| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| БиКМОП-ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2003 |
|
RU2282268C2 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КМОП ТРАНЗИСТОРОВ С ПРИПОДНЯТЫМИ ЭЛЕКТРОДАМИ | 2006 |
|
RU2329566C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОМАСШТАБИРУЕМОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА СО СТРУКТУРОЙ СУПЕРСАМОСОВМЕЩЕННОГО БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА | 2001 |
|
RU2230392C2 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРА НА СТРУКТУРЕ "КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ" | 2022 |
|
RU2784405C1 |
| Способ изготовления быстродействующего кремниевого МОП-транзистора | 2024 |
|
RU2822006C1 |
| БИКМОП-ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1996 |
|
RU2106719C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОСОВМЕЩЕННОГО БиКМОП ПРИБОРА | 2005 |
|
RU2295800C1 |
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛЕВОГО КМОП ТРАНЗИСТОРА, СОЗДАННОГО С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ДИЭЛЕКТРИКОВ НА ОСНОВЕ ОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ С ВЫСОКИМ КОЭФФИЦИЕНТОМ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ И МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ЗАТВОРОВ, И СТРУКТУРА ПОЛЕВОГО КМОП ТРАНЗИСТОРА | 2008 |
|
RU2393587C2 |
| Ячейка оперативной памяти | 2024 |
|
RU2826859C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИКМОП СТРУКТУРЫ | 1998 |
|
RU2141149C1 |
Способ изготовления МОП-структур, включающий формирование на кремниевой подложке подзатворного диэлектрика с толщиной 8-40 нм, нанесенного полевого электрода путем осаждения из смеси моносилан-аргон подслоя аморфного кремния при температуре из диапазона 823-853 K и слоя поликристаллического кремния до получения заданной толщины электрода при соотношении толщины подслоя и слоя 0,1-0,4, диффузионное легирование полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик МОП-структур за счет снижения дефектности и повышения зарядовой стабильности подзатворного диэлектрика, после осаждения подслоя аморфного кремния проводят отжиг в остаточной атмосфере при давлении 0,5-5,0 Па с подъемом температуры от температуры осаждения подслоя до температуры осаждения слоя со скоростью 4-10 K/мин.
