Устройство для получения многослойных полупроводниковых структур Советский патент 1991 года по МПК C30B19/06 

Изобретение относится к технологическому оборудованию для получения полупроводниковых приборов на основе многослойных гетероструктур методом жидкофаэной эпитаксии.

Цель изобретения - исключение неконтролируемого сдвига пластины и повышение за счет этого надежности устройства.

На фиг. 1 изображено устройство, разрез; на фиг. 2 и 3 - относительное положение элементов устройства в процессе выращивания структур; на фиг. 4 - узел I на фиг. 1.

Устройство содержит контейнер 1 с емкостями 2 для расплавов. Емкости 2 снабжены поршнями 3, В корпусе 4 в углублении 5 размещена подложка 6, а в углублении 7 с наклонным дном - фиксатор 8. Между контейнером 1 и подложкой 6 установлена пластина 9, имеющая отверстие 10 для подачи расплава 11 к подложке 6 и дополнительное сквозное отверстие 12 для свободного размещения в нем фиксатора 8. Контейнер 1 имеет выступ 13, контактирующий с торцом пластины 9, и отверстие 14 для фиксатора 8. Корпус

4имеет выступ 15, ограничивающий перемещение пластины 9, и емкость 16 для отработанного расплава. Корпус 4 снабжен крышкой 17 со скошенным краем. Перемещение контейнера 1 осуществляют штоком 18.

Устройство работает следующим образом.

Подложку 6 помещают в углубление

5и накрывают ее пластиной 9, совмещая при этом отверстие 12 и углубле,- ние 7. В них помещают фиксатор 8. На пластину 9 устанавливают контейнер 1, в емкости 2 которого помещают исходный материал для растворов-расплавов, а сверху размещают поршни 3. УстройО500 00

ю

со

ство закрывают крышкой 17, помещают в реактор и выдерживают при заданной температуре для получения раствора- расплава 11. Затем температуру понижают и приступают к выращиванию эпи- таксиальных слоев. Для этого штоком 18 контейнер 1 перемещают. Крышка 17 контактирует с поршнем 3 первой емкости 2. Раствор-расплав 11 через от- верстие 10 поступает в камеру 19 роста, размещенную над подложкой 6. Избыток расплава 11 поступает в емкость 16. Послевыращивания первого слоя контейнер 1 перемещают до взаимодей- |ствия крышки 17 с поршнем 3 следую- щей емкости 2. Происходит замещение первого расплава вторым. Положение элементов устройства в этот момент показано на фиг. 2. После выращивания 2 следующего слоя дальнейшим перемещением контейнера 1 совмещают отверстие 14 выполненное в нем, с отверстием 12 в пластине 9. Отверстие 14 выполнено так, что совмещение этого отверстия2 с отверстием 12 происходит одновременно при контакте выступа 13 контейнера 1 с торцом пластины 9. При дальнейшем перемещении контейнер 1 перемещает пластину 9, которая краями отверстия 10 удаляет раствор-расплав И с подложки 6. Фиксатор 8 выходит из углубления 7 и частично размещается в отверстии 14, а пластина 9 продвигается до выступа 15 корпуса 4. ПоложеQ 5

0

ние элементов устройства показано на

фиг. 3. i

При необходимости использовать подложки различных размеров в корпусе 4 делают дополнительное углубление 20, в которое размещают сменную пластину 21 с углублением 5, соответствующим размеру подложки 6. Сменную пластину 21 фиксируют дополнительным фиксатором 22, который служит опорой фиксатора 8 (фиг. 4).

Формула изобретения

Устройство для получения многослойных полупроводниковых структур методом жидкофазной эпитаксии, содержащее контейнер с емкостями для расплавов, снабженными поршнями, установленную под ним пластину с отверстием для подачи расплава к подложке, которая размещена в корпусе, имеющем углубление для установки фиксатора, отличающееся тем, что, с целью исключения неконтролируемого сдвига пластины и повышения за счет этого надежности устройства, дно углубления для фиксатора выполнено наклонным, в пластине выполнено дополнительное сквозное отверстие для свободного размещения фиксатора и контейнер имеет выступ, контактирующий с торцом пластины.

Изобретение относится к получению полупроводниковых приборов на основе многослойных гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии. Исключает неконтролируемый сдвиг пластины и повышает за счет этого надежность устройства. Устройство содержит корпус с размещенной в нем подложкой. В корпусе выполнено углубление для фиксатора. Над подложкой размещены контейнер с емкостями для расплава. Между подложкой и емкостями установлена пластина, имеющая отверстие для подачи расплава к подложке и дополнительное отверстие для свободного размещения фиксатора. Контейнер имеет выступ, контактирующий с торцом пластины. 4 ил.

47 В П

фиг.1

17 10 18 IL

16

Ч 9

N

CVW

Pas.J

19

5 21 20

ФагЛ