СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР Советский патент 1996 года по МПК H01L21/312 G03F7/26 

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении твердотельных полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Целью изобретения является повышение точности изготовления структур.

При удалении остатков недопроявленного резиста реактивным ионно-лучевым травлением под углом к обрабатываемой поверхности, равным углу при последующем реактивном ионно-лучевом травлении подложки, удаление остатков резиста происходит только на тех участках, где и будет формироваться элемент субмикронной структуры. Отсутствие на поверхности подожки остатков резиста приводит к повышению точности изготовления структур при последующем реактивном ионно-лучевом травлении подложки за счет устранения недотравленных участков.

На чертеже иллюстрируется предлагаемый способ.

На подложку 1 нанесен слой 2 резиста, в котором сформирована маска с отрицательным профилем. В окнах маски после проявления имеется тонкий слой 3 недопроявленного резиста. Допроявление резиста осуществляется только в области 4.

П р и м е р. На подложку 1 (пластину из арсенида галлия с рабочим слоем окиси кремния толщиной 0,1 мкм) наносят слой 2 электронорезиста (ЭРП-1 или ЭЛП-9) толщиной 1 мкм. На установке электронолитографии ZBA-10 экспонируют затворные полосы размером 0,4 мкм. Резист проявляют в смеси метилэтилкетона с толуолом, взятой в соотношении 1:1, травление недопроявленных участков слоя 3 резиста проводят в области 4 на установке ионного травления УРМ 3. 279.029 в среде кислорода. Пластину располагают под углом 60^о к ионному пучку.

Рабочее давление 5·10^-3 Па, напряжение разряда 0,9 кВ, ток пучка 10 мА, время травления 10 мин. После этого без развакуумирования рабочей камеры проводят реактивное ионно-лучевое травление слоя окиси кремния в области 4 в среде хладона 218. Угол между ионным пучком и пластиной не изменяется. Напряжение разряда 2,5 кВ, ток пучка 40 мА, время травления 13 мин. В результате были получены структуры с длиной затвора 0,2 мкм. Отсутствие недотравленных участков в слое окиси кремния обеспечивает высокое качество структур, что подтверждается при последующем изготовлении полевых транзисторов.

Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Целью изобретения является повышение точности изготовления структур за счет устранения недотравленных участков рабочих слоев. На подложку с рабочим слоем наносят слой резиста и электронолитографией формируют в нем рельеф с отрицательным профилем. Допроявление резиста осуществляют реактивным ионно-лучевым травлением (РИЛТ) в среде кислорода под тем же углом, что и РИЛТ рабочего слоя. Это позволяет удалять остатки резиста из области геометрической тени, обусловленной отрицательным профилем резистивной маски. В результате РИЛТ рабочего слоя под углом к обрабатываемой поверхности осуществляется при полном отсутствии остатков резиста, что приводит к повышению качества формируемых субмикронных структур. 1 ил.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР, включающий формирование резистивной маски путем нанесения на подложку слоя резиста, его электронно-лучевого экспонирования и жидкостного проявления, удаление недопроявленных остатков резиста в кислородной плазме и реактивное ионно-лучевое травление подложки под углом к обрабатываемой поверхности, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления структур, удаление недопроявленных остатков резиста в кислородной плазме осуществляют путем реактивного ионно-лучевого травления под углом к обрабатываемой поверхности, равным углу при последующем реактивном ионно-лучевом травлении подложки.