Устройство для измерения давления Советский патент 1990 года по МПК G01L9/12 

Изобретение относится к измеритель- ной техн14ке и может быть использовано для измерения высоких гидростатических давлений.

.Цель изобретения - повышение чувст- 5 вительности и расширение диапазона измерения высоких давлений.

На фиг. 1 изображена схема устройства; на фиг. 2 - размещение тензорезисторов на противоположных сторонах монокристал- 10 лического диэлектрика.

Устройство содержит два идентичных тонкопленочных тензорезистора 1 и 2 (фиг. 1), расположенных на одном и том же монокристаллическом элементе 3, например на 15. кварцевом диске Y-cpeaa, помещенном в сосуд 4 высокого давления, заполненный жидкостью 5, передающей давление. Тензо- резистор 1 ориентирован по длине в направлении одной из кристаллографических 20 осей диэлектрика, например в направлении оси X кристаллического кварца, а тензоре- зистор 2 ориентирован по длине в направ- лении другой, неэквивалентной кристаллографической оси этого диэлектрика, напри- 25 мер в направлений оси Z. Тензорезисторы подключены КИСТОЧ1-1ИКУ 6 постоянного тока и к компаратору 7 напряжений.

Устройство работает следующим образом.30

Изменение давления в сосуде 4 вызыват изменение сопротивлений RX и RZ тензо- . ;зезисторов 1 и 2 и соответствующее изменение напряжений на них Ux и Uz. Напряжения Ux м Uz измеряются компаратором 7 и по ним определяется давление,

Если в качестве монокристаллического элемента используется кварцевый диск Y- среза, то давление находят по формуле

P AollJI-,,.

где АО - постоянная.

Для кварца постоянная равна 1/2

Ао

,283 ГПа ,

QZ - QX

где QZ и.QX-линейные сжимаемости кварца в направлениях его кристаллографических осей Z и X соответственно.

Ф о р м .у л а и 3 о б р е т е н и я Устройство для измерения давления, содержащее первый и второй тензорезисто- ры, размещенные на поверхности монокристаллического диэлектрика, соединенные в потенциометрическую схему и подключенные к измерительному прибору, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности и расширения диапазона измерения высоких давлений, первый тензоре- зистор ориентирован в направлении первой кристаллографической оси монокристаллического диэлектрика, а второй - в направлении второй оси, причем первая и вторая кристаллографические оси вь1браны так, что линейные коэффициенты сжимаемости диэлектрика вдоль них различны при гидростатическом сжатии.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения высоких гидростатических давлений. Целью изобретения является повышение чувствительности и расширение диапазона измерения высоких гидростатических давлений. В устройстве использован электрический преобразователь, содержащий идентичные тонкопленочные тензорезисторы 1 и 2, размещенные на поверхности монокристаллического диэлектрика вдоль кристаллографических осей X и Z, в направлении которых линейные сжимаемости диэлектрика неодинаковы. Преобразователь помещен в сосуд высокого давления и включен в потенциометрическую схему. Если U_X и U_Z - напряжения на тензорезисторах, ориентированных по длине вдоль осей X и Z соответственно, то при изменении давления в сосуде 4 напряжения изменяются из-за изменения сопротивлений тензорезисторов. По отношению напряжений определяется давление. 2 ил.

Стокана /4

С/Г7орома В

X