Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для контроля объемной плотности диэлектрических материалов, например нетканых материалов из синтетических волокон, после операций холстообразования, иглопробивания, термоусадки и т.п.
Целью изобретения является повышение точности регистрации/объемной плотности в процессе контроля измерений.
На фиг. 1 представлена блок-схема устройства; на фиг. 2 - зона распределения электрического поля.
Устройство содержит диэлектрическое основание 1, на котором расположены высокопотенциальный 2, низкопотенциальный 3 и эквипотенциальные дополнительные 4 и 41 электроды датчика, выполненные в виде компланарных концентрических колец, касающихся контролируемого материала 5, высокочастотные управляемые генераторы 6 и 7, выходы которых через управляемые высокочастотные усилители 8 и 9 подключены к входам схемы ИЛИ 10, выход которой соединен с автотрансформатором 11, образующим по вторичной обмотке с подстроечным конденсатором 12 и электродной системой 2-3 колебательный резонансный контур, выход которого соединен через повторитель 13 напряжения с эквипотенциальными электродами 4 и 4 , а также с одним входом множительной схемы 14 второй вход подключен к выходу схемы ИЛИ. К выходу схемы 14 подключены последовательно соединенные фильтр 15 низкой частоты, низкочастотный усилитель 16, первый управляемый выпрямитель 17, регистрирующий прибор 18, при этом управляющий вход выпрямителя 17 подключен к выходу мультивибратора 19. К выходу мультивибратора 19 подключен триггер Шмидта 20,
(Л
ел
со
1чЭ
оо
СЛ
со
прямой и инверсный выходы которого соединены с управляющими входами электронных ключей 21 и 22, входы которых подключены к источнику 23 постоянного напряжения, а выходы соответственно к входам питания высокочастотных генераторов 6 и 7. К выходу схемы ИЛИ 10 подключены также последовательно соединенные амплитудный детектор 24, второй фильтр 25 низкой частоты, второй усилитель 26 низкой частоты, второй управляемый выпрямитель 27, выход которого соединен с управляющим входом высокочастотного усилителя 9, а управляющий вход с выходом мультивибратора 19, вторичная обмотка автотрансформатора 11 шунтирована подстроечным конденсатором 12
Устройство работает следующим образом.
Диэлектрическое основание 1 датчика с высокопотенциальным 2 и низкопотенциальным 3 электродами создает электрическое поле, проникающее в материал 5 с контррлируемой объемной плотностью. Емкость накладного датчика с периодической структурой электродов определяется диэлектрическими проницаемостями подложки датчика, контролируемого материала и окружающей среды:
BV,
С(, + ), (О
где Ј1 - относительная диэлектрическая проницаемость подложки датчика;
Ј/ - относительная диэлектрическая проницаемость контролируемого материала при неизменном составе последнего, пропорциональная объемной плотности р ;
о - объемная плотность контролируемого диэлектрического материала;
- коэффициент, отражающий
г ез
различие в диэлектрических
свойствах контролируемого материала и окружающей среды;
Я3- относительная диэлектрическая проницаемость окружающей среды (воздуха); А, В - постоянные коэффициенты,
определяемые площадью конденсатора датчика, шириной
электродов и зазором между ними;
h - толщина контролируемого материала.
Триггер 20 с частотой ц , определяемой параметрами мультивибратора 19, через электронные ключи 21, 22 обеспечивает поочередно подачу постоянного напряжения от источника 23 к входам питания высокочастотных генераторов 6, 7. Пакеты генерируемых колебаний высокой частоты
Ui-U sinCc t-Hf,,); ,isin(w1t+4 02)
(2) (3)
выравниваются по амплитудам усили- : телями 8 и 9, проходят через схему ИЛИ 10 и воздействуют поочередно на первичную обмотку автотрансформатора И, к вторичной обмотке которого подключены подстроечный конденсатор 12 и емкость электродной системы: измерительный высокопотенциальный электрод 2 - контролируемый материал 5 - низкопотенциальный электрод 3. Комплексный коэффициент передачи резонансного контура, образованного автотрансформатором 11, подстроечным конденсатором 12, электродами 2-3 при малых расстройках определяется выражением
к(() Q К D,(u.) j 1+JAQ
0
5
0
5
где Q
LL
w
kc
добротность резонансного контура;
относительная расды w- wp С L г
резонансная частота контура ; 2ДСО
ш;
стройка контура; абсолютная расстройка контура;
емкость, образуемая электродной системой 2-3 и подстроечным конденсатором 12, входящим в резонансный контур, при отсутствии контролируемого материала; индуктивность контура; сопротивление потерь контура;
круговая частота напряжения, возбуждающего контур.
