Микрополосковая нагрузка Советский патент 1990 года по МПК H01P1/26 

(21)4367018/24-09

(22)20.01.88

(46) 23.03.90. Бюл. № 11

(71)Казанский авиационный институт им. А.Н.Туполева и Институт физической химии АН СССР

(72)И.Х.Исхаков, А.Н.Кузьмин, В.П.Варнин, Б.В.Спицын, А.А.Ботев, А.Е.Алексеенко

и Л.Л.Буйлов

(53)621.372.855.4(088.8)

(56)Патент США № 4413241, кл. Н 01 Р 1/26, 1983.

Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств. /Под ред. В.И.Вольмана. - Радио и связь, 1982, с.182, табл.4.8,б.

(54)МИКРОПОЛОСКОВАЯ НАГРУЗКА

(57)Изобретение относится к технике СВЧ. Цель изобретения - повышение допустимой мощности, СВЧ-сигнал поступает в нагрузку по токонесущему проводнику 3 и рассеивается в пленочном резистивном слое (ПРС) 4, размеры которого выбираются. При рассеивании мощности СВЧ-сигнала ПРС 4 разогревается, а тепло отводится на дополнительную диэлектрическую подложку (ДП) 7. За счет того что теплопроводность материала ДП 7 выше, чем у ДП I, отвод тепла от ПРС 4 осуществляется эффективно, особенно в зоне, непосредственно прилегающей к ПРС 4, где плотность теплового потока максимальна. Выполнение ДП 7 из алмаза, теплопроводность которого наибольшая из всех известных диэлектриков, пригодных для использования в качестве материала подложек, обеспечивает максимальное повышение допустимой мощности. 1 з.п. ф-лы, I ил.

Изобретение относится к технике СВЧ. Цель изобретения - повышение допустимой мощности. СВЧ-сигнал поступает в нагрузку по токонесущему проводнику 3 и рассеивается в пленочном резистивном слое (ПРС) 4, размеры которого выбираются. При рассеивании мощности СВЧ-сигнала ПРС 4 разогревается, а тепло отводится на дополнительную диэлектрическую подложку (ДП) 7. За счет того что теплопроводность материала ДП 7 выше, чем у ДП 1, отвод тепла от ПРС 4 осуществляется эффективно, особенно в зоне, непосредственно прилегающей к ПРС 4, где плотность теплового потока максимальна. Выполнение ДП 7 из алмаза, теплопроводность которого наибольшая из всех известных диэлектриков, пригодных для использования в качестве материала подложек, обеспечивает максимальное повышение допустимой мощности. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в миниатюрных устройствах.

Целью изобретения является повышение допустимой мощности.

На чертеже показана конструкция микрополосковой нагрузки.

Микрополосковая нагрузка содержит диэлектрическую подложку 1, на одной стороне которой размещено заземляюще основание 2, а на другой стороне размещены токонесущий проводник 3 и пленочный резистивный слой 4, одной кромкой 5 подключенный к нему, а противоположной кромкой 6 - к заземляющему основанию 2. Между пленочным реэистивным слоем 4 и диэлектрической подложкой 1 введена дополнительная диэлектрическая подложка 7, теплопроводность материала которой выше теплопроводности материала диэлектрической подложки I. Дополнительная диэлектрическая подложка 7 может быть выполнена из алмаза.

Микрополосковая нагрузка работает следующим образом.

СВЧ сигнал поступает по токонесущему проводнику 3 и рассеивается в пленочном резистивном слое 4. Для согласования в широком диапазоне частот соответствующим образом выбираются размеры пленочного резистивного слоя 4. При рассеивании мощности СВЧ сигнала пленочный резистивный слой 4 разогревается, а тепло отводится н дополнительную диэлектрическую подложку 7, Благодаря тому, что теплопроводность материала диэлектрическо подложки 7 выше теплопроводности материала диэлектрической подложки 1, отвод тепла от пленочного резистивного слоя 4 осуществляется эффективно, особенно в зоне, непосредст-

5

0

5

0

5

0

венно прилегающей к пленочному ре- зистивному слою 4, где плотность теплового потока максимальна. Выполнение дополнительной диэлектрической подложки 7 из алмаза, теплопроводность которого наибольшая из всех известных диэлектриков пригодных для использования в качестве материала подложек, обеспечивает максимальное повышение допустимой мощности.

Для повышения допустимой мощности достаточно использовать сравнительно небольшие толщину дополнительной диэлектрической подложки 7, что позволяет сравнительно просто наносить ее на диэлектрическую подложку 1, например, в виде пленочного покрытия. При этом диэлектрическую подложку 1 рекомендуется выполнять из теп- лонита.

Формула изобретения

2.Нагрузка поп.1, отличающаяся тем, что дополнительная диэлектрическая подложка выполнена из алмаза.