ел
сд
Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в теле и радиоприемных устройствах.
Цель изобретения - повышение стабильности и уменьшение нелинейных искажений.
На фяг.1 приведена структурная электрическая схема детектора амгши- тудно- или частотно-модулированных сигналов; на фиг.2 - амплитудно-частотная характеристика детектора; на фиг.З - вариант выполнения детекто ра амплитудно- или частотно-модулированных сигналов.
Детйктор амплитудно- или частотно- модулированных сигналов содержит первый - третий транзисторы 1-3, первый шестой резисторы 4-9, первый - шестой конденсаторы 10-15, катушку 16 индуктивности.
Детектор амплитудно- или частотно- модулированных сигналов работает следующим образом.
Входной сигнал усиливается буффер- HbiM усилителем, выполненным на транзисторе 1 по схеме с общим эмиттером, исключающим влияние реактивных цепей источника сигнала на характеристику реактивного двухполюсника, состоящего из четвертого и пятого конденсато- роэ, и катушки 16 индуктивности, и подводится к базе второго транзистора 2 через разделительный конденсатор, пропускающий сигналы в широко й полосе частот и к базе третьего транзистора 3 через реактивный двухполюсник, обладающий частотами последовательного и параллельного резонанса в районе частот, подлежащих частотному детектированию. Сигналы в широкой полосе несущих частот детектируются вторым транзистором 2 и интегрируются (фильтруются) третьим конденсатором 12 в относительно узкой полосе звуковых частот. Сигналы в полосе прО пускания реактивного двухполюсника распределяются по уровням в соответствии с его частотной характеристикой, причем происходит преобразование частотной модуляции в амплитудно-частотную и детектирование амплитудной модуляции с помощью третьего транзистора 3 с типом проводимости, обратным проводимости второго транзистора 2. Выходное напряжение постоянного тока и звуковых частот с эмиттера второго транзистора 2 через четвертый резистор 7 подводится
0
5
0
5
0
5
0
5
0
5
к базе третьего транзистора 3, где оно алгебраически складывается (вычитается) с напряжением, продетек- тироваиным этим транзистором. Равенство продетектированных напряжений на средней частоте f обеспечивает получение условного нуля выходного напряжения устройства и его стабильность при изменении на входе уровня частотно-модулированного (ЧМ) сигнала. Это обстоятельство обеспечивает приведенную на фиг.2 амплитудно- частотную характеристику (АЧХ). Отсутствие (малый уровень) напряжения сигнала на базе третьего транзистора 3 в области низких частот ЛЧХ из-за влияния импеданса реактивного двухполюсника позволяет детектировать амплитудно-модулированные (AM) сигналы без компенсации их вторым детектором на третьем транзисторе 3. Наоборот, эффект компенсации AM вторым детектором на втором транзисторе в частотной области ЧМ сигналов создает эффект ограничения амплитудной модуляции без специального ограничителя. Продукт детектирования АН или ЧМ сигналов появляется на выходе детектора AM или ЧМ сигналов в зависимости от их наличия без каких-либо изменений режима работы второго 2 и третьего 3 транзисторов. На выходе, при этом, кроме сигналов звуковой частоты присутствует напряжение, пропорциональное уровню входного напряжения AM сигналов или пропорциональное расстройке относительно fg несущей частоты ЧМ сигналов, причем оба напряжения термокомпенси- рованные. В первом случае оно может быть использовано для цепей автоматической регулировки усиления (АРУ), во втором - для целей автоматической подстройки частоты (АПЧ).Уровень начального выходного напряжения (без входного сигнала) задается уровнем входного опорного напряжения U on (фиг.1).
В некоторых случаях небольшое изменение не является существенным, требуется только, чтобы U точно равнялось в том числе при температурных изменениях Ugn. Это обстоятельство позволяет в каче- I стве источника опорного напряжения iприменить выходное напряжение первого транзистора 1 буфферного усилителя, охваченного по постоянному току
515
глубокой отрицательной обратной связью. Такая модификация схемы приведена на фиг.З. В ней, по сравнению с фиг,1, второй вывод третьего резистора 6 подсоединен к коллектору первого транзистора 1. Напряжение с коллектора первого транзистора в этом случае может быть подведено к другим внешним каскадам для стабили- зации их режимов.