При этом модуль коэффициента передачи контура
-.2f
fl + OQ)1
К
(5)
а аргумент коэффициента передачи q arctgAQ.(6)
Амплитуда и фаза напряжений на резонансном контуре с учетом диэлектрических параметров контролируемого материала 5, а также с учетом того обстоятельства, что возбуждающие напряжения высокочастотных генераторов выравниваются (U ), определяется выражением:
J K1Umsin(w,t+4 i+4 l))
k KAsin4t+V%)
де ы, ,
K,
V,.
Ki
- круговые частоты напряжений высокочастотных генераторов 6, 7; коэффициенты передачи резонансного контура на частоте ы1 и UL соответственно;
фазовые сдвиги, вносимые расстроенным контуром
на частотах
2ТГ Я
W, и ыг;
период переключения генераторов 6, 7.
Параметры резонансного контура подобраны таким образом, что при частоте ц, генератора 6 рабочая точка располагается на левой ветви резонансной кривой ненагруженного датчика, соответствующей максимальной крутизне АЧХ (А, -0,83), а при частоте шг генератора 7 - переходит на аналогия- ную точку на правой ветви резонансной кривой (A,j +0,83). При непрерыв- ном переключении генераторов б и 7 рабочая точка контура переключается с левой ветви резонансной кривой на правую с частотой (Ц мультивибратора 19. Коэффициент передачи ре- зонансного контура изменяется от значения
i9
Jl + (A,Q)
(8)
до значения
Л + (М)1
(9)
а базовые сдвиги напряжения U, ; U по отношению к напряжению на выходе схемы ИЛИ определяются выражениями
10
15
20
V, arctg QJ(, ifi-arctg рл,,
где
,
Wt
w,
JЈ .
A7
W0
W,
Ш,
We
l
(Ю) (П)
относительная расстройка контура на частоте генератора 6;
относительная расстройка контура на частоте генератора 7.
Напряжения U и U поочередно поступают на один вход множительной схемы 14, к второму входу которой поочередно приложены непосредственно напряжения генераторов 6, 7 через схему ИЛИ 10.
В один полупериод коммутации
25
(О )
в результате перемножения
0
5
0
,
пакетов напряжений одной частоты образуется постоянная составляющая напряжения, пропорциональная коэффициенту передачи контура на частоте
и, К3кХ ,(arctg Q,),
(12)
где К з- масштабный коэффициент множительной схемы 14.
Т В другой полупериод коммутации ( t
Т) постоянная составляющая пропорциональна коэффициенту передачи контура на частоте
U
14
KjKXcosVj-K U cosCarctg Q/4).
(13)
Постоянные составляющие U UH Uj. поочередно выделяются фильтром 15 низкой частоты и воздействуют на усилитель 16 низкой частоты.
В отсутствие контролируемого материала 5 коэффициенты передачи колебательного контура и косинусы фазовых сдвигов, вносимых контуром, равны
2
(14)
I + U,Q)1 -h + (AiQ)4 :os(arctg4,Q)cos(arctgAtQ), (15)
taK как равны абсолютные значения Ьтносительных расстроек на частотах
Ш, И С0Ј
,
Вследствие этого равны и постоянные составляющие напряжений U1 U.
При контакте электродов емкостного датчика 2-3 с материалом 5 в зависимости от значения его объемной плотности происходит расстройка резонансного контура
1
Не Ль(с+дс)
(17)
где hС - вносимая контролируемым материалом емкость, пропорциональная объемной плотности материала р.
При контакте электродов датчика с контролируемым материалом составляющая АЈ( выражения (1) постоянна и тогда это выражение относительно приращения емкости и С от изменения о объемной плотности о контролируемого материала приобретает следующий вид
4c(f)Ak,
(18)
Отсюда следует, что при неизменных геометрии датчика, диэлектрических свойств окружающей среды (Ј,) и постоянной толщине контролируемого материала (h) приращение емкости и С пропорционально изменению объемной плотности Р контролируемого материала.
Эти приращения и С приводят к смещению рабочих точек на правой и левой ветвях резонансной кривой контура. Коэффициент передачи контура на частоте to, увеличится до значения
si
к
J1+(Q 2)
(19)
а коэффициент передачи контура на частоте сог уменьшится до значения
I-KQ
2JdW+cfwK 2
(20)
U)
где Q1 - добротность контура с учетом
потерь в материале.
Соответственно изменяются и фазовые сдвиги, вносимые расстроенным контуром
Y -arctg Q/ LCteiM
Ч К U)p
(21)
5 l/t-arctg Q
i 2 №+fui)
to.
(22)
т.е. фазовые сдвиги и становятся неодинаковыми.
