Изобретение относится к измерительной технике, к оптическим методам определения толщины покрытий и пленок.
Цель изобретения - расширение диапазона измеряемых толщин посредством измерений параметров поляризации отраженного излучения при различных значениях углов падения, длин волн излучения и показателя преломления окружаюце и ср еды.
Сущность способа заключается в следующем.
При эллипсометрических измерениях толшины ппенки в 1-х и (i+1)-x
условиях () 1) имеют систему уравнений
fdf D|K + d;+ l«j D ,; (1)
I i 11 i
dj D.1+,Kj + cl,-,, ,
Для простоты принято, «то D , Dff1, т.е. первый эллипсомегрическии период с номером i меньше первого эллипсомег- рического периодя с номером (i+1); К - целое число эллипсометрических периодов, укладывающихся во второй фазовой толщине d, 1 - подгоночный параметр, равнп 0 или I, обусловтен- ный тем, что в d может уложиться на
сд
d
о о
4ь
1 больше эллипсометрических периодов D, , чем периодов D|+)I) d, первые фазовые толщины, а первый эллипсо- метрический период для 1-го эксперимента
Л:
2ifn -0 lin4;
(2)
01
ЧоГ
П1,
где А; - длина волны падающего света nnj- показатель преломления окружающей среды; угол падения света; экспериментально найденный показатель преломления исследуемой пленки. Из выражения (2) следует, что монотонное изменение первого эллипсоме рического периода D возможно путем монотонного изменения с увеличением номера i длины волны , угла падения ц о-или показателя преломления окружающей среды пл1.
На основе системы уравнений (1) получают для величины d , которую удобно назвать второй фазовой толщиной, значение
KJ (D- +D|t,)+d +d ;v.+l mip { D1, D 2
а.
(3)
где целое положительное число К| равно количеству первых эллипсометри- ческих периодов, укладывающихся во
Л;
.1 I di -du, .lj D j1
U1 .rDTT 3J
второй фазовой толщине
К
1 Г d -djj.,
i D; -D u Ui i
(4)
Квадратные скобки обозначают округ- вторых фазовых толщин d
ление до ближайшего целого положитель1 ного числа, I,- - подгоночный параметр 9 равный 0 или 1 и выбираемый из усло40
эллипсометрических пери полагая полученные резул та в порядке монотонног
ВИЯ
, в;
1
в. величину D -, равную
i jPjJP} j, J P,VDVf
(5)
называют вторым эллипсометрическим периодом с номером j„ Подгоночный параметр 1 :, равный 0 или 1, выбирают из условия выполнения неравенства
О idj :Dj Доказывают,что истинная толщина связана
с d и D уравнением d ГО + d (6)
j
,где М - целое положительное число или 0, т.е. достаточно показать, что определенные по формуле (1),(3)-(5) величины d и D.всегда удовлетворяют уравнению (6) при целом значении М.
По определению первых фазовых толщин d и первых эллипсометрических периодов можно записать
d
KD
+ d
LD|;
-d Ю5,
d,
(7)
HI
где К и L - некоторые целые чис
Систему уравнений (7) удобно образовать к виду Н K(pl+Pj OLD + d + d ,„
2;
di d + LDTj
К
Подставив (З), (5), (8) и (9) в (6) и разрешив его относительно М, получают
М L +
1J
(Ю)
25
и L,
., « jj, по определению, то и М является целым.
3)
30
А так как 1 целые числа, Это и доказывает справедливость утверждения, что рассчитанные по форму-
35
4)
лам (3) и (5) величины й-, D - являются второй фазовой толщиной и вторым эллипсометрическим периодом. Аналогичные рассуждения можно привести и для любых других (V+1)-x эллипсометрических периодов и фазовых толщин.
Таким образом, из m измерений может быть рассчитано (т-1) значение
вторых фазовых толщин d
0
5
: И ВТОРЫХ 1
эллипсометрических периодов D-.Располагая полученные результаты расчета в порядке монотонного изменения
Л
D j с увеличением порядкового номера i j и вновь применяя к ним формулы (3)-(5), получают (т-2) значения третьих фазовых толщин d и третьих эллипсометрических периодов D . Заi-Ui jm-i.
тем вычисляют значения
так до расчета величин ,,,
Совпадение этих величин между собой свидетельствуют о том, что полученное числовое значение и является искомой фактической толщиной исследуемой пленки. В противном случае,
,m-i.
если dV i i количество измере шй надо увеличить, 1 Пример. Исследованы тонкие слои термической двуокиси кремния на кремниио
Результаты измерения показателей преломления и фазовых толщин, полученных на эллипсометре ЛЭМ-2 ( 632,8 нм) при различных углах падения, представлены в таблице.
