Переход между двумя микрополосковыми линиями Советский патент 1988 года по МПК H01P5/02 H01P3/08 

(2)) 4152118/24-09

(22) 26Л.86

(46) 15.04.88, Бюл № 14

(71)Куйбьшевский авиационный институт им„акаДс,,Королева

(72)А.А.Рахаев и В„В.Пахомов

(53)621.372.833 (088,8)

(56)Калив В„Го, Гвоздев В„Ио Шлейф- ные переходы между миниатюрными ли-.:, ниями передачи с пленочными проводниками.-Электронная техника, сер.Электроника СВЧ, 1979 № 6, с.36-43.

Патент СМА № 3771075, кл. Н 01 Р 5/02, 1973.

(54)ПЕРЕХОД МЕЖДУ ДВУМЯ МИКРОПОЛОС- КОВЫМИ ЛИНИЯМИ. .

(57)Изобретение относится к технике СВЧ м„б. использовано при построении сложных миниатюрных устр-в с высокой степенью интеграции. Цель изобретения - расширение диапазона частот. Переход между двумя микрополосковыми линиями содержит две диэлектрические подложки, разделенные заземляющим основанием. На внешних по- верхностях диэлектрических подложек . размещены токонесущие проводники, разомкнутые на одном конце и расположенные один над другим. В заземляющем основании выполнены полуволновая щель и четвертьволновая щель, расположенные перпендикулярно токонесущим проводникам симметрично относительно них. Полуволновая щель расположена на четвертьволновом рас-- стоянии In от разомкнутьк концов токонесущих проводников. Благодаря наличию четвертьволновой щели и ее расстоянию If, от концов токонесущих проводников,равному 1/8 длины

волны,ухудшение КСВ между частотами невелико, не более чем до КСВ 1,2, Рабочий диапазон перехода между микрополосковьши линиями в результате расширяется до 5 октав. 3 ил.

00 X

эо

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано при построении сложных миниатюрных устройств с высокой степенью интеграции ,

Целью изобретения является расши- ,рение диапазона частот I На фиг показана конструкция пе- I рехода между двумя мтг крополосковыми I линями; на фиг„2 и 3 - соответствен- I но, сечения А-А и Б-Б на фиг„1о

Переход между двумя микрополоско- выми линиями содержит две диэлектрические подложки 1 и 2, разделенные I заземляющим основанием 3 На внешних поверхностях диэлектрических подло- 1жек 1 и 2 размещены токонесуп1;Ие про- Iводники 4 и 5, разомкнутые на одном конце и расположенные один над дру- ;гим. В-заземляющем основании 3 выполнены полуволновая 6 и четвертьволно- вая 7 щели, расположсшные перпендиПереход между двумя микрополосковы ми линиями, содержащий две диэлектрические подложки, разделенные заземляющим основанием, на внешних поверх

;.кулярно токонесущим проводникам 4 и

15 симметрично относительно них Полу-25 ностях которых размещены токонесущие I волновая щель 6 расположена на чет- I вертьволновом расото янии 1 „ от ра- 1зомкнутых концов токонесущих провод- IНИКОВ 4 и. 5у а четвертьволновая щель: I7 - на расстоянии 1, равном 1/8 ны волныо

I Переход между двумя микрополоско™ выми линиями работает следующим об- I разом

проводники, разомкнутые на одном конце и расположенные один над другим, а в заземляющем основании выполнена полуволновая щель, расположенная перпендикулярно токонесущим проводникам симметрично относительно них и на четвертьволновом расстоянии от их разомкнутых концов, о тличаю- щ и и с я тем, что, с целью расширения диапазона частот, в заземляющем основании дополнительно выполнена, четвертьволновая щель, расположенная параллельно полуволновой щели и симметрично относительно токонесущих проводников на расстоянии от их разомкнутых концов, равном 1/8 длины волны,, ,

I СВЧ-сигнал, поступающей на токоне- Iсущий проводник 4, возбуждает полу- |волновую и четвертьволновую щели 6 и 17 и переходит в токонесущий проводник So На частотах, на которых длина полуволновой щели 6 кратна половине длины волны, а расстояние 1 от нее

до разомкнутых концов проводников - кратно четверти длины волны, элементом связи между токонесуи;ими провод- никами является полуволновая щель 6, а на частотах в два раза больших - четвертьволновая щель 7 о

Благодаря наличию четвертьволновой щели 7 и ее расстоянию 1„ от концов токонесуп(их проводников Д и 5, равному 1/8 длины волны, ухудшение КСВ между частотами, на которых имеет место полное прохождение СВЧ-сигнала, невелико, не более чем до КСВ 1,2

Рабочий диапазон перехода между ми- крополосковыми линиями в результате расширяется до 5 октав

Формула изобретения

Переход между двумя микрополосковы- ми линиями, содержащий две диэлектрические подложки, разделенные заземляющим основанием, на внешних поверхностях которых размещены токонесущие

ностях которых размещены токонесущие

проводники, разомкнутые на одном конце и расположенные один над другим, а в заземляющем основании выполнена полуволновая щель, расположенная перпендикулярно токонесущим проводникам, симметрично относительно них и на четвертьволновом расстоянии от их разомкнутых концов, о тличаю- щ и и с я тем, что, с целью расширения диапазона частот, в заземляющем основании дополнительно выполнена, четвертьволновая щель, расположенная / параллельно полуволновой щели и симметрично относительно токонесущих проводников на расстоянии от их разомкнутых концов, равном 1/8 длины волны,, ,