Из-за возникающего неравенства постоянных составляющих напряжений U 4 и усилителем 16 низкой частоты усиливается переменная составляющая частоты Я. мультивибратора 19.
Si-,-- (K4cos -К2cos if ),
(23)
0
5
0
5
0
5
0
5
где К4 - коэффициент усиления усилителя 16.
Переменное напряжение с амплитудой U.), выпрямляется управляемым выпрямителем 17 и фиксируется регистратором 18.
Установка нуля регистратора 18 производится при отсутствии контакта датчика с контролируемым материалом с помощью подстроечного конденсатора 12.
Для поддержания равенства амплитуд высокочастотных напряжений частоты о), и LO-г выходное напряжение схемы ИЛИ 10 детектируется амплитудным детектором 24. Постоянные составляющие продетектированных напряжений поочередно выделяются фильтром 25 низкой частоты и воздействуют на вход усилителя 26 низкой частоты. При неравенстве амплитуд ( ) усилителем 26 усиливается переменная составляющая частоты $1 , пропорциональная разности амплитуд высокочастотных напряжений частот w, и и)2 и поступает на управляемый выпрямитель 27. Постоянная составляющая напряжения, снимаемого с выхода управляемого выпрямителя 27, пропорциональная разнице амплитуд высокочастотных напряжений частот ы, и цк, поступает на управляющий вход регулируемого усилителя 9 высокой частоты. Направление изменения коэффициента усиления усилителя 9 выбрано таким, что управляющее воздействие приводит к выравниванию амплитуд высокочастотных напряжений частот си, и Ы4.
Неоднородность электрического поля, присущая накладным датчикам вызывает наибольшую чувствительность устройства только к свойствам ближайших слоев контролируемого материала, накладываемого на датчик . В силу этого наличие неровностей поверхности контролируемого материала, прилегающего к датчику, дает большую погрешность измерения. Помимо этого, как следует из выражения (1), для Л С приращение емкости, привнесенное в датчик контролируемым материалом, зависит не только от плотности f, но и от изменения толщины контролируемого материала.
Устранение влияния толщины контролируемого материала и неровностей поверхности, прилегающей к датчику, на показания регистрирующего прибора 18 в устройстве обеспечивается
4, 4 и расстояние между ними выбираются таким образом, что обеспечивается измерение емкости, привнесенной объектом контроля, в зоне В (фиг. 2). Выбор ширины и расположения этой зоны обеспечивают независимость показаний регистрирующего прибора 18 от толщины контролируемого мате- JQ риала и неровностей, прилегающих к преобразователю контролируемых поверхностей.
Повышение точности достигнуто за счет поочередного возбуждения резо- J5 нансного контура колебаниями двух симметричных относительно резонанса частот, соответствующих наиболее крутым участкам обоих склонов резонансной кривой. При этом использование следующим образом. Напряжения высоко- 2Q колебаний двух частот позволяет получастотных генераторов 6, 7, поочеред- чить стабильный нуль при нулевом но поступающие на резонансный кон- значении контролируемого параметра, тур, в который включена емкость сие- что трудно обеспечить при работе темы высокопотенциальный электрод только на одной ветви резонансной 2 - контролируемый материал 5 - низ- 25 кривой расстроенного контура. Исполь- копотенциальный электрод 3, одновре- зование двух параметров датчика - мо- менно прикладывается к эквипотенци- дуля и аргумента коэффициента нереальным дополнительным электродам 4, дачи резонансного контура также повы- 4 через повторитель 13 напряжения. шает чувствительность и точность из30 мерения объемной плотности объекта за счет более крутой преобразовательной характеристики выходное напряжение - объемная плотность. Введение ;дополнительных электродов, эквипотен- зс циальных по отношению к измерительному, также повышает точность измерения объемной плотности за счет исключения влияния толщины контролируемого материала, неровностей прилегающих к (фиг. 2), каждая из которых связана 40 преобразователю контролируемых поверх- с напряжением на электродах 2, 4, 4 ностей, изменения относительной ди- соответственно. Силовые линии на гра- электрической проницаемости окружаю ницах этих областей показаны штрихо- щей среды (воздуха). Использование выми линиями. К измерительному элек- электронных управляемых ключей позво- троду 2 ток смещения проходит только 45 ляет повысить надежность устройства через зону Б, и поэтому изменения, за счет устранения коммутационных происходящие в зонах А и В, не вли- разрывов, возможности повышения до яют на результат измерения. Окружа- сотен килогерц частоты коммутации и ющая датчик среда (воздух) входит в как следствие уменьшения постоянной зоны А и В, поэтому составляющая ем- 50 вРеменн и дрейфа низкочастотного трак- кости, привнесенной контролируемым та устройства. материалом, связанным с относительной диэлектрической проницаемостью среды Ј,, также практически не .влияет на рабочий ток смещения преобра- 55
