dpus 1
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано, например, в передатчиках волоконно-оптических линий связи.
Целью изобретения является повышение стабильности устройства по отношению к колебаниям напряжения питания, а также упрощение его настройки на требуемую зависимость тока накачки от температуры.
На фиг. 1 приведена структурная электрическая схема устройства; на фиг. 2 - эпюры, поясняющие работу устройства.
Термокомпенсирующий источник накачки полупроводникового лазера содержит формиропатель 1 тока, выход которого соединен с нагрузкой 2, вход питания - с шиной 3 питания, источник 4 опорного напряжения, термозависимый делитель 5 напряжения, регулируемый резистор 6, термонезависимый делитель 7 напряжения, основной выход которого соединен с входом формирователя 1 тока, дополнительный выход СГРДИНРН через регулируемый резистор 6 с выходом термонезависимого делителя 7 напояжения, вход смещения которого соединен с входом смещения термозависимого делителя 5 напряжения и выходом источника А опорного напряжения, входы питания термозависимого делителя 5 напряжения, термонезависимого делителя 7 напряжения, источника 4 опорного напряжения подключены между шиной 3 питания и n тиной устройства.
Термозагчсимый делитель 4 напряжения содержит пергь.й транзистор 8, первый резистор 9, тс рморезистор 10, первый диод 11 и конденс irop 12 база первого транзистора 3 гопдинена с входом смещения, коллектор ПАРНОГО транзистора 8 соединен с дополнительным выходом, первый резистор 9 подключен между эмиттером первого транзистора Я и общей шиной, конденсатор 12 подключен между коллектором первого транзистора 8 и общей шиной, терморезистор 10 подключен между шиной 3 питания и основным выходом, первый диод 11 подключен анодом к основному выходу, катодом - к дополнительному выходу.
Термонезависимый делитель 7 напряжения содержит второй 13 и третий 14 транзисторы, второй диод 15, второй 16, третий 17 и четвертый 18 резисторы.причем база второго транзистора 13 соединена с входом смещения, второй резистор 16 подключен между эмиттером второго транзистора 13 и общей шиной, катод второго диода 15 подключен к коллектору второго транзистора 13, анод второго диода 15 подключен к базе третьего транзистора 14, третий резистор
17подключен между базой третьего транзистора 14 и шиной 3 питания, коллектор третьего транзистора 14 подключен к шине питания, эмиттер третьего транзистора 14
соединен с выходом, четвертый резистор
18подключен между выходом и общей шиной.
Источник 4 опорного напряжения содержит пятый 19 и шестой 20 резисторы,
0 третий 21, четвертый 22 и пятый 23 диоды, причем пятый резистор 19 подключен между общей шиной и катодом третьего диода 21, анод третьего диода 21 соединен с выходом смещения, четвертый диод 22 подклю5 чен катодом к выходу и анодом к катоду пятого диода 23, шестой резистор 20 подключен между шиной питания и анодом пятого диода 23.
Источник работает следующим обра0 зом.
При нулевом сопротивлении регулирующего резистора 6, низкоомный выход термо- независимого делителя 7 напряжения практически непосредственно соединен
5 (через смещающий диод 11) с выходом источника 4 опорного напряжения, благодаря чему опорное напряжение слабо зависит от температуры в этом случае. При отсутствии регулирующего резистора опорное напря0 жение целиком определяется термозависимым делителем 5 напряжения, и обеспечивается максимальная крутизна зависимости опорного напряжения от температуры. При конечном значении
5 сопротивления регулирующего резистора крутизна зависимости опорного напряжения от температуры находится между этими крайними значениями. При температуре, равной to, сопротивления терморезистора
0 10 и резистора 17 равны, мост, образованный делителями 5 и 7 напряжения, сбалансирован, и опорное напряжение не зависит от сопротивления регулирующего резистора 6. Это означает, что графики зависимости
5 опорного напряжения от температуры пересекаются при температуре равной to (фиг.2). В связи с этим методика настройки источника накачки полупроводникового лазера на требуемую зависимость тока накач0 ки от температуры сводится к настройке в двух точках, одна из которых должна быть близкой к температуре to. Сначала при комнатной температуре (близкой к to) с помощью переменного резистора в
5 формирователе 1 тока регулируют ток накачки до достижения лазером номинальной мощности излучения. Затем, нагревая прибор до верхней рабочей температуры, с помощью регулирующего резистора 6 можно восстановить номинальную мощность излучения лазера. Настройка при t0 сохраняег- ся, так как не зависит от сопротивления регулирующего резистора 6.
Источник 4 обеспечивает необходимое смещение на транзисторах 8 и 13 (рекомен- дуемое напряжение смещения - 1,2 1 3В). При оптимизации источника 4 необходимо учесть следующее. Основным источником нестабильности устройства по отношению v изменению напряжения питания является изменение опорного напряжения, проис ходящее при этом, которое приближенно определяется соотношением
+ R 9lJ
АЦ п ЛиПитП
где Rig, Rg, R20 - величина сопротивления резисторов 19, 9 и 20;
Rio величина сопротивления терморезистора 10;
A Uon изменение опорного напряжс- ния;
А Unm изменение напряжения пита ния.