Таким образом, практическое равенство фазовых толщин.d , d и d позволяет определить величину толщины пленки. Это значение толщины близко ю к величине 302 нм, определенной по известной методике со стравливанием части пленки и оценке ее толщины на НИИ-4 с последующим уточнением по эллипсометрическим измерениям. 15
Формула изобретения
Способ определения толщины пленки., заключающийся в том, что освещают 20 пленку монохроматическим поляризованным излучением, измеряют параметры поляризации отраженного излучения, по которым определяют толщину пленки, отличающийся тем, 25 что, с целью расширения диапазона измеряемых толщин, пленку освещают m раз, освещение проводят при различных значениях угла падения излучения, длин волн излучения и показателя пре- 30 ломления окружающей среды, по параметрам поляризации отраженного излучения выбирают первые эллипсометричес- кие периоды, для каждого случая освещения измеряют первые.эллипсометри- ,,
ческие периоды D; и определяют первые фазовые толщины d , определяют вторые и следующие фазовые голщииы d ии эллипсометрические периоды D по рекуррентным формулам
dT jlК Г D/ +D i« ) +d , +d /„ +
( + 1)e -эллипсометрические периоды; - параметр, равный 0 или 1 и выбираемый из условия
1 НИ
J
D ,
V . ГЧ. г Г -гч чГ
I max DJ
т) 1(ш-1) , i 1,..., (m-v+1)
j 1,...,m- V индекс i относится к предыдуиему -J-му, a j - к последующему (v + D-му этапу определения.,
D
V-e D . - н,
периоды, монотонно изменяющиеся
i ji)
эллипсометрическке с
dL
,v+f d ; возрастанием номера i, d;, , а - V-e и (г)+1)-е фазовые толщины с номерами i, i+1 и j соответственно, а определение толщины ведут до тех
пор, dh,-.
пока значения фазовых толщин
и
«, « «7 станут равны друг другу и последующей величине m-й фазовой I толщины, которую принимают искомой толщиной пленки.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКОГО ИССЛЕДОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК НА ПЛОСКИХ ПОДЛОЖКАХ | 1997 |
|
RU2133956C1 |
Способ профилирования состава при эпитаксиальном формировании полупроводниковой структуры на основе твердых растворов | 2019 |
|
RU2717359C1 |
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ВЫСОТЫ СТУПЕНЕК В ПРОИЗВОЛЬНЫХ МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУРАХ | 2003 |
|
RU2270437C2 |
СПОСОБ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ ТОНКОГО СЛОЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА В ИНФРАКРАСНОМ ДИАПАЗОНЕ | 2010 |
|
RU2432579C1 |
Способ определения длины волны светофильтра | 1973 |
|
SU549686A1 |
Эллипсометрический датчик | 2022 |
|
RU2799977C1 |
Способ определения толщины пленки | 2021 |
|
RU2787807C1 |
Устройство для контроля тонкихплЕНОК | 1978 |
|
SU815484A1 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ОБЪЕКТА | 1991 |
|
RU2008652C1 |
Способ измерения показателя преломления и дисперсии показателя преломления диэлектрических пленок | 1990 |
|
SU1803828A1 |
Изобретение относится к измерительной технике, к оптическим методам определения толщины покрытий и пленок. Цель изобретения - расширение диапазона измеряемых толщин посредством измерений параметров поляризации отраженного излучения при различных значениях углов падения, длин волн излучения и показателя преломления окружающей среды. Для этого пленку освещают несколько раз, освещение проводят при различных значениях угла падения излучения, длин волн излучения и показателя прешломления окружающей среды. В качестве параметров поляризации отраженного излучения выбирают первые эллипсометрические периоды. Для каждого случая освещения измеряют первые эллипсометрические периоды, определяют первые и последующие фазовые толщины и вторые и последующие эллипсометрические периоды. Определение толщины ведут до тех пор, пока значения фазовых толщин станут равны друг другу.
Целпакова И.Р., Юделевич И.Г., Актов Б.М | |||
Послойный анализ материалов электронной техники | |||
- Новосибирск: СО Наука, 1984, с | |||
Затвор для дверей холодильных камер | 1920 |
|
SU182A1 |
Ржанов А.В | |||
Основы эллипсометрии | |||
- Новосибирск: СО Наука, 1978, с | |||
Способ получения молочной кислоты | 1922 |
|
SU60A1 |
Авторы
Даты
1990-03-07—Публикация
1988-01-21—Подача