Способ определения характеристик локализованного заряда в МДП-структуре, включающий подачу изменяемого напряжения смещения Vg на МДП-структуру, одновременное измерение зависимостей низкочастотной Cнч и высокочастотный Cвч емкостей от напряжения смещения Vg, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности определения координаты центроида локализованного заряда Zс.лок, по измеренной зависимости Cвч от Vg определяют первую производную высокочастотной емкости по напряжению смещения при различных напряжениях смещения , устанавливают скорость изменения напряжения Vg, исключающую перезарядку локализованных электронных состояний и формирование канала инверсии в приграничной области полупроводника в области напряжений, соответствующих состоянию указанной области от обогащения до глубокого обеднения, и при этой скорости изменения Vg дополнительно измеряют зависимость высокочастотной емкости от подаваемого напряжения , а координату центроида локализованного заряда определяют из соотношения
где d - толщина диэлектрика;
q - заряд электрона;
Nd(Vg) - концентрация легирующей примеси на границе области пространственного заряда, отвечающего напряжению Vg;
κ5 - диэлектрическая постоянная полупроводника;
Cох - емкость диэлектрика;
S - площадь затвора.
Авторы
Даты
1999-06-20—Публикация
1989-07-11—Подача