Исходя из приведенного соотношения для компенсации изменения опорного на- пряжения при заданных номиналах резисторов необходимо обеспечить отношение R20/R19 3,5. Реально это отношение должно быть меньше для компенсации альности узла формирователя 1 тока.
Термокомпенсирующий источник накачки полупроводникового лазера покатал хорошую технологичность его настройки на требуемую зависимость тока накачки ла )е- ра от температуры по двум точкам Относи- тельная нестабильность тока накачки в 2 раза меньше относительной нестабильности напряжения питания, что более чем на порядок лучше по сравнению с известным источником.
Формула изобретения
1. Термокомпенсирующий источ ик на качки полупроводникового лазера, содержащий формирователь тока, выход которого соединен с нагрузкой, вход питания с ши- ной питания, источник опорного напряжения, отличающийся тем что, с целью повышения стабильности устройства по отношению к колебаниям напряжения питания, а также упрощения его настройки на требуемую зависимость тока накачки от температуры, в него введены термонезависимый делитель напряжения регулируемый резистор, термозависимый делитель напря
жения, основной выход которого с входом формирователя тока дотлнитель510
15
20
2Ь 30
35 40
лс 0
5
ный выход соединен через регулируемый резистор с выходом термонезависимого де ЛИТРПЯ напряжения, вход смещения киторо- го соединен с входом смещения термозависимого делителя напряжения и с выходом источника опорного напряжения, входы питания термозависимого делителя напряжения, термонезависимого делителя напряжения, источника опорнсю напряже ния подк ючены между шиной питания и общей шиной усфойстоэ.
2.Термокомпенсирующий источник по п. 1,отличающийся тем, что термоза- БИСИМЫЙ делитель напряжения содержит первый транзистор, первый резистор, терморезистор, первый диод и конденсатор, причем база первого транзистора соединена с входом смещения, коллектор - с допол- ник;льным выходом, а через конденсатор - с общей шиной устройства, терморезистор включен между входом питания и основным РЫХОДОМ, соединенным с анодом первого диода, катод которого соединен с коллектором первого транзистора, эмигтер которого через первый резистор соединен с общей шиной устройства.
3.Термокомпенсирующий источник по п. 1, о т л и ч а ю щ и и с я тем что термонезависимый делитель напряжения содержит второй и третий транзисторы, второй диод, второй, третий и четвертый резисторы, прием база второго транзистора соединена с пходом смещения, второй резистор подключен между эмиттером второго транзистора и шиной второго диода подключен к коллектору второго транзистора, анод второго диода подключен к базе третьего транзистора, третий резистор подключен между базой третьего транзистора и шиной питания, коллектор третьего транзистора подключен к шине питания, эмиттер соединен с выходом, который через четвертый резистор соединен с общей шиной устройства.
4.Термокомпенсирующий источник по п. 1, отличающийся тем, что источник опорного напряжения содержит пятый и шестой резисторы, третий, четвертый и пятый диоды, причем пятый резистор подключен межд общей шиной и катодом третьего диода, анод третьего диода соединен с выходом узла смещения, четвертый диод подключен катодом к выходу узла смещения и анодом к катоду пятого диода, шестой резистор подключен между шиной питания и анодом пятого диода
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Источник опорного напряжения | 1981 |
|
SU1053082A1 |
Источник опорного напряжения | 1978 |
|
SU775728A1 |
Источник опорного напряжения | 1978 |
|
SU729578A1 |
ПОНИЖАЮЩИЙ СТАБИЛИЗАТОР | 2007 |
|
RU2339072C1 |
Регулятор напряжения для генератора переменного тока | 1980 |
|
SU1005261A1 |
НИЗКОВОЛЬТНЫЙ ИСТОЧНИК ЭТАЛОННОГО НАПРЯЖЕНИЯ | 1992 |
|
RU2006063C1 |
ИНГАЛЯТОР С ЭЛЕКТРОННЫМ УПРАВЛЕНИЕМ | 2009 |
|
RU2395307C1 |
Источник опорного напряжения | 1980 |
|
SU883886A1 |
РЕГУЛЯТОР НАПРЯЖЕНИЯ | 1991 |
|
RU2006130C1 |
Блок перемножителей функций | 1987 |
|
SU1506563A1 |
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано например, в передатчиках волоконно-оптических линий связи. Цель изобретения - повышение стабильности устройства по отношению к колебаниям напряжения питания, а также упрощение его настройки на требуемую зависимость тока накачки от температуры Поставленная цель реализуется путем построения устройства на основе формирователя 1 тока, выход которого соединен с нагрузкой 2, термозависимого делителя 5 напряжения, термонезависимого делителя 7 напряжений, источника 4 опорного напряжения Ззпф-лы, 2 ил
Риг.2
Патент США № 4166985, кл | |||
Накладной висячий замок | 1922 |
|
SU331A1 |
Патент США №4243952 | |||
кл | |||
Накладной висячий замок | 1922 |
|
SU331A1 |
Авторы
Даты
1991-02-07—Публикация
1988-08-26—Подача