Показать метаданные Скрыть метаданные

(19)

(11)

1 542 342

(13)

(51)

МПК

H01L21/76(2006-01-01)

(21) (22)

Заявка

4425590/25, 1988-05-17

(22)

дата подачи заявки

1988-05-17

(45)

опубликовано

2012-05-27

(72)

авторы

Попов Ю.П.Зеленин В.А.Сенько С.Ф.Шевчук И.Г.Лытко Л.Н.Ясников В.Е.Батраков Н.Ф.Герасимчик Н.Н.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕЖКОМПОНЕНТНОЙ ИЗОЛЯЦИИ КМДП ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Советский патент 2012 года по МПК H01L21/76

Похожие патенты SU1542342A1

название	год	авторы	номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КМОП-СТРУКТУР	1990	Плащинский Г.И. Саньков И.В. Нагорный А.А. Сидоренко Е.Б.	RU1759185C
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕЖКОМПОНЕНТНОЙ ИЗОЛЯЦИИ К МДП ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ	1986	Корешков Г.А. Плотников В.Н. Румак Н.В. Хатько В.В. Шевчук И.Г.	SU1356895A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР p-КАНАЛЬНЫХ МДП БИС	1990	Барабанов М.Ф. Мещеряков Н.Я.	RU2043677C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРИРОВАННЫХ ШОТТКИ-pn ДИОДОВ НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ	2009	Грехов Игорь Всеволодович Иванов Павел Анатольевич Потапов Александр Сергеевич Самсонова Татьяна Павловна Коньков Олег Игоревич Ильинская Наталья Дмитриевна	RU2395868C1
Способ изготовления инжекционных интегральных схем	1980	Волынчикова Л.Ф. Красницкий В.Я. Савотин Ю.И.	SU986236A1
Способ изготовления МОП-транзистора	1991	Венков Борис Валентинович Борисов Игорь Анатольевич	SU1824656A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ P-КАНАЛЬНЫХ МДП БИС	1989	Матвеев И.В. Барабанов М.Ф. Мещеряков Н.Я.	SU1752142A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЭЛЕМЕНТА С ЧАСТИЧНО ПРОХОДЯЩЕЙ В ПОДЛОЖКЕ РАЗВОДКОЙ, А ТАКЖЕ ИЗГОТОВЛЕННЫЙ ЭТИМ СПОСОБОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ	1999	Браун Хельга Какошке Рональд Штокан Регина Плаза Гунтер Кукс Андреас	RU2214649C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА С НИЗКИМ УДЕЛЬНЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ К ПАССИВИРОВАННОЙ НИТРИД-ГАЛЛИЕВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ	2020	Беспалов Владимир Александрович Переверзев Алексей Леонидович Егоркин Владимир Ильич Журавлёв Максим Николаевич Земляков Валерий Евгеньевич Неженцев Алексей Викторович Якимова Лариса Валентиновна	RU2748300C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ПОЛИКРЕМНИЕВЫМ РЕЗИСТОРОМ	1990	Гайдук С.И. Балабуцкий С.В. Сасновский В.А. Чаусов В.Н.	SU1819070A1

Реферат патента 2012 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕЖКОМПОНЕНТНОЙ ИЗОЛЯЦИИ КМДП ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Способ изготовления межкомпонентной изоляции КМДП интегральных схем, включающий формирование на кремниевой подложке с областями карманов нитридной маски, формирование n⁺и p⁺ охранных областей, их локальное окисление, отжиг структур в инертной атмосфере и удаление нитридной маски, отличающийся тем, что, с целью повышения напряжения пробоя, снижения токов утечки изоляции и повышения воспроизводимости указанных параметров за счет снижения дефектности подложки в охранных областях и снижения уровня механических напряжений в подложке, p⁺ охранные области формируют до формирования нитридной маски, а после удаления нитридной маски структуры дополнительно отжигают в инертной атмосфере при 950-1200°С в течение 10-60 мин.

SU 1 542 342 A1

Авторы

Попов Ю.П.

Зеленин В.А.

Сенько С.Ф.

Шевчук И.Г.

Лытко Л.Н.

Ясников В.Е.

Батраков Н.Ф.

Герасимчик Н.Н.

Даты

2012-05-27—Публикация

1988-05-17—Подача