СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ АB Советский патент 2007 года по МПК H01L21/268 

Способ получения эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А^IIIB^V, включающий подготовку подложки, газовое травление поверхности подложки хлористым водородом и эпитаксиальное осаждение слоя полупроводникового материала, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества эпитаксиального слоя за счет повышения его структурного совершенства, после эпитаксиального осаждения проводят жидкофазную рекристаллизацию эпитаксиального слоя путем импульсной лазерной обработки при глубине плавления, соответствующей положению границы расплав - твердое тело, в пределах переходной области эпитаксиальный слой - подложка.