Повторитель 13 напряжения обеспечивает равенство амплитуды и фазы напряжений, прикладываемых к электродам 4, 4 по отношению к амплитуде и фазе напряжения, прикладываемого к высокопотенциальному электроду 2. Между электродом 3 и электродами 2, 4, 4 , имеющими одинаковые напряжения, образуется электрическое поле, состоящее из трех областей А, Б и В
Формула изобретения
Устройство для контроля объемной плотности диэлектрических материалов, содержащее диэлектрическое основание, на котором расположены высокопотенциальный и низкопотенциальный электроды, выполненные в виде компланарзователя, что обеспечивает независимость показаний регистрирующего прибора 18 от изменений Е3 окружающей среды. Ширина колец электродов 2,
мерения объемной плотности объекта за счет более крутой преобразовательной характеристики выходное напряжение - объемная плотность. Введение ;дополнительных электродов, эквипотен- циальных по отношению к измерительному, также повышает точность измерения объемной плотности за счет исключения влияния толщины контролируемого материала, неровностей прилегающих к преобразователю контролируемых поверх- ностей, изменения относительной ди- электрической проницаемости окружаю щей среды (воздуха). Использование электронных управляемых ключей позво- ляет повысить надежность устройства за счет устранения коммутационных разрывов, возможности повышения до сотен килогерц частоты коммутации и как следствие уменьшения постоянной вРеменн и дрейфа низкочастотного трак- та устройства.
Формула изобретения
Устройство для контроля объемной плотности диэлектрических материалов, содержащее диэлектрическое основание, на котором расположены высокопотенциальный и низкопотенциальный электроды, выполненные в виде компланарных концентрических колец, высокочастотный генератор с источником постоянного напряжения, множительная схема, Аильтр низкой частоты, усилитель низкой частоты, управляемъй выпрямитель и регистрирующий прибор, мультивибратор, причем выход генератора соединен с колебательным контуром, выход которого соединен с высокопотенциальным электродом датчика, выход множительной схемы соединен с последовательно соединенными фильтром низкой частоты, усилителем низкой частоты, управляющим выпрямителем и регистрирующим прибором, отличающееся тем, что,
с целью повышения точности, оно снабжено схемой ИЛИ, вторым генератором высокой частоты, двумя ключами и триггером, вход которого подключен к мультивибратору, а выходы соединены с управляющими входами ключей, входы которых подключены к источнику постоянного напряжения, а выходы - к входам питания высокочастотных генераторов, выходы которых соединены с входами схемы ИЛИ, выход которой соединен с одним входом множительной схемы, второй вход которой подключен к выходу колебательного контура, при этом вход колебательного контура соединен с выходом схемы ИЛИ.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Устройство для контроля объемной плотности диэлектрических материалов | 1990 |
|
SU1784904A1 |
Устройство для контроля состава и свойств материалов | 1984 |
|
SU1188620A1 |
Устройство для контроля диэлектрических потерь веществ и материалов | 1985 |
|
SU1456859A1 |
Емкостный влагомер | 1984 |
|
SU1239577A1 |
Устройство для контроля толщины диэлектрических материалов | 1985 |
|
SU1298518A1 |
Устройство для определения проницаемости материалов неэлектропроводными жидкостями | 1980 |
|
SU949424A1 |
СПОСОБ КОНТРОЛЯ СВОЙСТВ МАТЕРИАЛОВ ПО ДИСПЕРСИИ КОЭФФИЦИЕНТА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 1991 |
|
RU2078336C1 |
Измеритель толщины полимерных пленок | 1983 |
|
SU1124178A1 |
Диэлькометрический датчик | 1981 |
|
SU1078356A1 |
Измеритель толщины полимерных пленок | 1982 |
|
SU1158857A1 |
Изобретение относится к измерительной технике. Цель изобретения - повышение точности измерений. Устройство содержит емкостный накладочный датчик, включенный в колебательный контур, два высокочастотных генератора, ключи, схемы ИЛИ и умножения, фильтры низких частот, мультивибратор. Цель изобретения достигается за счет поочередного возбуждения резонансного контура колебаниями двух симметричных относительно резонанса частот, что обеспечивает стабильный отсчет параметра от нулевого значения. 2 ил.
Устройство для контроля диэлектрических потерь в двухслойных материалах и средах | 1982 |
|
SU1073679A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Устройство для контроля диэлектрических потерь веществ и материалов | 1985 |
|
SU1456859A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Авторы
Даты
1989-12-30—Публикация
1987-07-30—Подача