Способ измерения потенциала поверхности заряженного диэлектрика Советский патент 1991 года по МПК G01R29/12 

Изобретение относится к электроизмерениям и может быть использовано для контроля потенциала поверхности электретов.

Целью изобретения является повышение точности измерения.

Способ измерения потенциала поверхности заряженного диэлектрика заключается в следующем. Внутрь динамического конденсатора на его неподвижную пластину помещается образец заряженного диэлектрика. Подвижная пластина конденсатора заземлена и совершает гармонические механические колебания, в результате чего на неподвижной пластине конденсатора индуцируется переменное напряжение пропорциональное поверхностной плотности заряда диэлектрика и, соответственно, потенциалу его внутренней поверхности. При подаче на неподвижную пластину постоянного напряжения смещения от источника с большим внутренним сопротивлением потенциал поверхности диэлектрика увеличивается или уменьшается в зависимости от знака напряжения смещения. Соответственно увеличивается или уменьшается

05 СП

ю

Јь СЛ

и переменная составляющая напряжения на неподвижной пластине.

Можно подобрать такую величину напряжения смещения ийм, при которой напряженность поля внутри конденсатора станет равной нулю, также станет равным нулю и U. При выполнении условия 1 / в L йЈ 1, где 1 - толщина диэлектрика , L - расстояние между пластинами, 6- диэлектрическая проницаемость диэлектрика, напряжение смещения в этом случае равно Измеряемому потенциалу внутренней поверхности заряженного диэлектрика. Одна- ко сильное электрическое поле, возникающее при подаче напряжения сме- щения,, приводит к нарушению величины заряда диэлектрика, что в свою очередь приводит к большим ошибкам из- мерения.

Измеряют переменное напряжение на неподвижном электроде при отсутствии смещающего напряжения (UCM а тем вместо заряженного исследуемого образца в конденсатор помещают идентичный ему незаряженный образец и подают напряжение смещения, увеличивая его до тех пор, пока переменно напряжение на неподвижной пластине не достигнет прежнего значения U v. В этом случае напряжение смещения создает на внутренней поверхности диэлектрика потенциал, равный потенциалу заряженного образца. Следовательно, при выполнении прежнего условия 1/SL С 1 напряжение смещения равно потенциалу поверхности исследуемого образца. Благодаря тому, что в процессе изменения исследуемый образец не подвергается воздействию электрического поля, величина заряда диэлектрика не искажается, что повы- шает точность измерения.

Формула изобретения

Способ измерения потенциала поверхности заряженного диэлектрика, заключающийся в том, что исследуемый образец заряженного диэлектрика мещают внутри динамического конденсатора на его неподвижной обкладке, подвижная заземленная обкладка которого совершает гармонические механические колебания, измеряют наведенное на неподвижной обкладке переменное напряжение, подают на неподвижную обкладку регулируемое постоянное напряжение смещения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, в динамический конденсатор вместо исследуемого заряженного образца помещают идентичный ему незаряженный образец и измеряют напряжение смещения, при котором величина наведенного на неподвижной обкладке конденсатора переменного напряжения равна ранее измеренному.

Изобретение относится к электроизмерениям и может быть использовано для контроля потенциала поверхности электретов. Цель изобретения - повышение точности измерения. Внутрь динамического конденсатора на его неподвижную пластину помещают образец заряженного диэлектрика. Заземленная подвижная пластина конденсатора совершает гармонические механические колебания, в результате чего на неподвижной пластине индуцируется переменное напряжение U, которое измеряют. Затем вместо заряженного образца в конденсатор помещают идентичный ему незаряженный образец, на неподвижную пластину подают напряжение смещения, величину которого устанавливают такой, что переменная составляющая напряжения на неподвижной пластине становится такой же, что и в случае заряженного образца. Измеряют напряжение смещения, величина которого равна измеряемому потенциалу поверхности заряженного образца. Благодаря тому, что в процессе измерения исследуемый образец не подвергается воздействию электрического поля, величина его заряда не искажается, что повышает точность измерения. (Л с