Частотно-избирательное устройство на магнитостатических волнах Советский патент 1991 года по МПК H01P1/218 

Фие.1

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано как полосовой фильтр или линия задержки в приемных, передающих и измерительных радиотехнических системах.

Целью изобретения является увеличение внеполосного затухания,

На фиг.1 изображено частотно-избирательное устройство на магнитостатических волнах, вид сверху; на фиг.2 - то же, вид спереди.

Устройство содержит диэлектрическую подложку 1. на которую нанесены входной и выходной преобразователи 2, 3 магнитостатических волн, ферритовую пленку 4, на- магниченную до насыщения и расположенную на входном и выходном преобразователях 2, 3, входной и выходной отрезки 5, 6 линий передачи, к которым подключены входной и выходной преобразователи 2, 3 соответственно. Входной и выходной отрезки 5, 6 выполнены S-образными, центральные части 7, 8 которых параллельны входному и выходному преобразователям 2, 3, На нижнюю поверхность диэлектриче- ской подложки 1 нанесен слой 9 металлизации.

Частотно-избирательное устройство на магнитостатических волнах работает следующим образом.

СВЧ-сигнал через входной отрезок 5 поступает на входной преобразователь 2, который возбуждает в ферритовой пленке 4 магнитостатические волны, распространяющиеся к выходному преобразователю 3. С

выходного преобразователя 3 СВЧ-сигнал поступает в выходной отрезок 6. Поскольку все размеры устройства много меньше длины рабочей электромагнитной волы, в центральной части 7 входного отрезка 5 течет СВЧ-ток, направленный противоположно току во входном преобразователе 2. Благодаря этому току около выходного преобразователя 3 частично компенсируется поток магнитной индукции, создаваемый током входного преобразователя 2 и обусловливающий паразитную связь между входным и выходным преобразователями 2, 3. Ток в центральной части 7 не влияет на возбуждение магнитостатических волн в ферритовой пленке 4, так как входной отрезок 5 не перекрывается ферритовой пленкой 4. Формула изобретения Частотно-избирательное устройство на магнитостатических волнах, содержащее диэлектрическую подложку, на которую нанесены входной и выходной преобразователи магнитостатических волн, на которых расположена ферритовая пленка, намагниченная до насыщения, при этом входной и выходной преобразователи магнитостатических волн подключены к входному и выходному отрезкам линий передачи соответственно, отличающееся тем, что, с целью увеличения внеполосного затухания, входной и выходной отрезки линий передачи выполнены S-образными, центральные части которых параллельны входному и выходному преобразователям магнитостатических волн.

Изобретение относится к технике СВЧ. Цель изобретения - увеличение внеполос- ного затухания. В рабочей полосе частот связь между входным и выходным отрезками 5, 6 линий передачи осуществляется посредством магнитостатических волн, возбуждаемых в ферритовой пленке 4 входным преобразователем 2 и преобразуемых в СВЧ-сигнал выходным преобразователем 3. Паразитная индуктивная связь между входным и выходным преобразователями 2, 3 компенсируется благодаря пр.отивополож- ному направлению СВЧ-токов в центральной части 7 входного отрезка 5 и во-входном преобразователе 2. 2 ил.

Фиг. I