Сверхвысокочастотный корректор Советский патент 1990 года по МПК H01P1/203 H01P1/22 

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано для построения широкополосных миниатюрных устройств.

Целью изобретения является улучше- ние согласования и уменьшение габаритов.

На чертеже показан сверхвысокочастотный корректор.

Сверхвысокочастотный корректор со- держит диэлектрическую подложку 1, на одной стороне которой размещено заземляющее основание 2, а на другой - проводник 3, концы 4 и 5 которого являются входом ц выходом соответственно, и идентичные пленочные резисторы 6, подключенные к нему по разные стороны от него и к которым .соответственно подключены два одинаковых четвертьволновых шлейфа 7, разомкнутых на конце, В заземляющем основании 2 выполнена полуволновая щель 8, коротко- замкнутая на концах и перекрещивающаяся с проводником 3 между пленочными резисторами 6 своей средней частью, в которой между кромками включен дополнительный пленочный резистор 9,

Сверхвысокочастотный корректор работает следующим образом.

СВЧ-сигнал поступает на вход и снимается с выхода. На средней частоте четверть- волновые шлейфы 7, разомкнутые на конце, обеспечивают замыкание пленочных резисторов 6 по СВЧ-току на заземляющее основание 2, а наличие в заземляющем основании 2 полуволновой щели 8 обеспе- чивает включение дополнительного резистора 9 в отрезок микрополосковой линии, образованной диэлектрической подложкой 1, проводником 3 и заземляющим основанием 2, последовательно. В результате обра- зуетсй включение в микрополосковую линию трех пленочных резисторов 6 и 9 на резонансной частоте по П-образной схеме; два пленочных резистора 6 параллельно и один дополнительный пленочный резистор 9 последовательно между ними. Выбирая соотношение сопротивлений между сопротивлениями Ri.3 и Ra пленочных резисторов 6 и 9, можно обеспечить требуемое затухание при условии согласования по входу и выходу

R, WLo 1 /

D-J1-0-11

где Zo - волновое сопротивление микрополосковой линии;

LO - вносимые потери.

На средней частоте вносимое затухание наибольшее. С увеличением частоты ослабление падает и на удвоенной частоте вносимое затухание стремится к нулю, так как на этой частоте четвертьволновые шлейфы 7 становятся полуволновыми и не замыкают пленочные резисторы 6 на заземляющее основание 2, а к дополнительному резистору 9 трансформируется короткое замыкание между его концами.

Уменьшение габ.аритов достигается благодаря размещению практически всех элементов цепи в одном поперечном сечении микрополосковой линии, а улучшение согласования - применением П-образной схемы включения в микрополосковую линию пл еночных резисторов 6 и 9.

Формула изобретения

Сверхвысокочастотный корректор, содержащий диэлектрическую подложку, на одной стороне которой размещено заземляющее основание, а на другой стороне размещены проводник, концы которого являются входом и выходом, и идентичные пленочные резисторы, подключенные к нему и к которым подключены два одинаковых четвертьволновых шлейфа, разомкнутых на конце, отличаю щи и с я тем, что, с целью улучшения согласования и уменьшения габаритов, идентичные пленочные резисторы включены по разные стороны проводника один напротив другого, а в заземляющем основании выполнена полуволновая щель, короткозамкнутая на концах, перекрещивающаяся с проводником между пленочными резисторами средней частью, в которой между кромками включен дополнительный пленочный резистор.

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в качестве регулирующего миниатюрного устройства. Цель изобретения - улучшение согласования и уменьшение габаритов. СВЧ-корректор содержит диэлектрическую подложку 1, заземляющее основание 2, размещенное с одной ее стороны, а с другой стороны размещены проводник 3, пленочные резисторы 6, подключенные к нему с двух сторон один напротив другого и закороченные по СВЧ четвертьволновыми шлейфами 7. В заземляющем основании 2 выполнена полуволновая щель 8, короткозамкнутая на концах, перекрещивающаяся с проводником 3 между пленочными резисторами 6 своей средней частью, в которой между ее кромками размещен дополнительный пленочный резистор 9. На средней частоте образуется резистивная П-образная схема, обеспечивающая улучшение согласования при компактном расположении ее элементов. 1 ил.