Формула изобретения
1.Детектор амплитудно- или частотно-модулированных сигналов, содержа- щий первый, второй и третий транзисторы, первый резистор, включенный между коллектором и базой первого транзистора, второй резистор, а также третий и четвертый ре зисторы, пер- вые выводы которых соединены с базами второго и третьего транзисторов соответственно, пятый резистор. Включенный между эмиттером второго транзистора и общей шиной, шестой резистор, включенный между эмиттером третьего транзистора и вьшодом источника питания, первый и второй конденсаторы, первые выводы которых соединены с базами первого и второго тран- зисторов соответственно, третий и четвертый конденсаторы и включенные параллельно четвертому конденсатору последовательно соединенные катушка индуктивности и пятый конденсатор, шестой конденсатор, первый вывод которого соединен с обшей шиной, при
15и
этом третий транзистор имеет проводимость, противоположную проводимости первого и второго транзисторов, отличающийся тем, что, с целью повьш1ения стабильности и уменьшения нелинейных искажений, эмиттер первого транзистора и коллектор третьего транзистора соединены с общей шиной, коллектор второго транзистора подключен к выводу источника питания, второй резистор включен между выводом источника питания и коллектором-первого транзистора, к которому подключен второй вывод второго конденсатора, третий конденсатор включен между выводом источника питания и эмиттером второго транзистора, первый и второй выводы четвертого конденсатора соединены соответственно с базами второго и третьего транзисторов, второй вывод шестог конденсатора подключен к эмиттеру третьего транзистора и является выходом детектора амплитудно- или частотно-модулированных сигналов, а второй вывод первого конденсатора - входом детектора амплитудно- или частотно-модулированных сигналов, при этом второй вывод третьего резистора, является входом для подключения источника постоянного опорного напряжения.
2.Детектор поп.1, отличаю щ и и с я тем, что второй вывод третьего резистора подключен к коллектору первого транзистора.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
АВТОДИННОЕ УСТРОЙСТВО СИСТЕМЫ БЛИЖНЕЙ РАДИОЛОКАЦИИ | 2007 |
|
RU2351946C1 |
ПАРАЛЛЕЛЬНЫЕ АПЕРИОДИЧЕСКИЕ УПЧ | 1993 |
|
RU2118063C1 |
ЧАСТОТНЫЙ ДЕТЕКТОР | 1989 |
|
RU2007019C1 |
Амплитудный детектор | 1989 |
|
SU1672552A1 |
АМПЛИТУДНЫЙ ДЕТЕКТОР | 1988 |
|
RU2093951C1 |
Радиоприемник сигналов с амплитудной и частотной модуляцией | 1986 |
|
SU1575315A1 |
ИЗБИРАТЕЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ | 2012 |
|
RU2479108C1 |
ДЕТЕКТОР АМПЛИТУДНО-МОДУЛИРОВАННЫХ СИГНАЛОВ | 1987 |
|
SU1517702A1 |
ИЗБИРАТЕЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ | 2011 |
|
RU2468501C1 |
ИЗБИРАТЕЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ | 2011 |
|
RU2469462C1 |
Изобретение относится к радиотехнике. Цель изобретения - повышение стабильности и уменьшение нелинейных искажений. Детектор содержит транзисторы 1, 2 и 3, резисторы 4...9, конденсаторы 10...15 и катушку 16 индуктивности. Входной сигнал усиливается транзистором 1 и поступает на транзисторы 2 и 3. Транзистор 2 детектирует сигналы в широкой полосе несущих частот, причем происходит преобразование частотной модуляции в амплитудно-частотную и детектирование амплитудной модуляции с помощью транзистора 3, имеющего тип проводимости, обратный проводимости транзистора 2. Выходное напряжение постоянного тока и звуковых частот с эмиттера транзистора 2 через резистор 7 подводится к базе транзистора 3. Здесь оно алгебраически суммируется с напряжением, продетектированным этим транзистором 3. Равенство продетектированных напряжений на средней частоте обеспечивает получение условного нуля выходного напряжения устройства и его стабильность при изменении на входе уровня частотно-модулированного сигнала. Детектор по п. 2 ф-лы отличается местом включения резистора 6. 1 з.п.ф-лы, 2 ил.
Вым
©т,; I ,„,, 77
5
Редактор Г.Гербер
Составитель А.Осипович
Техред А.Кравчук Корректор Л.Бескид
Заказ 6399/55
Тираж 884
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5
Производственно-издательский комбинат Патент, г.Ужгород, ул. Гагарина,101
//
S&
I ,„,, 77
Вымд
,„,,
5
фие.З
Подписное .
Приспособление для плетения проволочного каркаса для железобетонных пустотелых камней | 1920 |
|
SU44A1 |
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. | 1921 |
|
SU3A1 |
Авторы
Даты
1989-10-23—Публикация
1987-12-28—Подача