СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК ЛОКАЛИЗОВАННОГО ЗАРЯДА В МДП-СТРУКТУРЕ Советский патент 1999 года по МПК H01L21/66 

Похожие патенты SU1632293A1

название год авторы номер документа
Способ определения концентрации свободных носителей заряда в каналах инверсии МДП-транзисторов 1990
  • Веденеев Александр Сергеевич
  • Ждан Александр Георгиевич
  • Рыльков Владимир Васильевич
  • Шафран Андрей Григорьевич
SU1835567A1
СПОСОБ КОНТРОЛЯ КОНСТРУКЦИИ С МДП-СТРУКТУРОЙ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ И СИСТЕМА ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ КОНТРОЛЯ 2014
  • Цюэ Сяндун
RU2665263C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОФИЛЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ 2009
  • Грохотков Иван Николаевич
  • Яфясов Адиль Маликович
  • Филатова Елена Олеговна
  • Божевольнов Владислав Борисович
RU2393584C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ИЗГИБА ЗОН ПОЛУПРОВОДНИКА ψ В МДП-СТРУКТУРЕ 1997
  • Бородзюля В.Ф.
  • Рамазанов А.Н.
RU2117956C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ ПЛОСКИХ ЗОН ПОЛУПРОВОДНИКА В МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК-СТРУКТУРАХ 2000
  • Бородзюля В.Ф.
RU2212078C2
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КОНДЕНСАТОРНОЙ СТРУКТУРЫ МЕМРИСТОРА, ХАРАКТЕРИЗУЮЩИХ ПРОЦЕСС ФОРМОВКИ 2015
  • Тихов Станислав Викторович
  • Горшков Олег Николаевич
  • Антонов Иван Николаевич
  • Касаткин Александр Петрович
  • Коряжкина Мария Николаевна
  • Шарапов Александр Николаевич
RU2585963C1
Способ определения электрофизических характеристик проводящих каналов на ганице раздела полупроводник-диэлектрик 1987
  • Байрамов М.А.
  • Веденеев А.С.
  • Ждан А.Г.
SU1507138A1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ И ГЕТЕРОСТРУКТУР 1991
  • Поляков В.И.
  • Ермакова О.Н.
  • Ермаков М.Г.
  • Перов П.И.
RU2028697C1
СПОСОБ КУЛОНОМЕТРИЧЕСКОГО ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ НАНОСТРУКТУР ТРАНЗИСТОРА n-МОП В ТЕХНОЛОГИЯХ КМОП/КНС И КМОП/КНИ 2010
  • Кабальнов Юрий Аркадьевич
  • Качемцев Александр Николаевич
  • Киселев Владимир Константинович
RU2439745C1
Способ определения характеристик электронных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик 1984
  • Гуляев И.Б.
  • Ждан А.Г.
  • Пономарев А.Н.
  • Сульженко П.С.
SU1199153A1

Реферат патента 1999 года СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК ЛОКАЛИЗОВАННОГО ЗАРЯДА В МДП-СТРУКТУРЕ

Способ определения характеристик локализованного заряда в МДП-структуре, включающий подачу изменяемого напряжения смещения Vg на МДП-структуру, одновременное измерение зависимостей низкочастотной Cнч и высокочастотный Cвч емкостей от напряжения смещения Vg, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности определения координаты центроида локализованного заряда Zс.лок, по измеренной зависимости Cвч от Vg определяют первую производную высокочастотной емкости по напряжению смещения при различных напряжениях смещения , устанавливают скорость изменения напряжения Vg, исключающую перезарядку локализованных электронных состояний и формирование канала инверсии в приграничной области полупроводника в области напряжений, соответствующих состоянию указанной области от обогащения до глубокого обеднения, и при этой скорости изменения Vg дополнительно измеряют зависимость высокочастотной емкости от подаваемого напряжения , а координату центроида локализованного заряда определяют из соотношения


где d - толщина диэлектрика;
q - заряд электрона;
Nd(Vg) - концентрация легирующей примеси на границе области пространственного заряда, отвечающего напряжению Vg;
κ5 - диэлектрическая постоянная полупроводника;
Cох - емкость диэлектрика;
S - площадь затвора.

SU 1 632 293 A1

Авторы

Гольдман Е.И.

Ждан А.Г.

Пономарев А.Н.

Даты

1999-06-20Публикация

1989-07-11Подача