Интегральная микросхема Советский патент 1990 года по МПК H01L23/28 

Изобретение может быть использовано в радиоэлектронной аппаратуре. Цель изобретения - повышение технологичности конструкции и эффективности теплоотвода интегральной микросхемы - достигается тем, что кристаллодержатель 2 имеет контактные площадки 4 на двух его противоположных сторонах, электрически соединенные между собой. Полупроводниковый кристалл 1 и внутренние части выводов размещены с двух противоположных сторон кристаллодержателя. Контактные площадки 4 кристалла и контактные площадки 5 кристаллодержателя электрически соединены между собой противоположными перемычками. Кристаллодержатель 2 выполнен в виде многослойной структуры с чередующимися между собой диэлектрическими и проводящими слоями. В качестве материала диэлектрического слоя многослойной структуры использована керамика. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.