Способ травления кристаллов танталата лития Советский патент 1990 года по МПК C30B33/00 C30B29/30 

Изобретение относится к выращиванию кристаллов и последующей их обработке методом травления, в частности к исследованию реальной и доменной структур кристаллов методами оптической и электронной микроскопии.

Целью изобретения является удешевления процесса и сокращение его времени.

На фиг.1.представлена структура полидоменного образца, выявленная с помощью известного и предлагаемого способов; на фиг.2 - поверхности кристалла танталата лития, подвергнутого травлению предлагаемым .способом в течение 5; 7 и 10 с; на фиг.З - структура монодоменного и полидомен- го образцов.

Гранулированный едкий кали в количестве 7 г засыпают в керамический

тигель и нагревают до 360°С. Данная температура контролируется с погрешностью 0,2°С. Затем в расплав опускают предварительно подогретые над электроплиткой образцы. После травления образцы помещают в кипящую дистиллированную воду на 1 мин и охлаж- дают вместе с водой до комнатной температуры.

Пример 1. Травление полидоменных образцов известным (фиг.1а) и предлагаемым (фиг.16) способами.

Сравнение свидетельствует, что структура поверхности кристалла выявлена достаточно выявлена достаточно четко и контрастно.

Пример 2. Сравнение снимков поверхности образцов показывает, что контрастные картины травления можно получить при выдержке образсд

00

00

1

00

Цов в течение 5 с (фиг.2а), 7 с (фиг.26) и 10 с (фиг.2в) в расплаве (едкого кали.

| Пример 3. Полидоменный (фиг.36) и монодоменный (фиг.За) образцы, изготовленные из монокристалла танталата лития, одновременно Подвергают травлению в расплаве едкого кали при 360°С в течение 7 с На полидоменных образцах (фиг.36 :ia грани (0001) отчетливо видны .нтипараллельные домены и четкие раницы доменов, а на монодоменных бразцах (фиг.За) на грани (0001) - ысококонтрастные ямки травления.

Использование предлагаемого способа по сравнению с известными позволяет сократить время травления и сэкономить энергию. Это обеспечивается тем, что согласно предлага- ;мому способу травление приводят при более низкой температуре за более короткое время. Данная технология травления является удешевленной и с большими возможностями ее использования, в частности, для контроля монодоменности кристаллов при выращивании.

Травление кристаллов танталата лития в расплаве едкого кали по предлагаемому способу осуществляется при 360°С в течение 5-7 с, по известному способу - при 400аС в -гече- ние 15-60 с, что позволяет существенно ( 60%) повысить производительность труда.

5

Формула изобретения

Способ травления кристаллов танталата лития путем обработки их распла- 0 вом едкого кали, отличающий с я тем, что, с целью удешевления процесса и сокращения его времени, обработку ведут при температуре 360 +0,2°С в течение 5-7с.

Изобретение относится к обработке кристаллов танталата лития методом травления, в частности к исследованию реальной и доменной структуры кристаллов методам оптической и электронной микроскопии. Способ позволяет удешевить и сократить время процесса. Монокристаллы обрабатывают расплавом едкого кали при 360±0,2°С в течение 5-7 с. Температура травления снижена до 360°С, т.е. травление проводится сразу после образования расплава. Способ дает возможность получать четкие и высококонтрастные изображения структуры кристаллов. 3 ил.

и

fe/

-. /f

- u ч r

Г «Ли, V V

i / fvx/

v i1 / л

, /1 / Д Г1 l -Г ,

f1

:ь.

Ч/

i

;

/ J

2 ч U / .

/ /.

Л

V (k .

j i ; ; л /

.;

/

- V

f ,

V. r.

.

Фиг I

Д Г1 l -Г ,

f1

U / .

/.

Л

(k .

/

.

/

.;

- V

f ,

VH