроводящим полупроводниковым слоем и многоэлементной периодической структурой сформирован изолирующий слой.
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. | 1921 |
|
SU3A1 |
Патент США N 3835407, кл | |||
Катодная трубка Брауна | 1922 |
|
SU330A1 |
Авторы
Даты
1995-06-19—Публикация
1992-06-04—Подача