Микрополосковая согласованная нагрузка Советский патент 1989 года по МПК H01P1/26 

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в миниатюрных устройствах.

Цель изобретения - увеличение допустимой рабочей мощности.

На чертеже показана конструкция микрополосковой согласованной нагрузки .

Микрополосковая согласованная нагрузка содержит диэлектрическую подложку 1, на одной стороне которой расположено заземляющее основание (не показано) , а на другой стороне - входной проводник 2, к торцу 3 которого и прилегающим к нему боковым кромкам 4 подключены резистивные элементы 5. Дополнительно введены П-об- разные проводники 6 и резистивные элементы 5. Первый П-образный проводник 6 подключен к резистивньм элементам 5, подключенным к входному проводнику 2, а остальные резистивные элементы 5 включены между П-образным проводниками 6 и между последним П- образным проводником б и заземляющим основанием. Расстояние 1 между ближайшими резистивными элементами 5 равно толщине диэлектрической подложки I. Линейный размер W резистивных элементов 5 предпочтительно выбирать равным 0,2 толщины диэлектрической подложки 1.

Микрополосковая согласованная нагрузка работает следующим образом. СВЧ-сигнал поступает на входной проводник 2 и рассеивается в резистивных элементах 5. Наличие многих резистивных элементов 5 обеспечивает равномерное распределение между ними поглощенного СВЧ-сигнала и хорощий теплоотвод, так как они расположены один от другого н а расстоянии, равном толщине диэлектрической подложки 1, что соответствует пренебрежимо малому перекрытию тепловых фронтов соседних резистивных элементов 5. Эффективная площадь теплоотвода увеличена за счет П-образных проводников 6, соединяющих между собой группы резистивных элементов 5 в эквипотен- циальных точках. Линейный размер W резистивных элементов 5, равный 0,2 толщины диэлектрической подложки 1, обеспечивает возможность рассеяния

на нем большого количества тепла, как на точечном тепловом источнике.

Микрополосковая согласованная нагрузка работает в частотном диапазоне, в котором площадь, занятая резистивными элементами 5 и П-образными проводниками 6, значительно меньше длины волны.

Формула изобретения

1.Микрополосковая согласованная нагрузка, содержащая диэлектрическую подложку, на одной стороне которой расположено заземляющее основание,

а на другой стороне - входной проводник, к торцу и прилегающим к нему боковым кромкам которого подключены резистивные элементы, отличающаяся тем, что, с целью

увеличения рабочей допустимой мощности, дополнительно введены резистивные элементы и П-образные проводники, причем первый П-образный проводник подключен к резистивным элементам, подключенным к входному проводнику, а резистивные элементы включены между П-образными проводниками и между последним П-образным проводником и заземляющим основанием, причем

расстояние меяаду ближайшими резистивными элементами равно толщине диэлектрической подложки.

2.Согласованная нагрузка по n.J, отличающаяся тем, что резистивные элементы имеют размер, равный 0,2 толщины диэлектрической подложки.

Изобретение относится к технике СВЧ. ЦЕЛЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ - УВЕЛИЧЕНИЕ ДОПУСТИМОЙ РАБОЧЕЙ МОЩНОСТИ. МИКРОПОЛОСКОВАЯ СОГЛАСОВАННАЯ НАГРУЗКА СОДЕРЖИТ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ПОДЛОЖКУ 1, НА ОДНОЙ СТОРОНЕ КОТОРОЙ РАСПОЛОЖЕНО ЗАЗЕМЛЯЮЩЕЕ ОСНОВАНИЕ, А НА ДРУГОЙ СТОРОНЕ - ВХОДНОЙ ПРОВОДНИК (П) 2, К ТОРЦУ 3 КОТОРОГО И К ПРИЛЕГАЮЩИМ К НЕМУ БОКОВЫМ КРОМКАМ 4 ПОДКЛЮЧЕНЫ РЕЗИСТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ (РЭ) 5 с П-образными П 6. СВЧ-сигнал поступает на П 2 и рассеивается в РЭ 5. Наличие многих РЭ 5 обеспечивает равномерное распределение между ними поглощенного СВЧ-сигнала и хороший теплоотвод, т.к. они расположены один от другого на расстоянии L, равном толщине подложки 1. Это соответствует малому перекрытию тепловых фронтов соседних РЭ 5. Эффективная площадь теплотвода увеличена за счет П 6, соединяющих между собой группы РЭ 5 в эквипотенциальных точках. Нагрузка по п.2 ф-лы отличается тем, что РЭ 5 имеют размер, равный 0,2 толщины подложки 1. Это обеспечивает возможность рассеяния на нем большого количества тепла, как на точечном тепловом источнике. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.