СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК ЛОКАЛИЗОВАННОГО ЗАРЯДА В МДП-СТРУКТУРЕ Советский патент 1999 года по МПК H01L21/66 

Способ определения характеристик локализованного заряда в МДП-структуре, включающий подачу изменяемого напряжения смещения V_g на МДП-структуру, одновременное измерение зависимостей низкочастотной C_нч и высокочастотный C_вч емкостей от напряжения смещения V_g, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности определения координаты центроида локализованного заряда Z_с.лок, по измеренной зависимости C_вч от V_g определяют первую производную высокочастотной емкости по напряжению смещения при различных напряжениях смещения , устанавливают скорость изменения напряжения V_g, исключающую перезарядку локализованных электронных состояний и формирование канала инверсии в приграничной области полупроводника в области напряжений, соответствующих состоянию указанной области от обогащения до глубокого обеднения, и при этой скорости изменения V_g дополнительно измеряют зависимость высокочастотной емкости от подаваемого напряжения , а координату центроида локализованного заряда определяют из соотношения


где d - толщина диэлектрика;
q - заряд электрона;
N_d(V_g) - концентрация легирующей примеси на границе области пространственного заряда, отвечающего напряжению V_g;
κ₅ - диэлектрическая постоянная полупроводника;
C_ох - емкость диэлектрика;
S - площадь затвора.